士兰微超结MOS SVSP35NF65P7D3耐压650V35A_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 1 页 35A, 650V 超结 MOS功率管 描述 SVSP35NF65P7D3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVSP35NF65P7D3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 35A,650V,RDS(on)(typ.)=85mVGS=10V 创新高压技术 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1231.栅极 2.漏
2、极 3.源极231TO-247-3L 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVSP35NF65P7D3 TO-247-3L P35NF65 无卤 料管 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 参数值 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 35 A TC=100 C 22 漏极脉冲电流 IDM 140 A 耗散功率(TC=25C) - 大于25C每摄氏度减少 PD 2
3、98 W 2.4 W/C 单脉冲雪崩能量 (注 1) EAS 1131 mJ 体二极管(注 2) dv/dt 50 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 100 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - - 0.42 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 50 C/W 焊接温度(直插式) Tsold 15+2-0 sec, 1time - - 260 C 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书
4、杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,Tj=25C) 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 650 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=650V,VGS=0V, Tj=25C - - 6.0 A VDS=650V,VGS=0V, Tj=125C - 80 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS, ID=250A 2.5 - 4.5 V 静态漏源导通电阻 RDS(
5、on) VGS=10V, ID=17.5A - 85 100 m 栅极电阻 Rg f=1MHz - 1.1 - 输入电容 Ciss VDS=100V, VGS=0V, f=1.0MHz - 2923 - pF 输出电容 Coss - 109 - 反向传输电容 Crss - 20 - 开启延迟时间 td(on) VDD=325V, VGS=10V, RG=1.6, ID=35A (注 4,5) - 28 - ns 开启上升时间 tr - 69 - 关断延迟时间 td(off) - 92 - 关断下降时间 tf - 28 - 栅极电荷量 Qg VDD=520V, VGS=10V, ID=35A (
6、注 4,5) - 139 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 21 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 92 - 栅极-平台电压 Vplateau - 7.1 - V 源-漏二极管特性参数 参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 35 A 源极脉冲电流 ISM - - 140 二极管压降 VSD IS=35A, VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=35A, VGS=0V, dIF/dt=100A/s (注 4) - 125 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 0.6 - C 反向恢
7、复峰值电流 Irrm - 10 - A 注:注: 1. L=79mH,IAS=5.0A,VDD=100V,RG=25,开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=35A,TJ=25C; 3. VDS=0400V; 4. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP35NF65P7D3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.1 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 传输特性 漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS
8、(ON)(m)漏极电流 ID(A)图4. 导通电阻 vs. 漏极电流图2. 输出特性漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)(m)栅源电压 VGS(V)图5. 导通电阻vs.栅源电压栅源开启电压 VGS(th)(V)结温 Tj( C)图6. 开启电压vs.温度特性010002010405156020注:1.250S脉冲测试2.TJ=25 C010700520注:1.250S 脉冲测试2.TJ=125 C50103015604020800468100.110001012注:1.250S 脉冲测试2.VDS=30V100-55 C25 C150 C6010002050
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