DB31∕ 792-2020 硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额(上海市).pdf
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1、ICS 27.010 F 01 BEB王1上海市士也方标准;DB31/792=2020 代替DB31/792-2014 硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额The norm of energy consumption per unit products for monocrystalline silicon and silicon wafer 2020-03-05发布2020-06-01实施孔rfu也上海市市场监督管理局发布前言本标准4.2和4.3是强制性的,其余为推荐性的。本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。DB3l/792-2020 本标准代替DB31/792-2014(硅单晶
2、及其硅片单位产品能源消耗限额),与DB31/792-2014相比,除编辑性修改外,主要技术变化如下:一一修改了英文名称F一一修改了适用范围,取消了太阳能级硅单晶及其硅片的要求(见第1章和2014年版的第1章);一一调整了规范性引用文件,删除了GB/T3484,增加了GB/T12962、GB/T12964、GB/T12965、GB/T 14139(见第2章和2014年版的第2章);一一修改了第3章,调整了术语和定义,增加了硅单晶、研磨片、抛光片、外延片等产品定义(见第3章和2014年版的第3章),一一修改了第4章,删除了太阳能级硅产品的能糙要求,细分了产品,重新规定了硅单晶及硅片单位产品能源消艳
3、限额的限定值、准人值、先进值(见4.2、4.3、4.4和2014年版的4.1、4.2、4.3);一-修改第5章为统计范围及计算方法,增加了5.1统计范围,删除了计算原则见2014年版的5.口,并对计算方法做了修改、精简z一一修改第6章为节能降趋导向(见第6章和2014年版的第6章h一一增加了附录A。本标准由上海市发展和改革委员会、上海市经济和信息化委员会共同提出,由上海市经济和信息化委员会组织实施。本标准由上海市能源标准化技术委员会归口。本标准起草单位z上海有色金属行业协会、上海市有色金属标准化技术委员会、上海合晶硅材料有限公司、上海晶盟硅材料有限公司、上海新傲科技股份有限公司、上海晶哲电子材
4、料有限公司。本标准主要起草人z陈建纲、韩建超、高璇、马志辉、张向东、杨文杰、唐宗平。本标准所代替标准的历次版本发布情况为z一一-DB31/792-20140 I DB31/792一2020硅单晶及其硅片单位产晶能源消耗限额1 范围本标准规定了硅单晶及硅单晶片单位产品能源消艳限额的技术要求、统计范围、计算方法及节能降耗导向。本标准适用于半导体级硅单晶和硅单晶片,包括研磨片、抛光片、外延片(以下统称硅片)生产企业产品能源单耗的计算、考核以及对新建项目能源单耗的控制。2 规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其最
5、新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T 2589 综合能耗计算通则GB/T 12962硅单晶GB/T 12964 硅单晶抛光片GB/T 12965 硅单晶切割片和研磨片GB/T 14139 硅外延片GB 17167 用能单位能源计量器具配备和管理通则3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3.1 可比硅片产量comparable silicon wafer yield 企业生产的不同直径的合格硅片实际产量,按硅片表面积折算系数折算后的产量。3.2 硅单晶monocrystalline silicon 高纯度的多晶硅在单晶炉内用直拉法生长的单晶硅棒材,是制造硅器件的原料。3.3 硅单
6、晶研磨片monocrystalline silicon lapped wafer 硅单晶切割片经研磨工艺加工硅单晶研磨片,是用于制造半导体分立器件的直接原材料,也是制造硅抛光片的中间产品。3.4 硅单晶抛光片monocrystalline silicon polished wafer 硅单晶研磨片经抛光加工成的表面高平坦度的硅单晶抛光片,作为硅单晶外延片的衬底,也用于制作集成电路、分立器件、功率器件等。3.5 硅单晶外延片monocrystalline silicon epitaxial wafer 在硅单晶抛光片上生长一层或多层硅单晶薄膜(外延层)后制成硅单晶外延片,是制作半导体器件DB31
7、/792-2020 和集成电路的重要基础材料。4 技术要求4.1 总则硅单晶、硅单晶研磨片、硅单晶抛光片、硅单晶外延片生产企业或新建项目的产品单位产品能耗限额应分别符合表1、表2、表3的要求。其生产工序流程分别如下z一一硅单晶生产工序z从原料(多晶硅)放入石英蜻塌内熔化开始到产出合格硅单晶棒)止的生产过程,包括配料(含辅料)、拉晶、整形(切断、开方、攘磨、参考面加工等);一一硅单晶研磨片生产工序z从硅单晶棒切割开始到产出合格研磨片为止的生产过程,包括切片、研磨、腐蚀、包装等z一一硅单晶抛光片生产工序:从硅单晶棒切割开始到产出合格抛光片并进入成晶库为止的生产过程,包括单晶棒切片、研磨、腐蚀、抛光
8、、包装等;一一硅单晶外延片生产工序z从硅单晶片放入外延炉长晶开始到产出合格外延片并进入成品库为止的生产过程,包括外延生氏、清洗、包装等。4.2 现有生产企业单位产品能源消耗限定值现有生产企业单位产品综合能源消梧限定值应符合表1的要求。表1单位产品能源消辑限定值综合能耗限定值分类标准规格产品代号tce/t kgce/k 电-十一一一硅单晶直径150mm 主运18硅单晶研磨片直径150mm 军二400卜硅单晶抛光片直径150mm 2:;1 500 硅t葬品外延片直径150mm.外延层厚度:;50m3 王三2250 严卢牛一法1:硅单晶符合GB/T12962的要求。注2:硅单晶研磨片符合GB/T12
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