600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F参数_骊微电子.pdf
《600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F参数_骊微电子.pdf》由会员分享,可在线阅读,更多相关《600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F参数_骊微电子.pdf(9页珍藏版)》请在咨信网上搜索。
1、士兰微电子 SGT30T60SD1F说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 1 页 30A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT30T60SD1F 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop III)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于 UPS,SMPS,电动工具以及 PFC 等领域。特点 30A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.65VIC=30A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 CGE123TO-220F-3L123TO-220FD-3L123 命名规则 SGT 30 T 60 S D 1
2、F士兰IGBT系列电流规格,如:70表示70A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格,如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管(RC IGBT)封装形式,如F:TO-220F-3L1,2,3:版本号空:标准二极管(Standard)M:标准二极管、全电流规格(Standard Full)R:快速二极管(Rapid)B:快速二极管、全电流规格(Rapid Full)S:超软二极管、全电流规格(Soft Full)
3、L :超低速,推荐频率2KHzQ:低速,推荐频率220KHzS :标准,推荐频率540KHzF :高速,推荐频率1060KHzUF:超高速,推荐频率40KHz 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT30T60SD1F TO-220F-3L 30T60SD1F 无铅 料管 SGT30T60SD1FD TO-220FD-3L 30T60SD1FD 无铅 料管 士兰微电子 SGT30T60SD1F说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 符 号 参数范围 单位 集电极-射极
4、电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 60 A TC=100C 30 集电极脉冲电流 ICM 90 A 二极管电流 TC=100C IF 15 A 耗散功率(TC=25C)PD 230 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性 参 数 符 号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻(IGBT)RJC 2.3 C/W 芯片对管壳热阻(FRD)RJC 2.6 C/W 士兰微电子 SGT30T60SD1F说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 3 页 IGBT
5、电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V,IC=250uA 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V,VGE=0V-200 uA 栅射漏电流 IGES VGE=20V,VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250uA,VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE(sat)IC=30A,VGE=15V,TC=25C-1.65 V IC=30A,VGE=15V,TC=125C-1.9-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-1650
6、-pF 输出电容 Coes-130-反向传输电容 Cres-35-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=30A Rg=10 VGE=15V 感性负载-30-ns 开启上升时间 Tr-105-关断延迟时间 Td(off)-67-关断下降时间 Tf-100-导通损耗 Eon-1.85-mJ 关断损耗 Eoff-0.45-开关损耗 Est-2.3-栅电荷 Qg VCE=400V,IC=30A,VGE=15V-76-nC 发射极栅电荷 Qge-20-集电极栅电荷 Qgc-38-FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压
7、降 VFM IF=15A,TC=25C-1.8-V IF=15A,TC=125C-1.5-二极管反向恢复时间 Trr IEC=15A,dIEC/dt=200A/s-28-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IEC=15A,dIEC/dt=200A/s-47-nC 士兰微电子 SGT30T60SD1F说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图1.典型输出特性集电极电流 IC(A)020800236集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)图3.典型饱和压降特性4010304共射极TC=25
8、C图2.典型输出特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)0206001244010303TC=25 CTC=125 C共射极VGE=15V集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V)图4.传输特性020500154010105TC=125 CTC=25 C共发射极VCE=10V图5.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)0515481220栅极-发射极电压 VGE(V)1016共射极TC=25 C60A30AIC=15A图6.饱和电压 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)VGE=9VVGE=11VVGE=13VVG
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- 600v 30a igbt模块直流充电机SGT30T60SD1FD代换IGP15T60F参数_骊微电子 30 igbt 模块 直流 充电机 sgt30t60sd1fd 代换 igp15t60f 参数 微电子
1、咨信平台为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,收益归上传人(含作者)所有;本站仅是提供信息存储空间和展示预览,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿,我们不确定上传用户享有完全著作权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果侵犯了您的版权、权益或隐私,请联系我们,核实后会尽快下架及时删除,并可随时和客服了解处理情况,尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据,平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺,下载前须认真查看,确认无误后再购买,务必慎重购买;若有违法违纪将进行移交司法处理,若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传,付费前请自行鉴别,如您付费,意味着您已接受本站规则且自行承担风险,本站不进行额外附加服务,虚拟产品一经售出概不退款(未进行购买下载可退充值款),文档一经付费(服务费)、不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印,是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有水印标识(原文档上传前个别存留的除外),下载后原文更清晰;试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓;PPT和DOC文档可被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得,本站不作要求视为允许,下载前自行私信或留言给上传者【深圳****子科...】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用;网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽--等)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题,请及时私信或留言给本站上传会员【深圳****子科...】,需本站解决可联系【 微信客服】、【 QQ客服】,若有其他问题请点击或扫码反馈【 服务填表】;文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“【 版权申诉】”(推荐),意见反馈和侵权处理邮箱:1219186828@qq.com;也可以拔打客服电话:4008-655-100;投诉/维权电话:4009-655-100。
链接地址:https://www.zixin.com.cn/doc/236742.html