DB61∕T 511-2011 太阳电池用单晶硅棒检验规则(陕西省).pdf
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1、ICS 27.160 F 12 DB61 陕西省地方标准 DB 61/ T 5112011 太阳电池用单晶硅棒检验规则 2011 - 04 - 20 发布 2011 - 05 - 01 实施 陕西省质量技术监督局 发 布 DB61/ T 5112011 I 前 言 本标准参考GB/T 129622005硅单晶,结合国内外光伏产业现状及发展趋势制定。 本标准由陕西电子信息集团有限公司提出。 本标准由陕西省工业和信息化厅归口。 本标准由陕西电子信息集团有限公司、 陕西电子信息集团西京电子科技有限公司、 中电投西安太阳能电力有限公司、西安隆基硅材料股份有限公司、陕西华山半导体材料有限责任公司共同负责
2、起草。 本标准主要起草人:牛军旗、柳军、李拉平、孙涛、王帅、焦致雨、张旭、孙武、吕喜臣、赵可武、张超。 本标准由陕西省工业和信息化厅负责解释。 本标准为首次发布。DB61/ T 5112011 1 太阳电池用单晶硅棒检验规则 1 范围 本标准规定了太阳电池用单晶硅棒的技术要求、试验方法和检验规则等。 本标准适用于太阳电池用单晶硅棒的检验。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件, 仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551
3、硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅中代位碳原子含量 红外吸收测量方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12963 硅多晶 SEMI MF 15352007 微波反射无接触光电导衰退测量硅片载流子复合寿命测试方法 3 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 单晶硅圆棒 mono-crystalline silicon round-s
4、tick 未经任何机械加工的原始单晶硅棒。 3.2 单晶硅方棒 mono-crystalline silicon square-stick 单晶硅圆棒按照一定规格尺寸经过切断、切方、滚圆加工后的方锭。 4 技术要求 4.1 原材料 产品用原材料应符合GB/T 12963的规定。 DB61/ T 5112011 2 4.2 外观要求 4.2.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒表面应光滑,无缺口、裂纹、划痕。 4.2.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒断面应无刀痕、无长度和宽度超过5 mm、深度超过1.5 mm的缺口。 4.3 外形尺寸 4.3.1 单晶硅圆棒 单晶硅圆棒的长度由供需双方协商,直径及偏差见表1。
5、表1 单晶硅圆棒直径及偏差 规 格 6 6.5 8 直径及偏差/mm 153 5 168 5 203 5 0 0 0 注:直径及其偏差如有特殊要求,由供需双方协商确定。 4.3.2 单晶硅方棒 单晶硅方棒的断面物理尺寸应符合图1、表2的规定。 图1 单晶硅方棒的断面物理尺寸 表2 单晶硅方棒的断面物理尺寸(字母对应图 1 所示) 单位为毫米 规 格 A(边长) B(标称直径) C(弦长)a D(倒角投影)a E(相邻面垂直度) 断面几何垂直度 6 1250.3 1500.3 82.91 21.051 900.3 900.5 6.5 1250.3 1650.3 107.71 8.661 8 15
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