APG095N01 国产100v低压mos-G095N01规格书参数_骊微电子.pdf
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2、sistance from Junction to Ambient ReJA 62.5/W Junction Temperature TJ 150 Storage Temperature TsrG-55-+150 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理商APG09SN01 剑”。1WERN-Channel Enhancement MosfetDATA SHEET MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25unless otherwise noted)Pa ram”r Symbol Tut Condition static CharacterlsU臼Dra
3、in回ur四breakdownvol闻自V(BR)DSS Vos=OV,le=250A Zero gate voltage drain凶rrentloss Vos=BOV,VGs=OV Gate-body lea阳ge current IGSS VGS土20V,V臼OVGate th陪sholdvol问e(3)Va町th)Vos=V,田,lc=250AV田10V,lo=20A Drain唱。ur田on-resis恒neeCS Ros(cn】V回=4.5V,le=10A Forward Threshold Voltage gr.Vos=51/,lo=20A Ga饱Resis恒neeRe Vos=
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5、,ID=20A,VGS=10V Gate-Drain Cha咱句dReverse Recovery Chrage Orr IF=20A,dVdt=1 OOAfus Reverse Recovery Time Trr IF=20A,dVdt=100.翩翩s。un:e-Draln Diode characterlsUca Diode Forward vol恒geV四Vos=OV,ls=20A Diode Forward currentC句Is No幅s:1.Rep回itive Rating:pul回width limited by ma刘mum junction恒mperature2.EAS Co
6、ndition:TJ=25,Voo=50V,RG=25 0,L=0.5mH3.Pulse Te剖:pul拥width:S300间,duty cycleS2%4.Su阳ceMatnted on FR4 Board,但10s凶Min Type M缸Unit 100 v A 土100nA 1.2 1.8 2.5 v 8.0 9.5 mo 11 13 13.5 s 1.94 。2022 目。pF 28 17 4 ns 32 8 38.5 8 nC 9 68 nC 回.5ns 1.2 v 60 A 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理商IIIP。1WERAPG095N01 N-Channel Enh
7、ancement MosfetDATA SHEET S;EST 一 ,II 四I/2SC 240 200 160 吨草,:l,20.5 8040 Typical Perfornance Characteristics Yes-10V 9V 8V】,事7V I/6V 5V 4V 3V,品,缸,250s PULSE TEST Tc=25 100 Figure 1.。utput Characteristics PULSED TEST T1=25 Yes=4.5V Yes=10V 16 14 m u c 幅“12 c m 10 。“.5 占 百。4 0 1.5 Figure 4.B。dy Diode
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