全桥逆变IGBT耐压600V、20A SGT20T60SDM1P7规格书参数_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SGT20T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 1 页 20、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 SGT20T60SDM1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(Field Stop)工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于 UPS,SMPS 以及 PFC 等领域。特点 20A,600V,VCE(sat)(典型值)=1.7VIC=20A 低导通损耗 快开关速度 高输入阻抗 CGE123132TO-247-3L 命名规则 SGT 20 T 60 S D M 1 P7士兰IGBT系列电流规格,如:70
2、表示70A等N:N沟平面栅NE:N沟平面栅带ESDT:Field Stop 3和4U:Field Stop 4+V:Field Stop 5W:Field Stop 6X:Field Stop 7电压规格,如:65表示650V120表示1200V等D:合封二极管R:集成二极管(RC IGBT)封装形式,如P7:TO-247-3LF:TO-220F-3L等1,2,3:版本号空:标准二极管(StandardM:标准二极管、全电流规格(Standard FullR:快速二极管(RapidB:快速二极管、全电流规格(Rapid FullS:超软二极管、全电流规格(Soft FullL :超低速,推荐频
3、率2KHzQ:低速,推荐频率220KS :标准,推荐频率540KF :高速,推荐频率1060KUF:超高速,推荐频率40K 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SGT20T60SDM1P7 TO-247-3L 20T60SDM1 无铅 料管 士兰微电子 SGT20T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE 20 V 集电极电流 TC=25C IC 40 A TC=100C 2
4、0 集电极脉冲电流 ICM 60 A 二极管电流 TC=25C IF 40 A TC=100C 20 短路维持时间(VGE=15V,VCC=300V)Tsc 10 s 耗散功率(TC=25C)PD 46 W 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+175 C 热阻特性 参数 符号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻(IGBT)TO-247-3L RJC 0.65 C/W 芯片对管壳热阻(FRD)TO-247-3L RJC 1.19 C/W 士兰微电子 SGT20T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 3 页
5、IGBT 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 集射击穿电压 BVCE VGE=0V,IC=250A 600-V 集射漏电流 ICES VCE=600V,VGE=0V-200 A 栅射漏电流 IGES VGE=20V,VCE=0V-400 nA 栅极开启电压 VGE(th)IC=250A,VCE=VGE 4.0 5.0 6.5 V 饱和压降 VCE(sat)IC=20A,VGE=15V-1.7 2.4 V IC=20A,VGE=15V,TC=125C-1.9-V 输入电容 Cies VCE=30V VGE=0V f=1MHz-1100-pF
6、输出电容 Coes-55-反向传输电容 Cres-22-开启延迟时间 Td(on)VCE=400V IC=20A Rg=10 VGE=15V 感性负载-19-ns 开启上升时间 Tr-55-关断延迟时间 Td(off)-48-关断下降时间 Tf-115-导通损耗 Eon-1-mJ 关断损耗 Eoff-0.3-开关损耗 Est-1.3-栅电荷 Qg VCE=400V,IC=20A,VGE=15V-52-nC 发射极栅电荷 Qge-15-集电极栅电荷 Qgc-22-FRD 电性参数(除非特殊说明,TC=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 二极管正向压降 VFM IF=20A
7、,TC=25C-1.8-V IF=20A,TC=125C-1.5-二极管反向恢复时间 Trr IES=20A,dIES/dt=200A/s-33.69-ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IES=20A,dIES/dt=200A/s-73.31-nC 士兰微电子 SGT20T60SDM1P7 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.2 http:/ 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1-1.典型输出特性图2.典型饱和压降特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)集电极-发射机电压 VCE(V)集电极电流 IC(A)栅极-发射极电压 VGE(V
8、)图3.传输特性图 1-2.典型输出特性集电极电流 IC(A)集电极-发射极电压 VCE(V)集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图4.饱和压降 vs.VGE集电极-发射极电压 VCE(V)栅极-发射极电压 VGE(V)图5.饱和压降 vs.VGE020600136301040417V15V13V04060012650304TC=25 C3TC=125 C共射极 VGE=15V080040105TC=125 CTC=25 C共射极 VCE=10V051548122010共射极 TC=25 C051548201012共射极 TC=125 C2共射极TC=25 CVGE=
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