pn8163 48V常用poe电源芯片-骊微电子.pdf
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1、PN8163 Chipown Rev.1.1 1/11 高性能准谐振交直流转换芯片高性能准谐振交直流转换芯片 概述概述 PN8163内部集成了准谐振工作模式的电流模式 控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围 元器件精简的交直流转换开关电源。 该芯片提供了极为全面和性能优异的保护功 能,包括输出过压保护、逐周期过流保护、过 载保护、软启动、输入欠压保护功能。通过 QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混 合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了 超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。 频率调制技术和Soft Driver技术充分保证良好的 EMI表现。 封装封装/订购
2、信息订购信息 SOP8 VDD DMG FBSW SW GNDSW SW 订购代码订购代码 封装封装 输出输出过压过压保保 护护功能功能 PN8163SE-H1 SOP8 自动重启 PN8163SE-P1 SOP8 锁存 注:最大输出功率是在环境温度45的密闭式应用情形下测 试 特性特性 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET 准谐振工作 最高开关频率125kHz 外围精简,无需启动电阻及CS检测电阻 高低压脚位两侧排列提高安全性 内置高压启动,空载待机功耗50mW 230VAC 改善EMI的频率调制技术 供电电压9-38V,适合宽输出电压应用 优异全面的保护功能 过温保护 输出过压保护 输
3、入欠压保护 逐周期过流保护 输出开/短路保护 次级整流管短路保护 过负载保护 应用领域应用领域 充电器 适配器 开放式开关电源 典型电路典型电路 FB Snubber AC 85265V DC Output OTP Block HV Start Block PWM Switch &Gate Driver SUPPLY &UVLO VDD SW PN8163 QR detect CS Block FB Block GND DMG Block DMG w w w .s z l w t e ch .co m深圳市骊微电子芯朋微一级代理商 现货TEL:13808858392 杜S PN
4、8163 Chipown Rev.1.1 2/11 管脚定义管脚定义 管脚名管脚名 管脚标号管脚标号 管脚功能描述管脚功能描述 GND 1 地 VDD 2 工作电压输入引脚 FB 3 反馈输入引脚 DMG 4 去磁引脚, 通过电阻分压采样输出电压和输入电压 SW 5,6,7,8 高压 MOSFET漏极脚 典型功率典型功率 封装封装 输入输入电压电压 密闭式条件密闭式条件(1) SOP8 85265VAC 20W 备注: 1. 最大输出功率是在环境温度 45 C的密闭式应用情形下测试。 功能框图功能框图 UVLO &VINT BGR &BIAS VDD OVP Vout OVP
5、Vin/Vout Detector Valley Detector LEB OLP PWM Jitter 1/Avcs J Q Q K SET CLR S R Q DMG CS FB DRV SW QR Control HV Start Oscillator OCP Logic Control 2nd OCP CS GND VDD Vin UVP Vth_OC OTP QR QR OSCP 3 4 1 2 58 w w w .s z l w t e ch .co m深圳市骊微电子芯朋微一级代理商 PN8163 Chipown Rev.1.1 3/11 极限工作范围极限工作范围 VDD 脚耐压.
6、-0.340V FB 脚耐压.-0.36.5V DMG 脚耐压(IDMG10mA)-16.5V SW脚耐压 . -0.3650V 结工作温度范围.-40150 C 存储温度范围.-55150 C 管脚焊接温度 (10秒).260 C 封装热阻JC (SOP8).40 C /W 人体模式ESD 能力(1)(HBM). 2kV 漏极脉冲电流(Tpulse=100us).5A 备注: 1. 产品委托第三方严格按照芯片级 ESD标准(ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2017)中的测试方式和流程进行测试。 电气特性电气特性 (TA= 25 C, 除非另有说明。) 参数参数 符号符号 条件条
7、件 最小值最小值 典型值典型值 最大值最大值 单位单位 功率部分功率部分 功率管耐压 BVDSS ISW =250uA 650 V 关态漏电流 IOFF Vsw =520V 10 25 40 A 导通电阻 RDS(on) ISW = 1.0A, TJ = 25 C 2 VDD电压部分电压部分 VDD启动阈值电压 VDDon 15.5 16.5 17.5 V VDD欠压保护阈值电压 VDDoff 7 8 9 V VDD BM保持阈值 Vhold 9 V VDD过压保护电压 VDDovp 38 39 40 V VDD电流电流部分部分 启动管充电电流 IVDD_CH -2.0-1-0.5mA 开关态
8、工作电流 IVDD0 VFB=3.5V 1.0 2.0 4.0 mA 间歇态工作电流 IVDD1 VFB=0.5V 0.4 0.8 1.5 mA 保护态工作电流 IVDD_Fault 0.2 0.6 1.5 mA FB检测部分检测部分 FB 开路电压 VFB 4.6 4.8 5.4 V FB 短路电流 IFB_SHORT 0.18 0.22 0.24 mA 降频模式阈值电压 VFB_PFM VDMG1.4V 2.5 V VDMG 1.4V 2 V 间歇模式阈值电压 VFB_BM 1.15 V 间歇模式迟滞电压 VFB_BM_HYS 100 mV 过载保护阈值电压 Vth_OLP 4.1 4.3
9、 4.5 V CS电流检测部分电流检测部分 软启动时间 Tss 7.5 ms 前沿消隐时间 TLEB 400 ns 最大峰值电流 IDlim 1.05 1.1 1.15 A w w w .s z l w t e ch .co m深圳市骊微电子芯朋微一级代理商 PN8163 Chipown Rev.1.1 4/11 参数参数 符号符号 条件条件 最小值最小值 典型值典型值 最大值最大值 单位单位 Burst-mode峰值电流 IDbm 0.3 A 次级整流短路保护阈值 IDSP 2.2 A 次级整流短路保护 延迟时间 Td_DSP 7 Cycles DMG检测部分检测部分 输出过压保护阈值 VD
10、MG_OVP VFB=2.0V 2.7 3 3.3 V 输出过压保护延迟时间 Td_DOVP 7 Cycles 最大时钟开启等待时间 Thold 5 us 最大开启时间 Ton_max 25 us 最高工作频率 Fosc_QR 125 kHz 间歇态工作频率 Fosc_BM 22 25 28 kHz 输入欠压保护阈值 IDMG_BNO 180 200 220 uA 输入欠压保护延迟时间 Td_BNO 30 ms 过温保护部分过温保护部分 过温保护温度 TSD 130 145 C 过温保护回差 THYST 20 C w w w .s z l w t e ch .co m深圳市骊微电子芯朋微一级代
11、理商 PN8163 Chipown Rev.1.1 5/11 特性曲线特性曲线 -50-250255075100125 500 600 700 800 900 BVDSS (V) Junction Temperature() (a)BVDSS vs Tj -50-250255075100125 0 1 2 3 4 5 RDS(ON) ( ) Junction Temperature() (b)RDS(on) vs Tj -50-250255075100125 14 15 16 17 18 19 VDDon(V) Junction Temperature() (c)VDDon vs Tj -50
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