SJ 21536-2018 微波功率器件及集成电路用砷化镓外延片规范[电子].pdf
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1、中华人民共和国电子行业标准FL 6134 SJ 21536-2018 微波功率器件及集成电路用刑化嫁外延片规范Specification of gaHiuln arsenide epitaxial wafer for microwave power devices and nlonoHthic micro,vave interated circuits 2018-12-29发布2019-03一01实施国家国防科技工业局发布SJ 21536-2018 目IJ1=1 本规范的附录A为规范性附录。本规范由中国电子科技集团有限公司提出o本规范由工业和信息化部电子第四研究院归口。本规范起草单位:巾国电子
2、科技集团公司第4十丘研究所。本规范主要起草人:高汉超、吴维FSJ 21536-2018 微波功率器件及集成电路用呻化嫁外延片规范1 范围本规范规定了微波功率器件及集成电路用肺化嫁外延片(以下简称肺化嫁外延片)的技术要求、质量保证规定、交货准备等内容。本规范适用于耐化嫁微波功率器件和肺化嫁微波单片集成电路仙也lIC)用肿化镣外延片,其他肺化嫁外延片可参照使用。一一-一2 规范性引用文件下列文件中的修改单(不包含是否可使用GBiT 3 要求3.1 总则硝化嫁外延片应符按本规范提交的产品3.2 设计、结构和工艺要求3.2.1 结构与设计文件,其随后所有的成协议的各方研究。除另有规定外,碑化嫁外延片的
3、类型主要包含:展配高电子迁移率晶体管外延片(PHEMT)、高电子迁移率晶体管外延片(HEMT)、金属半导体场效应晶体管外延片(孔伍SFET)、异质结双极晶体管外延片(HBT)、肖特基势垒二极管外延片(SBD)、PIN型材料:刑化嫁外延片应生长缓冲层。3.2.2 衬底刑化嫁外延片应采用半绝缘碑化嫁抛光片为衬底,衬底应符合GJB5345的规定。3.2.3 工艺石申化嫁外延片应采用分子束外延(孔在BE)技术或者金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长。SJ 21536一20183.2.4规格碑化嫁外延片按直径分为76.2mm、100.0mm和150.0mmo 3.3 表面质量石申化鲸外延片表面质量
4、应符合表1的规定。表1耐化嫁外延片表面质量序号检验项目划伤2 崩边3 雾4 桔皮5 沾污a要求无无无无无外延层厚度1m三三30个每平方厘米,颗粒直径=二主0.8m6 表面颗粒lm三三外延层厚度运3m主三50个每平方厘米,颗粒直径:二三0.811m 密度b3m外延层厚度三三5m主三60个每平方厘米.颗粒直径:三主0.8m 占污包括色斑、手套印记、污迹和溶剂残留物。b表面颗粒包括符合GB/T14264的表面缺陷、污物、小坑、多晶区、粘附的污物、突起、4、丘等:外延层厚度超过5m的表面颗粒密度由供需双方商定。3.4 几何参数石化嫁外延片的几何参数应符合表2的规定。表2石申化镇外延片几可参数要求检验项
5、目直径76.2mm 直径100.0mm 直径150.0mm 翘由度(WARP)8m 三三8m 运10m 弯曲度CBOW)(绝对值)8m 主三8m 运10m总厚度变化(TTV)8m 三三8m运10m局部厚度变化(LTV)3m 主三3m 运3m3.5 性能参数肺化镜外延片的材料性能参数应符合表3的规定。表3碑化鲸外延片的材料性能参数方块电阻均值方块电阻有源区载流子耐化嫁外与设计值偏差(绝对值的相对标浓度与设计值有源区载流子延片类型k500 QJ口准偏差偏差(绝对值)迁移率PI王EMTHEMT h伍SFET运10%芝三5%三三5%主2%主15%二三5000cm2Ns SBD HBT Pll、J R,
6、为方块电阻设计值,单位为欧姆CQ/口)。2 SJ 21536-2018 4 质量保证规定4.1 检验分类本规范规定的检验分类如下:a)筛选(见4.3);b)鉴定检验(见4.4);c)质量一致性检验(见4.5)0 4.2 检验条件除另有规定外,应在下列条件下进行检验:a)温度20o C 28 oC;b)相对湿度20%80%;c)大气压力86kPa d)测试环境应无影4.3 筛选在鉴定检验和3 序号抽样匀一句3-A叶100%4.4 4.4.1 通则鉴定检验应在设备和工艺生产的产4.4.2 样本数量从同一个生产流程中生产4.4.3 检验程序币申化嫁外延片鉴定检验的项目、受试样品数量及允许不合格数应按
7、表5的规定。应为生产中通常使用的,应重新进行鉴定检验。3 SJ 21536-2018 表5鉴定检验分组检验项目要求检验方法章条号受试样品数量允许不合格品数章条号(片)(片)划伤崩边雾4.6.2 3.3 桔皮1占污表面颗粒密度4.6.3 1组4。翘曲度Cw,成p)4.6.4 弯曲度CBOW)C绝对值)4.6.5 3.4 总厚度变化CTIV)4.6.6 局部厚度变化CLTV)方块电阻相对标准偏差4.6.7 3.5 方块电阻均值与设计值偏差(绝对值)4.6.8 有源区载流子浓度4.6.10 2组有源区载流子浓度与设计值偏差(绝对值3.5 O 有源区载流子迁移率4.6.9 n经l组检验合格样品中随机抽
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