SVF9N90F 9a 900v n沟道增强型mos管开关-9n90三极管的参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVF9N90F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.0 http:/ 共 8 页 第 1 页 9A、900V N沟道增强型场效应管 描述 SVF9N90F 是 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及元胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。特点 9A,900V,RDS(on)(典型值)=1.10VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度
2、快 提升了 dv/dt 能力 2.漏极1.栅极3.源极TO-220F-3L123 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVF9N90F TO-220F-3L SVF9N90F 无铅 料管 士兰微电子 SVF9N90F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.0 http:/ 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 9.0 A TC=100C 5.7 漏极脉冲电流 IDM 36 A 耗散功率(TC=25C)-大于 25C 每
3、摄氏度减少 PD 68 W 0.54 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1)EAS 823 mJ 体二极管(注 2)dv/dt 4.5 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性(注 3)dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 RJC 1.84 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 C/W 电气参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS
4、VDS=900V,VGS=0V-1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-100 nA 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS,ID=250A 2.0-4.0 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=4.5A-1.1 1.4 栅极电阻 Rg f=1.0MHz-5.0-输入电容 Ciss VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz-1690-pF 输出电容 Coss-142-反向传输电容 Crss-7.4-开启延迟时间 td(on)VDD=450V,RG=25,ID=9.0A (注 3,4)-28-ns 开启上升时间 tr-40-关断延迟时间 td(off
5、)-111-关断下降时间 tf-48-栅极电荷量 Qg VDD=720V,ID=9.0A,VGS=10V (注 3,4)-38-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-11-栅极-漏极电荷量 Qgd-13-士兰微电子 SVF9N90F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.0 http:/ 共 8 页 第 3 页 源-漏二极管特性参数 参数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏P-N 结-9.0 A 源极脉冲电流 ISM-36 源-漏二极管压降 VSD IS=9.0A,VGS=0V-1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=9.0A,
6、VGS=0V,dIF/dt=100A/s (注 4)-649-ns 反向恢复电荷 Qrr-5.3-C 注:注:1.L=30mH,IAS=7.1A,VDD=50V,RG=25,开始温度TJ=25C;2.VDS=0400V,ISD=9.0A,TJ=25C;3.VDS=0480V;4.脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%;5.基本上不受工作温度的影响。士兰微电子 SVF9N90F 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:2.0 http:/ 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.输出特性图2.传输特性漏极电流 ID(A)0.111000.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID
7、(A)0.11100024681013579栅源电压 VGS(V)1.01.11.31.404610注:TJ=25 C漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3.导通电阻vs.漏极电流和栅极电压1.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4.体二极管正向压降vs.漏极电流、温度1.62图5.电容特性图6.电荷量特性电容(pF)0.1110100漏源电压 VDS(V)栅源电压 VGS(V)0040总栅极电荷 Qg(nC)015003000CissCossCrssCiss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)Coss=Cds+CgdCrss=Cgd2468101220
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