DB65∕T 3485-2013 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法(新疆维吾尔自治区).pdf
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1、ICS 29.045 H 80 DB65 新疆维吾尔自治区地方标准DB65/T 3485一-2013太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法Minority carrier lifetime measurement methods for Solar-grade casting muti -crystalline brick 2013 -10 -20发布201312一01实施新疆维吾尔自治区质量技术监督局发布0865/T 3485-2013 目次前言. . . . . . . . . . . . . . . . II 1 范围. . . . . . . . . . . . . . . . . .
2、 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2 规范性引用文件. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3 术语和定义. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 4 方法提要.2 5 干扰因素.2 6 测量仪器.3
3、7 试样要求.4 8 仪器校准.5 9 测试程序.5 10 测试少数载流子寿命表达式.,. 5 11 测量系统精密度.6 12 试验报告.:. 6 I D865/T 3485-2013 目。吕本标准按照GB/T1. 1一2009(标准化工作导则第1部分:标准的结构和编写给出的规则编写。本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司提出。本标准由新疆维吾尔自治区机械电子工业行业管理办公室归口。本标准由特变电工新疆新能源股份有限公司、新疆维吾尔自治区标准化研究院负责起草。本标准主要起草人:许琴、咎武、熊金杰、丁宝林、哈丽旦艾比布拉、胡小明。本标准为首次发布。II DB65/T 3485-2013 太阳能级
4、多晶硅块少数载流子寿命测量方法1 范围本标准规定了太阳能级多晶硅块少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于太阳能级多晶硅块少数载流子寿命的微波光电导非接触在线测试。本标准也适用于单晶硅片、多晶硅片、单晶硅棒的少数载流子寿命测试。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单适用于本文件。GB/T 14264 半导体材料术语GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法GB/T 29054 太阳能级铸造多晶硅块3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1
5、 寿命I ifet ime 晶体中非平衡载流子由产生到复合存在的平均时间间隔,它等于非平衡少数载流子浓度衰减到起始值的1/e (e=2. 718)所需的时间,又称少数载流子寿命,体寿命。非平衡载流子寿命等于非平衡载流子护散长度的平方除扩散系数所得商,而扩散系数是设定的或有载流子迁移率测量确定的,寿命符号是,单位s。GB/T 14264一2009,定义3.140J 3.2 损伤damage 一种晶格缺陷,是一种不可逆转的形变,因室温下没有后续热处理时的表面机械加工引起,像切割,磨削,滚圆,喷砂,以及撞击造成。3.3 GB/T 142642009,定义3.53JGRR量具的重复性和复现性Gauge
6、 Repeatabi I ity and Reproducibi I ity 表示量测的重复性与再生性,国际上多个实验室所建立IOC-88的实验。GB/T 14264-2009,定义B.24Jl DB65/T 3485-2013 3.4 重复性Repeatabi I i ty 重复性是用本方法在正常和正确操作情况下,由同一操作人员,在同一实验室内,使用同一仪器,并在短期内,对相同试样所作多个单次测试结果,在95%概率水平两个独立测试结果的最大差值。3.5 再现性Reproduci b i I i ty 在改变了的测量条件下,对同一被测量的测量结果之间的一致性,称为测量结果的再现性。再现性又称为
7、复现性、重现性。3. 6 复合速率Recombinationvelocity 复合是载流子激发的逆过程,中性原子可以产生电子和空穴两种载流子,同样,空穴和电子可以在一定条件下复合,变回原子,虽电中性。复合速率,是电子和空穴发生复合的概率。4 方法提要4. 1 微波光电导衰减法本标准采用微波光电导衰减法(Microwavephotoconductivi ty decay)测试硅块中的少数载流子寿命。主要包括激光注入产生电子一空穴对和微波探测信号的变化两个过程。波长904nm的激光注入(对于硅,注入深度约30um)产生电子一空穴对,导致样品电导率增加。当撤去外界光注入时,电导率随时间里指数衰减,这
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