沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响.pdf
《沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《沟道长宽比对AZTO-TFT电学性能的影响.pdf(4页珍藏版)》请在咨信网上搜索。
1、技术创新/Technology and Innovation沟道长宽比对 AZTO-TFT 电学性能的影响Effect of Channel Aspect Ratio on Electrical Properties of AZTO-TFT荆卫松王超*邓洋杨帆贾明瑞(吉林建筑大学电气与计算机学院长春130118)摘要:本文主要研究沟道长宽比对器件电学性能的影响。在室温下采用射频磁控溅射法,AZTO溅射功率为100W,氩氧比为98:2,溅射时间为1 5min,在硅衬底上制备了以AZTO为有源层,沟道宽度为1 0 um、20um、30 u m、40 u m的薄膜晶体管(ThinFilmTransi
2、stor,T F T)。并采用原子力显微镜(AFM)、X 射线衍射仪(XRD)、半导体参数仪和紫外可见分光光度计,分别对薄膜表面粗糙度、薄膜的体相结构、器件电学性能以及光透过率进行表征。结果表明:上述条件制备的AZTO薄膜成膜质量较好,随着沟道宽度的变窄,开态电流逐步增大,阈值电压逐渐负向偏移,电流开关比逐渐变大,器件的整体性能依然是逐渐提高的,在沟道宽度为1 0 um时,开态电流为,阅值电压为-7.8 432 V,电流开关比达到。关键词:薄膜晶体管;AZTO;沟道宽度Abstract:In this paper,the influence of channel aspect ratio on
3、 the electrical performance of the device is studied.Using RF magnetron sputtering method at room temperature,AZTO sputtering power is 100 W,argon-oxygen ratio is98:2,sputtering time is 15 min,and AZTO as active layer is prepared on silicon substrate.Thin Film Transistor(TFT)with channel widths of 1
4、0 um,20 um,30 um,40 um.Atomic force microscopy(AFM),X-ray diffractometer(XRD),semiconductor parameter analyzer and ultraviolet-visible spectrophotometer were used to characterize the surfaceroughness,bulk phase structure,electrical properties and light transmittance of the films.The results show tha
5、t:The filmforming quality of AZTO films prepared under the above conditions is good.With the narrowing of channel width,theon-state current gradually increases,the threshold voltage gradually shifts negatively,and the current switching ratiogradually increases.Therefore,the overall performance of th
6、e devices is gradually improved.When the channel width is10 um,the on-state current is,The threshold voltage is-7.843 2V,and the current switching ratio reaches.Key words:thin-film transistor;AZTO;channel width引言进入2 1 世纪以来,随着移动互联网的发展智能手机、电子手表和其他便携式电子设备大量的走进普通人的生活中,并且由于影视动漫等娱乐产业的快速发展,对显示设备的显示性能有了更高的要
7、求,例如需要设备拥有更高的刷新率,更快的动态响应能力等。薄膜晶体管作为显示面板的开关和驱动器件也需要有更好的电学性能。而传统硅基材料,如单晶硅和非晶硅(a-Si:H)发展至基金项目:吉林省科技计划项目,项目编号:2 0 2 2-KL-09;吉林省科技发展计划项目,项目编号:2 0 2 0 0 2 0 1 1 7 7 JC;吉林省科技厅,项目编号:YDZJ202301ZYTS489。98日用电器/ElectricalAppliances技术创新/日用电器今由于稳定性较差,载流子迁移率较低等问题,难以满足当下对器件性能日益提高的需求。以ICZO、IZO 等材料为有源层制备的薄膜晶体管具有相对优异的
8、电学性能,但其中如In和Ga等元素具有毒性,不仅对人体有一定危害,一旦被丢弃到自然界中会对土地与河流造成污染。其中的掺杂元素多为稀有元素,而我国相关稀有元素储量较少,因此研究发展相关材料的成本较高。而采用储量更丰富价格更低的元素,制备薄膜晶体管则能极大地降低规模化生产成本。由于Al和Ga的原子结构类似,最外层同样具有3个电子,并且A1与0 原子的结合能相对较高,有助于提高沉积的薄膜的质量。Al的掺入也可以极大的提高对ZTO薄膜中载流子浓度的控制作用,而Sn与In的质量相差无几,且半径接近具有较好的替代性。所以采用AZTO来代替IGZO作为薄膜晶体管的有源层,不仅能减少稀有元素的使用,同时还具有
9、较好的材料性能2。因此本文研究采用较低成本的有源层材料,在硅衬底上制备出不同沟道宽度的薄膜晶体管,并对薄膜晶体管进行了电学性能的测试和薄膜质量的表征,研究沟道尺寸对AZTO薄膜晶体管电学性能的影响。型号为PVD75)在室温下制备AZTO薄膜。其溅射功率为1 0 0 W,溅射时间为1 5min,氩氧比为9 8:2,溅射压强为8 mTorr。最后用丙酮、酒精、去离子水、重复上述清洗步骤对薄膜进行清洗。3)电极生长:在硅片上使用匀胶仪旋涂一层光刻胶,然后放入烘干箱内烘干,利用光刻机使源漏电极图形化,然后进行显影,随后将硅片放人EB420型电子束蒸镀设备中蒸镀电极,最后采用丙酮、酒精、去离子水同上述清
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 沟道 AZTO TFT 电学 性能 影响
1、咨信平台为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,收益归上传人(含作者)所有;本站仅是提供信息存储空间和展示预览,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿,我们不确定上传用户享有完全著作权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果侵犯了您的版权、权益或隐私,请联系我们,核实后会尽快下架及时删除,并可随时和客服了解处理情况,尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据,平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺,下载前须认真查看,确认无误后再购买,务必慎重购买;若有违法违纪将进行移交司法处理,若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传,付费前请自行鉴别,如您付费,意味着您已接受本站规则且自行承担风险,本站不进行额外附加服务,虚拟产品一经售出概不退款(未进行购买下载可退充值款),文档一经付费(服务费)、不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印,是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有水印标识(原文档上传前个别存留的除外),下载后原文更清晰;试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓;PPT和DOC文档可被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得,本站不作要求视为允许,下载前自行私信或留言给上传者【自信****多点】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用;网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽--等)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题,请及时私信或留言给本站上传会员【自信****多点】,需本站解决可联系【 微信客服】、【 QQ客服】,若有其他问题请点击或扫码反馈【 服务填表】;文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“【 版权申诉】”(推荐),意见反馈和侵权处理邮箱:1219186828@qq.com;也可以拔打客服电话:4008-655-100;投诉/维权电话:4009-655-100。