30v耐压的p 型mos管SVT03380PSA规格书参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVT03380PSA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 1 页 -6.5A、-30V P沟道增强型场效应管 描述 SVT03380PSA P 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管采用士兰的 LVMOS 工艺技术制造。 先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。 特点 -6.5A,-30V,RDS(on)(典型值)=30mVGS=-10V 低栅极电荷 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 100%雪崩测试 无铅管脚镀
2、层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS -30 V VGS(th) -1.5-2.5 V RDS(on),max 38 m ID -6.5 A Qg.typ 15 nC SOP-8-225-1.27 4. 栅极 1、2、3. 源极5、6;7、8. 漏极47 85 631 2 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVT03380PSATR SOP-8-225-1.27 03380PSA 无卤 编带 士兰微电子 SVT03380PSA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 2 页 极限参数(除
3、非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - -30 - - V 栅源电压 VGS - -20 - 20 V 漏极电流 ID TC=25C - - -6.5 A TC=100C - - -4.2 A 漏极脉冲电流(注 1) IDM TC=25C - - -26 A 耗散功率(注 2) PD TC=25C - - 2.8 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=0.1mH,VDD=-24V,RG=25, 开始温度Tj=25C - - 45 mJ 单脉冲电流 IAS - - - -30 A 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存
4、温度范围 Tstg - -55 - 150 C 热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - - 45 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 85 C/W 焊接温度(SMD) Tsold 回流焊:101sec,3times 波峰焊:20-10sec,1time - - 260 C 士兰微电子 SVT03380PSA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,Tj=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源
5、击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=-250A -30 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=-30V,VGS=0V,TJ=25C - - -1.0 A VDS=-30V,VGS=0V,TJ=125C - -0.3 -10 栅源漏电流 IGSS VGS= 20V,VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=-250A -1.5 - -2.5 V 导通电阻 RDS(on) VGS=-10V,ID=-6.5A - 30 38 m VGS=-4.5V,ID=-5.0A 45.8 56.9 栅极电阻 Rg f=1MHz - 26 - 动态参数动态参
6、数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=-15V - 757 - pF 输出电容 Coss - 104 - 反向传输电容 Crss - 82 - 开启延迟时间 td(on) VDD=-20V,VGS=-10V, RG=3.0,ID=-6.5A (注 3, 4) - 3.4 - ns 开启上升时间 tr - 42 - 关断延迟时间 td(off) - 40 - 关断下降时间 tf - 47 - 栅极电荷量 Qg VDD=-15V,VGS=-10V,ID=-6.5A (注 3,4) - 15 - nC 栅极-源极电荷量
7、 Qgs - 4.2 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 2.6 - 栅极-平台电压 Vplateau - 4.4 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续二极管正向电流 IS TC=25C ,MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - -6.5 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - -26 源-漏二极管压降 VSD IS=-1.0A,VGS=0V - - -1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=-6.5A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 3) - 10 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 4.5
8、 - nC 注:注: 1. 脉冲时间5s; 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少0.02W/C; 3. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVT03380PSA 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 8 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性漏极电流 - -ID (A)漏源电压 - -VDS(V)图 2. 传输特性栅源电压 - -VGS (V)漏极电流 - -ID (A)漏极电流 - -ID (A)漏源导通电阻 - RDSON (m)图 3. 导通电
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