SVS11N65DD2 超结MOS管国产650V11A_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVS11N65D/F/S/FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 8 页 第 1 页 11A, 650V 超结 MOS功率管 描述 SVS11N65D/F/S/FJD2 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVS11N65D/F/S/FJD2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 11A,650V, RDS(on)(典型值)=0.33VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能
2、力 高电流峰值 1.栅极 2.漏极 3.源极TO-252-2L13TO-220F-3L132TO-263-2L13TO-220FJ-3L132231 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS11N65DD2TR TO-252-2L 11N65DD2 无卤 编带 SVS11N65FD2 TO-220F-3L 11N65FD2 无卤 料管 SVS11N65SD2 TO-263-2L 11N65SD2 无卤 料管 SVS11N65SD2TR TO-263-2L 11N65SD2 无卤 编带 SVS11N65FJD2 TO-220FJ-3L 11N65FJD2 无卤 料管
3、 极限参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数 符号 参数范围 单位 SVS11N65DD2 SVS11N65F/FJD2 SVS11N65SD2 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 11 A TC=100 C 7 漏极脉冲电流 IDM 44 A 耗散功率(TC=25C) 大于25C每摄氏度减少 PD 87 35 92 W 0.70 0.28 0.74 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 250 mJ 反向二极管 dv/dt(注 2) dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作
4、结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 士兰微电子 SVS11N65D/F/S/FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.6 http: / 共 8 页 第 2 页 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 SVS11N65DD2 SVS11N65F/FJD2 SVS11N65SD2 芯片对管壳热阻 RJC 1.44 3.57 1.36 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.0 62.5 62.50 C/W 电气参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,
5、ID=250A 650 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V, VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS, ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V, ID=5.5A - 0.33 0.4 栅电阻 Rg f=1MHz - 5.2 - 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V, VDS=100V - 632 - pF 输出电容 Coss - 37 - 反向传输电容 Crss - 2.3 - 开启延迟时间 td(o
6、n) VDD=325V,VGS=10V, RG=24, ID=11A (注 4,5) - 12 - ns 开启上升时间 tr - 35 - 关断延迟时间 td(off) - 64 - 关断下降时间 tf - 31 - 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=11A (注 4,5) - 23 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 5.3 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 11 - 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、 漏极构成的反偏 P-N结 - - 11 A 源极脉冲电流 ISM - - 44
7、二极管压降 VSD IS=11A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=11A,VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 4) - 361 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 3.9 - C 注:注: 1. L=79mH,IAS=2.4A,VDD=100V, RG=25, 开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=11A, TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试: 脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVS11N65D/F/S/FJD2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.
8、6 http: / 共 8 页 第 3 页 典型特性曲线 图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 ID(A)0.111000.1110100漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)246810栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)()漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流0.20.40.61.41.2反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度0.111000.11000.81.0-55 C25 C150 C110-55 C25 C150 C注:1.250S脉冲测试2.VDS=50V10VGS=4.5VVGS=5VV
9、GS=5.5VVGS=6V注:1.250S 脉冲测试2.TC=25 CVGS=7VVGS=8VVGS=10V10图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(pF)漏源电压 VDS(V)总栅极电荷 Qg(nC)VGS=15V注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V0.3002120.400.320.38VGS=10VVGS=20V40.340.368610注: TJ=25 C0100300600栅-源电压 VGS(V)0051030VDS=520VVDS=325VVDS=130V10-1104246810122515101注: ID=11.0A10210320注: 1. VGS=0V2. f=1MH
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