sd6835芯片参数-sd6835规格书-sd6835应用方案_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SD6835 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.6 2012.12.27 Http:/ 共8页 第1页 产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 材料 包装 SD6835 DIP-8-300-2.54 SD6835 无铅 料管 内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器系列 描述 SD6835是用于开关电源的内置高压MOSFET外置采样电阻的电流模式PWM+PFM控制器系列产品。 该电路待机功耗低,启动电流低。在待机模式下,电路进入打嗝模式,从而有效地降低电路的待机功耗。 电路的开关中心频率为2567KHz,随负载而定。抖动的开关频率,可以获得较低的EMI。
2、内置峰值电流补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限峰值电流一致。内置极限输出功率补偿电路,可以使不同交流电压输入时极限输出功率平衡。内置斜坡补偿电路,以适应更宽变压器应用。上电时,峰值电流补偿最大,然后逐渐达到平衡,可以减小在上电过程中变压器的应力,防止变压器饱和。还可以通过CS端电阻调节极限峰值电流。 电路内部集成了各种异常状态保护功能。包括欠压锁定,过压保护,过载保护,脉冲前沿消隐和温度保护功能。在电路发生保护以后,电路可以不断自动重启,直到系统正常为止。 主要特点 能源之星2.0标准 低启动电流 随负载而变的开关频率可以提高效率 抖动的开关频率可以降低EMI 过压、过载、过温保护 外置峰
3、值电流采样电阻 极限输出功率补偿 斜坡补偿 欠压锁定 内部集成高压MOSFET 自动重启 峰值电流补偿电路 初始化峰值电流最大补偿,实现软启动功能 打嗝模式 逐周期限流 应用 开关电源 士兰微电子 SD6835 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.6 2012.12.27 Http:/ 共8页 第2页 典型输出功率能力 产品 190265V 85265V 适配器 开放式 适配器 开放式 SD6835 22W 26W 20W 24W 内部框图 极限参数 参 数 符 号 参 数 范 围 单 位 漏栅电压(RGS=1M) VDGR 650 V 栅源(地)电压 VGS 30 V 漏端电流脉
4、冲注1 IDM 20 A 漏端连续电流(Tamb=25C) ID 7.0 A 信号脉冲雪崩能量注2 EAS 350 mJ 供电电压 VCC,MAX 28 V 反馈输入端电压 VFB -0.37 V 峰值电流采样端电压 VCS -0.32 V 容许功耗 PD 6.3 W 环境热阻 ja 77 C/W 表面热阻 jc 20 C/W 工作结温 TJ +150 C 工作温度范围 TORG -25+85 C 贮存温度范围 TSTG -55+150 C 注:注:1. 脉冲宽度由最大结温决定; 2. L=51mH, TJ=25C(起始)。 SRQ FBDrain比较器8.5V16.5VVCC+ -+ -CS
5、FB734降频模式控制电路振荡器频率抖动内部偏置电平线性转换过压、过流、过载、过温保护打嗝模式控制前沿消隐控制驱动峰值电流补偿电路681GND2极限输出功率补偿电路斜坡电压斜坡补偿电路斜坡电压CS 士兰微电子 SD6835 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.6 2012.12.27 Http:/ 共8页 第3页 电气参数(感应 MOSFET 部分,除非特殊说明, Tamb=25C) 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=50A 650 - - V 零栅压漏端电流 IDSS VDS=650V,VGS=0V - -
6、 50 A VDS=480V,VGS=0V Tamb=125C - - 200 A 静态漏源导通电阻 RDS(ON) VGS=10V,ID=3A 1.1 1.6 2.1 输入电容 CISS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 520 700 950 pF 输出电容 COSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 50 86 120 pF 反向传输电容 CRSS VGS=0V,VDS=25V,f=1MHz 1.8 3.5 6.5 pF 导通延迟时间 TD(ON) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 13 20 26 ns 上升时间 TR VDD=0.5BVDSS ,ID=2
7、5mA 37 51 68 ns 关断延迟时间 TD(OFF) VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 26 37 50 ns 下降时间 TF VDD=0.5BVDSS ,ID=25mA 21 32 44 ns 电气参数(除非特殊说明,VCC=12V,Tamb=25C) 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 欠压部分 上电启动电压 VSTART 15 16.5 17.5 V 关断电压 VSTOP 7.5 8.5 9.5 V 振荡部分 振荡频率最大值 fOSCMAX VFB=3V 61 67 73 KHz 振荡频率最小值 fOSCMIN VBURLVFBVBURH 20
8、 25 30 KHz 振荡频率抖动最大值 fMOD 振荡频率最大 1.5 2.5 3.5 KHz 振荡频率随温度的变化率 - 25CTamb+85C - - 10 % 最大占空比 DMAX 72 77 82 % 反馈部分 反馈源电流最大值 IFBMAX VFB=0V 0.25 0.35 0.45 mA 反馈关断电压(过载保护) VSD 3.8 4.3 4.8 V 反馈关断延迟时间 TSD FB 从 0V 瞬间上升至 5V 30 40 50 ms 关断延迟电流 IDELAY VFB=5V 3 6 9 A CS部分 CS最大值 VCSMAX 0.7 0.9 1.1 V 限流部分 峰值电流 IOVE
9、R 最大电感电流 2.0 2.2 2.4 A 打嗝模式控制 打嗝模式高电平 VBURH FB 电压 0.40 0.50 0.60 V 打嗝模式低电平 VBURL FB 电压 0.25 0.35 0.45 V 士兰微电子 SD6835 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:0.6 2012.12.27 Http:/ 共8页 第4页 参 数 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 保护部分 过压保护 VOVP VCC电压 23 24.5 26 V 过温保护 TOTP 125 150 - C 前沿消隐时间 TLEB 200 350 500 ns 总待机电流部分 启动电流 ISTA
10、RT VCC从 0V 上升至 14V - - 20 A 静态电流 ISTATIC VCC=12V,VFB=0V 1.0 1.5 2.0 mA 工作电流 IOP VCC=12V,VFB=3V 1.2 2.2 3.2 mA 管脚排列图 GNDVCCFBDrainDrainDrainNC12348765SD6835CS 注:注:建议用户使用时将5脚与Drain端接在一起,可以更好地辅助散热。 管脚说明 管脚号 管脚名称 I/O 功 能 描 述 1 GND I 地 2 CS I 峰值电流采样端 3 VCC I 正电源输入端 4 FB I/O 反馈输入端 5 NC - 空脚 6、7、8 Drain O
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