MOS习题解答.ppt

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第三部分,MOS,器件习题解,第十五章,15.5,(a),底部的,pn,结宽度等于热平衡时的宽度，顶部的宽度大于,a,(b),(c),(d),顶部,pn,结的耗尽层宽度,底部,pn,结的耗尽层宽度,V,GB,=0,，所以,又根据（,b),的结果,（,e)V,GB,=0,时的夹断电压比,V,GB,=V,GT,时的夹断电压大,第十六章主要结论和公式,n,型,(,F,0),2,F,平带,耗尽,-,反型过渡点,s,第十六章主要结论和公式,作业题,16.9,积累,耗尽,）,反型（,=,反型（,（,根据,）,作业,16.1,作业题,16.4,作业题,16.4,根据,作业题,16.8,偏置条件,电容,能带图,反型,e,4,耗尽,c,3,平带,b,1,V,G,=V,T,d,2,积累,a,5,作业题,16.9,作业题,16.9,作业题,16.9,积累,耗尽,）,反型（,=,反型（,（,根据,判断，,(i),和,(iv),是错的,（,iii),是正确的,）,作业题,16.13,作业题,16.13,也可根据,计算得到,作业题,16.15,作业题,16.15,作业题,16.15,第十七章主要公式,平方律理论,体电荷理论,第十七章主要公式,作业题,17.2,作业题,17.2,作业题,17.2,作业题,17-3,作业题,17.9,作业题,17.9,作业题,17.10,V,G,-V,T,V,D,作业,17-13,作业,17.18,作业题,17.20,作业题,17.20,作业题,17.20,作业题,17.21,作业题,17.21,作业题,17.21,第十八章主要结论公式,积累,积累,因重掺杂，能带弯曲很小,作业题,18.6,（,a)Q,M,0,因为,SiO,2,中的电场不是匀强电场,(b),Q,0,因为,SiO,2,Si,界面的电位移矢量不,连续,作业题,18.7,作业题,18.8,作业题,18.8,作业题,18.8,作业题,18.8,作业,18.9,积累,耗尽,反型,由图知,p,型衬底，界面陷阱受主型，所以被电子占据带负电，空态呈电中性,作业,18.9,积累,耗尽,反型,由图知,p,型衬底，界面陷阱受主型，所以被电子占据带负电，空态呈电中性,作业,18.,作业题,18.15,作业题,18.15,作业题,18.1,复习内容,一、判断选择题,复习内容：每一章的习题,1,二、基本概念解释,pn,结的势垒电容和扩散电容，,二极管的存贮延迟时间和反向恢复时间及其物理根源,发射效率，基区输运系数，共基极电流放大系数,基区宽度调制效应和基区穿通,I,CBO,、,I,CEO,、,V,CBO,、,V,CEO,的物理意义,MOSFET,的耗尽、深耗尽和完全深耗尽,MOSFET,的阈值电压、平带电压和夹断电压,增强型,MOSFET,和耗尽型,MOSFET,的区别,复习内容,三 计算综合题,1.,二极管,（,1,）,pn,结势垒区电荷、电场、电势的分布,（,2,）,pn,结的势垒高度和势垒宽度,复习内容,（,3,）,pn,结正反向偏置时少子和电流的分布,复习内容,（,4,）理想,pn,结的,I-V,特性关系式,（,5,）,pn,结定律,（,6,）,pn,结的瞬态响应,复习内容,复习内容,2.,三极管,（,1,）三极管的基本工作原理,（,2,）发射区的发射效率、基区传输系数和三极管的放大系,数的定义及其与材料参数和结构参数的关系,复习内容,偏置模式,E-B,极性,C-B,极性,放大 正偏,反偏,饱和 正偏 正偏,截止 反偏 反偏,倒置 反偏 正偏,（,3,）三极管的四种偏置模式下,V,EB,和,V,CB,的极性,复习内容,（,4,）三极管的,E,、,B,、,C,各区的少子分布公式及应用,E,区,C,区,薄基区,复习内容,（,5,）四种偏置模式下少子分布图,复习内容,（,6,）三极管的输入输出特性方程：埃伯斯,-,莫尔方程,复习内容,3 MOSFET,（,1,）,MOS,结构中半导体的表面势、费米势和任意一点的电势的定义,任一点电势,表面势,费米势,复习内容,（,2,）,MOSFET,的积累、平带、耗尽、耗尽,-,反型转折点、反,型各种不同偏置状态下的能带图、电荷块图、电容、,及,s,与,F,的关系,(3),栅电压与表面势、耗尽层宽度与表面势的关系,复习内容,（,3,）,MOSFET,的阈值电压,V,T,、平带电压,V,FB,和夹断电压,V,Dsat,理想,MOSFET,V,FB,=O,V,Dsat,=V,G,-V,T,实际,MOSFET,V,Dsat,=V,G,-V,T,复习内容,（,4,）,MOSFET,的平方律理论,NMOS,：,V,T,0,V,G,V,T,MOSFET,截止，,I,D,=0,V,D,V,T,MOSFET,导通,V,D,V,Dsat,PMOS:V,T,V,T,MOSFET,截止,V,G,V,T,MOSFET,导通,复习内容,（,5,）,MOSFET,的沟道电导和跨导,（,6,）,MOSFET,的,C-V,特性曲线,