电机常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐压600V 50A规格书参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 11 页 第 1 页 50A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGTP50V60FD2PU绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截止(Field Stop 5)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于光伏,UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。特点 50A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=50A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 TJmax=175C 123CGE123TO-247N-3L 命名规则 SGT P 50 V 60 F D 2
2、PU士兰IGBT系列电流规格,如:75表示75A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格,如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管(RC IGBT)封装形式,如PU:TO-247N-3L1,2,3:版本号空:标准二极管(Standard)M:标准二极管、全电流规格(Standard Full)R:快速二极管(Rapid)B:快速二极管、全电流规格(Rapid Full)S:超软二极管、全电流规格(Soft Ful
3、l)工业级L :超低速,推荐频率2KHzQ:低速,推荐频率220KS :标准,推荐频率540KF :高速,推荐频率1060KUF:超高速,推荐频率40K 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGTP50V60FD2PU TO-247N-3L P50V60FD2 无铅 料管 士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 11 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 瞬态栅极-射极电压(tp1
4、0s,D0.010)VGE 30 V 集电极电流 TC=25C IC 100 A TC=100C 50 集电极脉冲电流 ICM 150 A 二极管电流 TC=25 C IF 10 A TC=100 C 5 二极管脉冲电流 IFM 15 A 耗散功率(TC=25C)PD 273 W 工作结温范围 TJ-40+175 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 芯片对管壳热阻(IGBT)RJC-0.55 C/W 芯片对管壳热阻(FRD)RJC-3.5 C/W 芯片对环境热阻(IGBT)RJA-40 C/W 焊接温度(直插式)Tsold
5、 2015sec,1time-260 C 士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 11 页 第 3 页 IGBT 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V,IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V,VGE=0V-40 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V,VCE=0V-100 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250A,VCE=VGE 3.2 4.0 5.0 V 饱和压降 VCE(sat)IC=50A,
6、VGE=15V,TC=25C-1.65 2.3 V IC=50A,VGE=15V,TC=175C-2.0-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-3500-pF 输出电容 Coes-63-反向传输电容 Cres-12-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=50A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=25C-21-ns 开启上升时间 Tr-58-关断延迟时间 Td(off)-130-关断下降时间 Tf-42-导通损耗 Eon-1.55-mJ 关断损耗 Eoff-0.63-开关损耗 Est-2.18-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=
7、25A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=25C-16-ns 开启上升时间 Tr-27-关断延迟时间 Td(off)-135-关断下降时间 Tf-11-导通损耗 Eon-0.59-mJ 关断损耗 Eoff-0.21-开关损耗 Est-0.80-栅电荷 Qg VCE=480V,IC=50A,VGE=15V-131-nC 发射极栅电荷 Qge-29-集电极栅电荷 Qgc-33-FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=5A,TC=25C-1.4 2.0 V IF=5A,TC=175C-1.2-二极管反向
8、恢复时间 Trr IES=5A,dIES/dt=100A/s,VR=50V,TC=25C-39-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr-50-nC 二极管反向恢复电流 Irm-2.4-A 士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 11 页 第 4 页 IGBT 电性参数(TC=175C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=50A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=175C-21-ns 开启上升时间 Tr-57-关断延迟时间 Td(off)-161-关断下降
9、时间 Tf-38-导通损耗 Eon-1.63-mJ 关断损耗 Eoff-0.77-开关损耗 Est-2.40-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=25A Rg=10 VGE=15V 感性负载 TC=175C-17-ns 开启上升时间 Tr-26-关断延迟时间 Td(off)-182-关断下降时间 Tf-21-导通损耗 Eon-0.63-mJ 关断损耗 Eoff-0.36-开关损耗 Est-0.99-士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 11 页 第 5 页 典型特性曲线 VGE=7VVGE=9VVGE=11
10、VVGE=13VVGE=15VVGE=17V图1.典型输出特性图 3.典型饱和电压特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)图 4.传输特性图2.典型输出特性 集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 5.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图 6.饱和电压 vs.VGE00000003005101548121620共射极 TC=25 CIC=25A
11、IC=50AIC=100A05101548121620IC=25AIC=50AIC=100A共射极 TC=175 C50100150200250300246810共射极TC=25 C501001502002503000246810VGE=7VVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=15VVGE=17V共射极TC=175 C40801201602000123456共射极 VGE=15VTC=25 CTC=175 C5010015020025003691215TC=25 CTC=175 C共射极 VCE=10V 士兰微电子 SGTP50V60FD2PU 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司
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