超结MOS管国产24A 600V SVSP24N60FJDD2_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 10 页 第 1 页 24A, 600V 超结 MOS功率管 描述 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 N沟 道 增 强 型 高 压 功 率MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术平台制造,具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为. 此外,SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑. 特点 24A,600V, RDS(on)(典型值)=0.14VG
2、S=10V 创新高压技术 低栅极电荷 定期额定雪崩 较强 dv/dt 能力 高电流峰值 1.栅极 2.漏极 3.源极123TO-262-3L123TO-220F-3L123TO-220-3L123TO-220FJD-3L123TO-3P231 命名规则 士兰D-Well工艺DPMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字;例如:4 代表 4A,10 代表 10A额定耐压值,采用2位数字例如:60表示600V,65表示650V封装外形标识例如:FJD:TO-220FJDS V S P X N X X X D X沟道极性标识,N代表N 沟道工艺细分标识缺省:第一代工艺 D2:第二代工艺;D3:第三
3、代工艺工艺版本,P表示钝化PASSIVATION 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVSP24N60FJDD2 TO-220FJD-3L P24N60FJD 无卤 料管 SVSP24N60FD2 TO-220F-3L P24N60FD2 无卤 料管 SVSP24N60PND2 TO-3P P24N60PN 无卤 料管 SVSP24N60TD2 TO-220-3L P24N60TD2 无卤 料管 SVSP24N60KD2 TO-262-3L P24N60KD2 无卤 料管 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股
4、份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 10 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数名称 符号 参数范围 单位 SVSP24N60 F/FJDD2 SVSP24N60 PND2 SVSP24N60 TD2/KD2 漏源电压 VDS 600 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25 C ID 24 A TC=100 C 15 漏极脉冲电流 IDM 96 A 耗散功率(TC=25C) - 大于25C每摄氏度减少 PD 47 240 208 W 0.38 1.9 1.7 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1) EAS 1062 mJ 反向二极管 dv/dt(注 2
5、) dv/dt 15 V/ns MOS管 dv/dt 耐用性(注 3) dv/dt 50 V/ns 工作结温范围 TJ -55+150 C 贮存温度范围 Tstg -55+150 C 热阻特性 参数名称 符号 参数范围 单位 SVSP24N60 F/FJDD2 SVSP24N60 PND2 SVSP24N60 TD2/KD2 芯片对管壳热阻 RJC 2.66 0.52 0.6 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 62.5 50 62.5 C/W 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 10 页 第
6、 3 页 电气参数(除非特殊说明,TC=25C) 参数名称 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V, ID=250A 600 - - V 漏源漏电流 IDSS VDS=600V, VGS=0V - - 1.0 A 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V, VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS, ID=250A 2.0 - 4.0 V 静态漏源导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=12A - 0.14 0.16 栅极电阻 Rg f=1.0MHz - 2.6 - 输入电容 Ciss VDS=100V
7、, VGS=0V, f=1.0MHz - 1480 - pF 输出电容 Coss - 84 - 反向传输电容 Crss - 4.8 - 开启延迟时间 td(on) VDD=300V, VGS=10V, RG=25, ID=24A (注 4,5) - 21 - ns 开启上升时间 tr - 74 - 关断延迟时间 td(off) - 213 - 关断下降时间 tf - 65 - 栅极电荷量 Qg VDD=480V, VGS=10V, ID=24A (注 4,5) - 49 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 12 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 25 - 源-漏二极管特性参数 参数名称 符
8、号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 连续源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N 结 - - 24 A 源极脉冲电流 ISM - - 96 二极管压降 VSD IS=24A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr VDD=50V, IF=24A, dIF/dt=100A/s (注 4) - 442 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 7.0 - C 注:注: 1. L=79mH,IAS=4.8A,VDD=100V,RG=25,开始温度TJ=25C; 2. VDS=0400V,ISD=24A,TJ=25C; 3. VDS=0480V; 4. 脉冲测试:脉冲
9、宽度300s,占空比2%; 5. 基本上不受工作温度的影响。 士兰微电子 SVSP24N60F(FJD)(PN)(T)(K)D2 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.3 http: / 共 10 页 第 4 页 典型特性曲线 图1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 ID(A)051020漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)01046栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(ON)(m)漏极电流 ID(A)图3. 导通电阻vs.漏极电流00.20.40.61.21.0反向漏极电流 IDR(A)源漏电压 VSD(V)图4. 体二极管正向压降vs. 源极电流、温度注:1.250
10、S脉冲测试2.VDS=30V0.1110010-55 C25 C150 C0.11100100.8注:1.250S脉冲测试2.VGS=0V80300050500202001001030注:TC=25 CVGS=20V图5. 电容特性漏源电压 VDS(V)电容(pF)02006001100000101000100100图6. 电荷量特性总栅极电荷 Qg(nC)栅源电压 VGS(V)00102060VDS=480VVDS=300VVDS=120V24681012405030注: ID=24A1510405060203002400VGS=4VVGS=5VVGS=6VVGS=7VVGS=9VVGS=1
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