T∕ZZB 0648-2018 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片.pdf
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1、 ICS 29.045 H 82 ZZB 浙江制造团体标准 T/ZZB 06482018 200 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片 200 mm heavily phosphorus-doped single crystalline Czochralski silicon polished wafers 2018 - 10 - 19 发布 2018 - 11 - 01 实施 浙江省品牌建设联合会 发 布 目 次 前言 . II 1 范围 . 1 2 规范性引用文件 . 1 3 术语和定义 . 1 4 产品分类 . 1 5 基本要求 . 2 6 技术要求 . 2 7 试验方法 . 4 8 检验规则
2、. 4 9 包装、标志、运输和贮存 . 6 10 订货单(或合同)内容 . 7 11 质量承诺 . 7 前 言 本标准按照GB/T 1.12009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准由浙江省浙江制造品牌建设促进会提出并归口。 本标准由浙江省标准化研究院牵头组织制定。 本标准主要起草单位:浙江金瑞泓科技股份有限公司。 本标准参与起草单位:金瑞泓科技(衢州)有限公司。 本标准主要起草人:许峰、朱华英、陈平人、田达晰、梁兴勃、刘红方、李方虎、李艳玲。 本标准由浙江省标准化研究院负责解释。200 mm 重掺磷直拉硅单晶抛光片 1 范围
3、 本标准规定了200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片的术语和定义、产品分类、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输和贮存、订货单(或合同)内容和质量承诺。 本标准适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为200 mm的硅单晶抛光片。产品主要用于集成电路、分立器件用外延片的衬底。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日期的引用文件, 仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T
4、2828.12012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 4058 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法 GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 129632014 电子级多晶硅 GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片 GB/T 14140 硅片直径测量方法 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 19921 硅抛光片表面颗粒
5、测试方法 GB/T 24578 硅片表面金属沾污的全反射X光荧光光谱测试方法 GB/T 29507 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 GB/T 32279 硅片订货单格式输入规范 GB/T 32280 硅片翘曲度测试 自动非接触扫描法 YS/T 28 硅片包装 3 术语和定义 GB/T 14264界定的术语及定义适用于本文件。 4 产品分类 本产品为N型直拉硅单晶抛光片,按照晶向分为常用的、两种规格。 5 基本要求 5.1 应满足客户关注的要求,包括表面颗粒、硅片平整度、表面金属杂质等;筛选并确定关键制造过程工艺配方,包括直拉单晶硅工艺技术、CMP(化学机械抛光)工艺技术、化
6、学清洗工艺技术等。 5.2 原材料多晶硅应满足 GB/T 129632014 第 4.2 条中电子 2 级要求,具体指标见表 1。 表1 多晶硅主要性能要求 项目 指标要求 施主杂质浓度,10-9 0.25 受主杂质浓度,10-9 0.08 少数载流子寿命,s 1 000 碳浓度,atoms/cm3 1.01016 氧浓度,atoms/cm3 基体金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Na 总金属杂质含量:1.5 表面金属杂质浓度, 10-9 Fe、Cr、Ni、Cu、Zn、Al、K、Na 总金属杂质含量:10.5 5.3 应采用 DCS、PLC 等自动化控制系统,以及密闭化、
7、高效节能的生产设备和装置,最终检验生产车间为洁净车间,达到 0.1 m 颗粒十级以上标准。 5.4 应具备第 6 章技术要求中规定所有出厂检验项目的检测能力。 6 技术要求 6.1 物理性能参数 6.1.1 硅抛光片的导电类型、掺杂元素、电阻率及其径向变化应符合表 2 的规定,其他氧含量、碳含量的参数应符合 GB/T 12962 的规定。 表2 硅抛光片物理性能参数 项目 指标要求 导电类型 N 掺杂元素 P 电阻率,cm 0.0015 电阻率径向变化, % 10 6.1.2 硅抛光片的直径、 晶向、 参考面晶向、 主参考面和副参考面的位置、 切口尺寸均应符合 GB/T 12965的规定。 6
8、.2 几何参数 硅抛光片的几何参数应符合表3的规定,表3未包含参数或对表3中参数有其他要求时,由供需双方协商确定。 表3 硅抛光片几何参数 项目 指标要求 硅片直径,mm 200 直径允许偏差,mm 0.2 硅片厚度,中心点,m 725 厚度允许偏差,m 10 总厚度变化(TTV),m 3 弯曲度(WARP),m 40 60(背面为多晶加背封) 翘曲度(BOW),m 40 60(背面为多晶加背封) 总平整度(TIR),m 2 局部平整度(SFQR,边缘扩展,PUA100%),m (25 mm25 mm)0.25 6.3 氧化诱生缺陷 氧化诱生缺陷不大于50 个/cm2。 6.4 表面质量 硅抛
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