APG078N07K 70v mos管封装TO-252丝印G078N07K规格书_骊微电子.pdf
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1、APG078N07K N-Channel Shielding-Gate MosfetFeature 70V,80ARos ON)7.8m QVGs=10V TYP:6.7 m QAdvanced Trench Power MOSFETProvide Excellent Ros(ON)And Low Gate ChargeApplicati。nDC/DC ConverterLoad Switch for Portable DevicesBatteySwitchRectifierPackage Marking and Ordering lnformati。nDevice Marking G078N
2、07K Device I Device Package APG078N07K I T0-252 Reel Size 剑”。1WERDATA SHEET D Schematic diagram D xxxxx G078N07K G s Marking and pin assignment Tape width Quantity(PCS)2500 ABS。LUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25unless。therwise n。ted)Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage Vos 70 v Gate-Source Volta
3、ge VGs 20 v Continuous Drain Current(Ta=25)lo 80 A Continuous Drain Current(Ta=100)lo 56 A Pulsed Drain Currenr Va町th)Vos=V,田,lo=250A2 3 4 v Drain唱。urceon-resis恒neeCS Ros(an】V田10V,lo=30A 6.7 7.8 mo Forward tranconduc恒ncel3lQFS Vos=1 OV,lo=30A 60 s Dynamic charac幅rist比SInput Capaci恒n四。圄 1466 Output C
4、apacitance Q幽Vos=30V,Ves=OV,f=1MHz 770 pF Reverse T阳nsfer Capacitance G回 55 Swl伽hlng characteristics Tum-on delay回mefdcon)8.4 Tum-on rise time 1r Vos=15V,lo=3A,9.0 Tum-o怦delaytime tel(,而VGS=10V,RG=60 ns 23.6 Tum-o怦fall time t,18 Total Gate ChageQg 28 Gate-Source Charge Qgs VDS=50V,ID=12A,5.2 nC VGS=
5、10V Gate-Drain Charge 句d 6 s。urc:e-Drain Diode chara,曲时,ti四Diode Forward voltageC3l V田V田OV,ls=30A 1.2 v Diode Forward currentC4 Is 80 A N。rtes:1.Repetitive Rating:pulse width limited by maximum junction temperature2.EAS Condition:TJ=25,Voo叫OV,RG=20 o,L=0.5mH,IAS=25A3.Pulse Test:pulse widthS:300s,dut
6、y町cles:2%4.Sur如ce Mounted on FR4 Boa时,国10sec深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理商APG078N07K 剑”。1WERN-Channel Shielding-Gate MosfetDATA SHEET Test Circuit&Waveform Gate Charge Test Circuit&Waveform Vgs Qg 10V lgJL Charge Resistive Switching Test Circuit&Waveforms 民LVds Vds 90%土l10%Vg之Lnclamped Inductive Swi时ing(UIS)
7、Test Circuit&Waveforms Vds E翩 1/2 u:.,BVos!Id Vc!s 立l Id V9s工Diode Recovery Test Circuit&Wavefoms。布fldtiSd Vdd Typi臼t Electronic and Thermal Characteristics 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理商IIIP。1WERAPG078N07K N-Channel Shielding-Gate MosfetDATA SHEET 111tf tljf t f tlYr+3;二:;:;土;Y十45二t.川f+1户Fvf125 8;。11ttff 1t
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