半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析.ppt
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1、半导体三极管和基本共射极放大电路半导体三极管和基本共射极放大电路的静态分析的静态分析半导体三极管的特性与半导体三极管的特性与识别识别 一、半导体三极管一、半导体三极管(一)基本结构和类型(一)基本结构和类型1、结构、结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区:较薄,基区:较薄,掺杂浓度低掺杂浓度低集电区:集电区:面积较大面积较大发射区:掺发射区:掺杂浓度较高杂浓度较高BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结2、类型、类型有PNP型和NPN型;硅管和锗
2、管;大功率管和小功率管;高频管和低频管。(二)电流放大原理(二)电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向向发射区射区的的扩散可散可忽略。忽略。IBE进入入P区的区的电子少部子少部分与基区分与基区的空穴复的空穴复合,形成合,形成电流流IBE ,多数多数扩散散到集到集电结。发射射结正偏,正偏,发射区射区电子子不断向基区不断向基区扩散,形成散,形成发射极射极电流流IE。BECNNPEBRBECIE集电结反偏,有集电结反偏,有少子形成的反向少子形成的反向电流电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩从基区扩散来的电散来的电子作为集子作为集电结的少电结的少
3、子,漂移子,漂移进入集电进入集电结而被收结而被收集,形成集,形成ICE。1 1、载流子传输过程、载流子传输过程 发射、复合、收集发射、复合、收集IB=IBE-ICBO IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE2、各极电流关系、各极电流关系ICE与与IBE之比称为电流放大倍数之比称为电流放大倍数要使三极管能放大电流,必须使发射结正要使三极管能放大电流,必须使发射结正偏,集电结反偏。偏,集电结反偏。3、电流放大系数、电流放大系数BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管(三)(三)特性曲线特性曲线ICmA AVV
4、UCEUBERBIBECEB 实验线路路1、输入特性输入特性工作工作压降:降:硅管硅管UBE 0.60.7V,锗管管UBE 0.20.3V。UCE 1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE=0VUCE=0.5V 死区死区电压,硅管硅管0.5V,锗管管0.2V。2、输出特性输出特性IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域此区域满足足IC=IB称称为线性性区(放大区(放大区)。区)。当当UCE大于一定大于一定的数的数值时,IC只只与与IB有关,有关,IC=IB。IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020
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