基于GaAs工艺的毫米波开关滤波器设计_韦雪真.pdf
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1、34 电子技术 第 52 卷 第 6 期(总第 559 期)2023 年 6 月Electronics 电子学用-5V电源供电,TTL电平控制的驱动电路,驱动电路输出一对互补的高低电平,分别控制两路开关的导通和关断。逻辑关系如表1所示。0 引言无源器件在射频收发系统和通信领域的应用非常广泛,但是它们的体积一般较大,制约着组件系统的小型化和低成本1,2。滤波器作为非常重要的一种无源器件,无论是在接收还是发射系统中都必不可少。尤其是随着现代通信系统的发展,频谱资源拥挤,开发毫米波频段的滤波器并实现小型化、低成对整机系统的领先发展非常关键。1 研究背景本文基于70m厚的GaAs衬底,设计并实现了一款
2、低插损、小体积、高性能的微波单片集成电路(MMIC)开关滤波器芯片,它的面积仅为2.2mm 1.9mm0.07mm。由于采用高介电常数的GaAs材料,衬底厚度小等因素,它的电磁场束缚能力强,应用中的电磁抗干扰效果好,且内部集成驱动,非常方便使用。2 开关滤波器设计 2.1 基本构成开关滤波器的设计电路由FET开关、滤波器、控制电路三部分组成,具体框图见图1所示。本设计中,FET开关部分采用FET管并联的结构实现,带通滤波器由梳状结构实现。控制部分采作者简介:韦雪真,中国电子科技集团公司第十三研究所;研究方向:电子器件设计。收稿日期:2023-02-06;修回日期:2023-06-12。摘要:阐
3、述基于GaAs工艺,仿真设计了一款3337GHz的两通道开关滤波器,其中开关由GaAs FET管并联实现,滤波器采用梳状结构。芯片内部集成驱动电路,采用-5V供电,TTL电平控制两通道的导通与关断。芯片尺寸为2.2mm1.9mm0.07mm。测试结果显示,带内插入损耗低于6dB,带外本底抑制大于40 dB,带内回波损耗优于-15 dB。关键词:电路设计,开关滤波器,GaAs工艺。中图分类号:TN713,TN402文章编号:1000-0755(2023)06-0034-02文献引用格式:韦雪真.基于GaAs工艺的毫米波开关滤波器设计J.电子技术,2023,52(06):34-35.基于GaAs工
4、艺的毫米波开关滤波器设计韦雪真(中国电子科技集团公司第十三研究所,河北 050051)Abstract This paper describes the simulation design of a 3337GHz two channel switching filter based on GaAs technology.The switch is realized by parallel connection of GaAs FET tubes,and the filter uses a comb structure.The integrated driving circuit inside
5、 the chip is powered by-5V,and the TTL level controls the on and off of the two channels.Chip size is 2.2mm1.9mm0.07mm.The test results show that the in band insertion loss is less than 6dB,the out of band background rejection is more than 40dB,and the in band return loss is better than-15dB.Index T
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