STGW30M65DF2代料SGT30T60SDM1P7新能源电机igbt管600V、30A参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 8 页 第 1 页 30A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT30T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于 UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。特点 30A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=30A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 CGE123TO-247-3L 命名规则 SGT 30 T 60 S D M 1 P7士兰IGBT系列电流规格,如
2、:70表示70A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格,如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管(RC IGBT)封装形式,如P7:TO-247-3LF:TO-220F-3L等1,2,3:版本号空:标准二极管(Standard)M:标准二极管、全电流规格(Standard Full)R:快速二极管(Rapid)B:快速二极管、全电流规格(Rapid Full)S:超软二极管、全电流规格(Soft Full)L
3、:超低速,推荐频率2KHzQ:低速,推荐频率220KHzS :标准,推荐频率540KHzF :高速,推荐频率1060KHzUF:超高速,推荐频率40KHz 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGT30T60SDM1P7 TO-247-3L 30T60SDM1 无铅 料管 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 8 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C I
4、C 60 A TC=100C 30 集电极脉冲电流 ICM 90 A 二极管电流 TC=25C IF 60 A TC=100C 30 短路维持时间(VGE=15V,VCC=300V)Tsc 10 s 耗散功率(TC=25C)PD 230 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻(IGBT)RJC 0.54 C/W 芯片对管壳热阻(FRD)RJC 1.2 C/W 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 8 页 第 3 页 IGBT
5、 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V,IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V,VGE=0V-200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V,VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250A,VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE(sat)IC=30A,VGE=15V,TC=25C-1.65-V IC=30A,VGE=15V,TC=125C-1.9-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-1650-pF
6、输出电容 Coes-130-反向传输电容 Cres-35-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=30A Rg=10 VGE=15V 感性负载-30-ns 开启上升时间 Tr-105-关断延迟时间 Td(off)-67-关断下降时间 Tf-100-导通损耗 Eon-1.85-mJ 关断损耗 Eoff-0.45-开关损耗 Est-2.3-栅电荷 Qg VCE=400V,IC=30A,VGE=15V-76-nC 发射极栅电荷 Qge-20-集电极栅电荷 Qgc-38-FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM
7、IF=30A,TC=25C-1.8-V IF=30A,TC=125C-1.5-二极管反向恢复时间 Trr IEC=30A,dIEC/dt=200A/s-40-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IEC=30A,dIEC/dt=200A/s-90-nC 士兰微电子 SGT30T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.5 http:/ 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.典型输出特性图3.典型饱和压降特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)图4
8、.传输特性图2.典型输出特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图5.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图6.饱和电压 vs.VGE0208002364010304共射极TC=25 C0206001244010303TC=25 CTC=125 C共射极VGE=15V020500154010105TC=125 CTC=25 C共发射极VCE=10V05154812201016共射极TC=25 C60A30AIC=15AVGE=9VVGE=11VVGE=13VVGE=1
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