SDH8594ES 5V2.4A适配器方案-sdh8594es规格书_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SDH8594ES 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 10 页 第 1 页 内置高压MOS管的高精度原边控制开关电源 描述 SDH8594ES是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源(PSR),采用PFM调制技术,提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路,具有非常高的稳定性和平均效率。并且集成高压启动,可以省去外围的启动电阻。采用SDH8594ES设计系统,无需光耦,可省去次级反馈控制、环路补偿,精简电路、降低系统成本。SDH8594ES适用812W输出功率,具有可调节线损补偿功能和内置峰值电流补偿功能。主要特点 原边控制模式 高精度恒流恒
2、压控制 低启动电流 可调节输出电压电流 可调节线损补偿 内置 650V MOSFET 内置高压启动 满足 75mW 待机标准 前沿消隐 无需补偿电容 过温保护 VCC 过压保护 输出过压保护 欠压锁定 逐周期限流 输出短路保护 过流保护 最大导通时间保护 SOP-8-225-1.27 应用 充电器 适配器 待机电源 产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 环保等级 包装 SDH8594ES SOP-8-225-1.27 SDH8594E 无卤 料管 SDH8594ESTR SOP-8-225-1.27 SDH8594E 无卤 编带 士兰微电子 SDH8594ES 说明书 杭州士兰微电子股份
3、有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 10 页 第 2 页 内部框图 FBISENVCC驱动0.1V恒压控制开启控制恒流控制 GND3前沿消隐18欠压锁定基准电压偏置电流42误差放大Drain73VDrain过温保护SRQVCC重启SRQ+-+-+-FB过压保护最大导通时间保护 VCC过压保护0.58VHV Start线损补偿振荡器S/H6Drain5Drain 管脚排列图 FBISEN12345SDH8594ESVCCDrainGNDDrain67 DrainDrain8 管脚说明 管脚号 管脚名称 I/O 功 能 描 述 1 VCC P 供电电源;2 GND G 地;3 FB I 反
4、馈电压输入端;4 ISEN I 峰值电流采样端;5、6、7、8 Drain O 高压 MOS 管漏端;士兰微电子 SDH8594ES 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 10 页 第 3 页 极限参数(除非特殊说明,Tamb=25C)参 数 符 号 参 数 范 围 单 位 供电电压 VCC-0.329.5 V 输入管脚电压 VI-0.3 6 V 输入电流 IIN-1010 mA 工作结温 TJ+150 C 贮存温度范围 TSTG-40+125 C ESD(人体模式)ESD 2500 V 电气参数(除非特殊说明,VCC=18V,Tamb=25C)参 数 符 号
5、测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 高压启动 充电电流 IHVC VCC=0V,VDrain=100V 700 1000 1300 A 关断漏电流 IHVS VCC=18V,VDrain=650V-3 5 A 供电电源部分 静态工作电流 IDD ISEN=0,FB=0 450 600 750 A 启动电流 IST VCC=14V-1 3 A 启动电压 VST 16.5 18 19.5 V 关断电压 VSP 7.5 8.5 9.5 V VCC 过压保护电压 Vccovp 25.5 28 29.5 V VCC 钳位电压 VVCC_CLP IVCC=10mA 28 30 32 V FB反馈
6、部分 恒压阈值 VCV 2.90 3 3.10 V FB 过压保护电压 VFBOVP 3.4 3.6 3.8 V FB 欠压保护电压 VFBUVP 1.7 1.9 2.1 V 线损电流 ICOMP_CABLE 42 48 54 A 最小开关频率 F_min 390 460 530 Hz CS采样部分 前沿消隐时间 TLEB 0.4 0.5 0.6 s 最大电流检测阈值 VISEN_MAX 560 580 600 mV 最小电流检测阈值 VISEN_MIN 140 160 180 mV 最大导通时间 TON_MAX 35 50 70 s 过温保护部分 过温保护 TOTP 140 150 155
7、C 过温保护迟滞 TOTP_hys 25 30 35 C MOSFET部分 MOSFET 源漏击穿电压 BVDSS 650-V 导通电阻 RDS(ON)-2.8 3.36 最大连续漏极电流 IDS 3-A 士兰微电子 SDH8594ES 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 10 页 第 4 页 典型特性曲线 01234启动电流启动电流(uA)温度温度(C)-40-20204060080100120图一图一:启动电流和温度关系启动电流和温度关系16.51717.51818.5启动电压启动电压(V)温度温度(C)-40-20204060080100120图二图二:
8、启动电压和温度关系启动电压和温度关系 7.588.599.5关断电压关断电压(V)温度温度(C)-40-20204060080100120图三图三:关断电压和温度关系关断电压和温度关系4446485052线损电流线损电流(uA)温度温度(C)-40-20204060080100120图四图四:线损电流和温度关系线损电流和温度关系 2.902.953.003.053.10CVCV电压基准电压基准(V V)-40-20204060080100图五图五.CVCV电压基准和温度关系电压基准和温度关系温度温度(C)士兰微电子 SDH8594ES 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 htt
9、p:/ 共 10 页 第 5 页 功能描述 SDH8594ES是离线式开关电源集成电路,是外置线损补偿和内置峰值电流补偿的高端开关电源控制器。通过检测变压器原级线圈的峰值电流和辅助线圈的反馈电压,控制系统的输出电压和电流,达到输出恒压或者恒流的目的。SDH8594ES集成多种保护,有效减少额外的器件数量和尺寸。1.电路启动和欠压锁定 系统上电,电路由内置耗尽型MOS管对VCC管脚外置的电容充电。当VCC上升到18V,电路开始工作,关断耗尽型MOS;在电路正常工作过程中,由辅助线圈供电来维持VCC电压;当VCC下降到8.5V进入欠压锁定状态,耗尽型MOS管打开,对VCC电容供电,VCC上升到18
10、V,电路启动重新工作。2.峰值电流检测和 LEB 当驱动为高电平,MOS管导通,通过采样电阻检测呈线性增大的原级线圈的电流,当达到设定的电流限制值即峰值电流,MOS管关断。在MOS管导通时会产生一个瞬间的毛刺,如果该毛刺的幅度超过峰值电流阈值VPK,即会导致驱动关断。因此设置前沿消隐时间TLEB0.5s,消除由该毛刺带来的可能的误触发。根据不同的负载状态对应不同的峰值电流阈值。峰值最大为0.58V,最小为0.16V。00.10.20.30.4峰峰值值电电压压(V)输出功率输出功率(%)01030405020607080901000.50.6 图6.峰值电流采样阈值 3.CV 控制方式 当MOS
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