DB13∕T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片(河北省).pdf
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1、TCS 01. 040. 27 F 12 DB13 河北省Eh巳tTJ 方标准DB13/T 1314一-2010太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片2010-11-15发布2010-11 -25实施河北省质量技术监督局发布目IJ1=1 本标准按照GB/T1. 1-2009给山的规则起草。本标准由邢白市质量技术监督局提出。本标准起草单位:晶龙实业集团有限公司、宁晋县质量技术监督局。本标准主要起草人员:任内彦、安增E见、相1I志强、颜;志峰、刘彦朋。DB13/T 1314-2010 DB13/T 1314-2010 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片1 范围本标准规定了太阳能级旺单晶方棒、单晶石幸片的术语和定义
2、、产品分类、原料要求、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输及贮存等。本标准适用于制造太阳能电池基片的单晶石字方棒、单晶旺片。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的号|用文件,其最新版本(包括所旬的修改单)适用于本文件。GB/T 1.5.54 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验h法GB/T 2828.1 计数抽样检验程序第一部分:技接受质量限CAQU检索的运批检验抽样计划GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试右法GB/T 6620 硅片翘由度非接触式测试力法GB/T 6624 硅抛光片表面质量H测检验h
3、法GBIT 191 包装储运图示标志3 术语和定义3. 1 缺口indent 指贯穿单晶硅片边缘的缺拙。3. 2 亮边bright Point Edge 指单晶硅h侧棱上的连续缺损区域。3. 3 崩边edge crack 指单晶硅片边缘EX;表面未贯穿单品硅片的局部缺损区域,当崩JJl在单晶硅片边缘产午时,其尺寸由径向深度和周边住长给出。3. 4 裂纹crack 指延伸到单晶旺片表面,员穿或不贯穿单晶石士片厚度的解理或裂痕。DB13/T 1314-2010 3. 5 划mscratch 指单晶硅片在白炽灯或荧光灯下,肉gR明显可见的问陷状划伤。3. 6 线msaw mark 指切割时在单晶硅片
4、表而罔下的轻微不放1则凹产1直线状痕迹C3. 7 弧宽度偏差chamfer width departure 单晶硅方棒、单晶硅片的四个因弧中所对应的最大弦长Lj最小弦长的差。4 产品分类4. 1 分类单晶佳方棒、单晶硅片j主导出类塑分为N型和P型两种类型。4. 2 规格单晶硅方棒、单晶硅片按直径分为127mm、135mm、150mm、165mm、200mm、220 mm或由供币双方商定规格:按单晶硅方棒、单晶硅片的形状和外形尺寸(注aXa/见图1,单位mm)分为:100X 100/127、103X 103/135、125X 125/150、125X 125/165、156X 156/200、1
5、56X 156/220或由供而双方商定规格O一. 飞、,. 飞、飞飞 , L / 、飞飞L 巳J E F 飞/ 、J 、, /r 飞、L、电-圃h,d F dJ J 一巳 百径:2 口边长;L一弦长。4. 3 等级DB13/T 1314-2010 单晶硅方棒断面、单晶硅片表面形状甲晶硅片才安品质寺级分为:一级品、二级品、一伞级品(具体分类标准见5.2.3)。5 原料要求原来斗应符合表1规定。少于寿命位错i牛f导电掺杂元生长品向电阻本氧含量碳含量!支类型* 万式晶向,lU离度5 atoms/cm3 J 个Q.cm atoms/cm (断山中心点)2 /cm BC跚)1-3/ 3-6 二三15P型
6、Ga cz 运10主三o.95X 10E18 运5X10E16主三 2000 O. 5-6 主主10(棕)O. 5-3 注100lX10E18 芝三3000 N型p (磷)cz 三三30三三5X 10E16 1. 7-12 二三300三三O.8X 10E18 主三1000 6 技术要求6. 1 太阳能级单晶硅方棒6.1.1 太阳能级单晶硅方棒缺陷单晶旺方棒不得有李晶线、层销、六角网络、亚结构、夹杂、空洞、星形结构等缺陷(见GB/T1554)。6.1.2 太阳能级单晶硅方棒几何参数应符合表2规定。太阳能级单晶硅方棒几f可参数100X 103X 125X 标称规格,mm 100/127 103/1
7、35 125/150 i!1长偏差,mm,士O. 3 O. 3 0.4 直径,mm 127 135 150 直径偏差,mm,士O. 3 O. 3 0.4 单晶硅方棒长度,mm, 100 100 100 单晶硅方棒的长度也可由机需双方协尚确定。12.5X 156X 156X 125/165 156/200 156/220 O. 4 O. 4 O. 5 165 200 220 O. 4 O. 4 O. 5 100 100 100 3 6. 1.3 制造才去程序批准的文件或供需双方协商公差范围制造O6.1.4 单晶硅方棒外观6.1.4.1 棱上崩边于手边100mm以内二三0.1mm、三三0.3mm的
8、崩边不多j二3个。6.1.4.2 两直边垂直度900 :!: 20 6.1.4.3 弧宽度偏差运1.5 mm。6. 1.5 单晶硅方棒表面质量DB13/T 1314-2010 单晶硅方棒表面经过处理后(化学处理或机械处理),不允许出现肉眼能观察到的明显沾污、酸印、小坑、划痕。6. 2 太阳能级单晶硅片6.2.1 太阳能级单晶硅片的几何参数应符合表3规定。太阳能级单晶硅片的几何参数100X 103X 标称规格,mm 100/127 103/135 JlJ.长偏差,mm,土O. 3 O. 3 直径,mm 127 135 直径偏差,mm, :!: O. 3 O. 3 单晶硅片厚度(中心点),m 11
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