16A超结MOS管SVS14N65FJD2规格书参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVS14N65FJ(F)(T)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 1 页 14A, 650V 超结 MOS功率管 描述 SVS14N65FJ/F/TD2 N沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外, SVS14N65FJ/F/TD2 应用广泛。 如, 适用于硬/软开关拓扑。 特点 14A,650V, RDS(on)(典型值)=0.26VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力
2、高电流峰值 1231.栅极 2.漏极 3.源极231TO-220F-3L123TO-220FJ-3LTO-220-3L123 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS14N65FJD2 TO-220FJ-3L 14N65FJD2 无卤 料管 SVS14N65FD2 TO-220F-3L 14N65FD2 无卤 料管 SVS14N65TD2 TO-220-3L 14N65TD2 无卤 料管 士兰微电子 SVS14N65FJ(F)(T)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C
3、) 参数 符号 参数值 单位 SVS14N65FJD2/FD2 SVS14N65TD2 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 14 A TC=100 C 8.8 漏极脉冲电流 IDM 56 A 耗散功率(TC=25C) -大于25C每摄氏度减少 PD 35.7 139 W 0.29 1.1 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 593 mJ 反向二极管 dv/dt(注 2) dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55
4、+150 C 热阻特性 参数 符号 参数值 单位 SVS14N65FJD2/FD2 SVS14N65TD2 芯片对管壳热阻 RJC 3.50 0.9 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 62.5 C/W 士兰微电子 SVS14N65FJ(F)(T)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 650 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1.0 A
5、栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=7.0A - 0.26 0.31 栅电阻 Rg f=1MHz - 2.7 - 输入电容 Ciss VDS=100V, VGS=0V, f=1.0MHz - 802 - pF 输出电容 Coss - 45 - 反向传输电容 Crss - 2.5 - 开启延迟时间 td(on) VDD=325V, VGS=10V, RG=24, ID=14A (注 4,5) - 13 - n
6、s 开启上升时间 tr - 37 - 关断延迟时间 td(off) - 59 - 关断下降时间 tf - 32 - 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=14A (注 4,5) - 24 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 6.5 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 11 - 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 14 A 源极脉冲电流 ISM - - 56 二极管压降 VSD IS=14A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50
7、V, IF=14A, dIF/dt=100A/s (注 4) - 367 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 4.7 - C 注:注: 1. L=79mH,IAS=3.6A,VDD=100V,RG=25,开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=14A,TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVS14N65FJ(F)(T)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 ID(
8、A)01035051020漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)046810栅源电压 VGS(V)200020漏源导通电阻 RDS(ON)(m)漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流0.20.40.61.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度3500.11000.11000.81.0110320注:1.250S 脉冲测试2.TC=25 C20图5. 电容特性图6. 电荷量特性29010515注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V注:TC=25 C漏源电压 VDS(V)电容(pF)栅源电压 VGS(V)总栅极电荷
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