微电子技术的发展现状与趋势张志勇.pptx

微电子技术的发展现状与趋势张志勇,微电子技术的战略地位与作用,微电子技术的发展历史,与,现状,微电子技术的发展规律,与,趋势,2,电,子,学,微电子学,微电子学（Microelectronics）,微型电子学,什么是微电子学或微电子技术？,3,微电子技术的核心 集成电路,（Integrated Circuit，缩写IC）,通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片（如,硅,或,砷化镓,）上，封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。,4,5,微电子技术的战略地位与作用,6,微电子技术信息社会发展的基石,自然界和人类社会的一切活动都在产生信息。信息是客观事物状态和运动特征的一种普遍形式，是人类社会、经济活动的重要资源。,社会的各个部分通过网络系统连接成一个整体，由高速大容量光纤和通讯卫星群以光速和宽频带地传送信息，从而使社会信息化、网络化和数字化。,实现社会信息化的网络及其关键部件不管是各种计算机和/或通讯设备，以及国防安全系统，,它们的基础都是微电子技术。,7,1991年的海湾战争,双方出动军队100多万人，经历42天，伊拉克伤亡10多万人（其中死亡2万多人），被俘17.5万人，击毁了3700多辆坦克、2600多门火炮、2400多辆装甲车和243架飞机（其余的147架飞机紧急转移到伊朗才免遭厄运）。,多国部队出兵80多万人，死亡149人（其中美军79人），伤513人，出动10万余架次飞机，仅损失45架（包括非战斗损失9架）。,硅片打败了钢铁！,8,世界第一台通用电子计算机-,ENIAC,大小：,长30.48m，宽6m，高2.5m；,速度：,5000次/sec；,功率：,150KW；,平均无故障运行时间：,7min,1946年2月14日在美国宾夕法尼亚大学的莫尔电机学院诞生(莫科里,)，由,18,800,多,个电子管组成，重量,30,多吨，占地面积,170,多,平方米,。,9,这样的计算机能够进入办公室、车间、家庭和我们的手提包里？当时有的科学家认为全世界只要,4台ENIAC,就足够了。,目前，全世界计算机不包括微机在内有,几百万台,，微机总量约,6亿台,，每年由计算机完成的工作量超过,4000亿,人年工作量。,10,集成电路的战略地位首先表现在当代国民经济的“食物链”关系：,集成电路,1 2,元,电子产品,10,元,国民经济产值,100,元,进入信息,化社会的判据：,微电子技术产值占工农业总产值的0.5%,微电子技术产值进入信息社会的判据,11,集成电路产值,1万亿美元,GDP,50,万亿美元,据美国半导体协会（SIA）预测,2012年,电子信息服务业30万亿美元,相当于1997年全世界,GDP总和,电子装备 6-8万亿元,12,统计数据表明：发达国家在发展过程中都有一条规律,集成电路（IC）产值的增长率（RIC）高于电子工业产值的增长率（REI）,电子工业产值的增长率又高于GDP的增长率（RGDP）,一般有一个近似的关系：,RIC1.52REI REI3RGDP,13,几乎所有的传统产业与微电子技术结合，用集成电路芯片进行智能改造，都可以使传统产业重新焕发青春,全国各行业的风机、水泵的总耗电量约占了全国发电量的30%，仅仅对风机、水泵采用变频调速等电子技术进行改造，每年即可节电500亿度以上，相当于三个葛洲坝电站的年发电量(170亿度/年),对白炽灯进行高效节能改造，并假设推广应用30%，所节省的电能相当于三座大亚弯核电站的年发电量(139亿度/年),3、微电子技术对传统产业的带动作用,14,电子装备更新换代都基于微电子技术的进步，其灵巧（Smart）的程度都依赖于集成电路芯片的“智慧”程度和使用程度,数控机床,普通机床,数字化技术改造,价格相差10倍,集成,电路,整机系统,高附加值,在成长期进入,市场，增强市,场竞争力,15,没有微电子的电子工业只能是劳动密集型的组装业，不能形成高附加值的知识经济，中国的硅谷将是无芯的硅谷,16,4、微电子产业的战略重要性,2020年世界最大的30个市场领域：其中与,微电子相关的22个市场：5万亿美元,17,微电子技术的发展,水平,和微电子产业的,规模,已经成为衡量一个,国家综合实力,强弱的重要标志！,18,微电子技术的发展历史与现状,19,理论推动,19世纪末20世纪初发现半导体的三个重要物理效应,光电导效应,光生伏特效应,整流效应,量子力学,材料科学,需求牵引：二战期间雷达等武器的需求,发展历史,20,1946年1月，Bell实验室正式成立半导体研究小组,W.Schokley，J.Bardeen、W.H.Brattain,Bardeen提出了表面态理论，Schokley给出了实现放大器的基本设想，Brattain设计了实验,1947年12月23日，第一次观测到了具有放大作用的晶体管,晶体管的发明,发展历史,21,1947年12月23日,第一个晶体管,NPN Ge晶体管,W.Schokley,J.Bardeen,W.Brattain,获得1956年Nobel物理奖,发展历史,22,晶体管的三位发明人：肖克莱、巴丁、布拉顿,发展历史,23,集成电路的发明,1952年5月，英国科学家达默（G.Dummer）第一次提出了集成电路的设想,1958年以德克萨斯仪器公司的科学家基尔比(J.Kilby)为首的研究小组研制出了世界上第一块集成电路，并于1959年公布了该结果,发展历史,24,获得2000年Nobel物理奖,1958年第一块集成电路：TI公司的J.Kilby,基片为Ge晶片，集成了12个器件。,发展历史,25,微电子发展史上的几个里程碑,1962年F.Wanlass、C.T.SahCMOS技术 现在集成电路产业中占95%以上,1967年Kahng、S.Sze 非挥发存储器,1968年Dennard单晶体管DRAM,1971年Intel公司微处理器计算机的心脏,美国欧特泰克公司认为：,微处理器、宽频道连接和智能软件,将是21世纪改变人类社会和经济的三大技术创新,发展历史,26,第一个CPU-Intel 4004,1971年由,Intel,制造,2000多个晶体管,10m的PMOS工艺,发展历史,27,Intel 8088,1979年3月,16 Bit,5 到 8MHz,2.9 万个晶体管,1.5 m 工艺,28,Intel 386,1985年10月,32 Bit,16 到 32 MHz,27.5万晶体管,1 m 工艺,29,Intel 486,1989年4月,32 Bit,25 到 50 MHz,120 万个晶体管,1-0.8 m,30,Pentium,1993年3月,32 Bit,60 到 166 MHz,310 万个晶体管,0.8 m,31,P6(Pentium Pro-高能奔腾),1995年11月面市,150 to 200 MHz时钟,550万个晶体管,0.35 微米工艺,4 层金属互联,387 管脚,32,Intel Pentium 840EE 双核处理器,制造工艺：,90,nm,晶体管数：,2.3,亿个,芯片面积：,206,mm,2,互联技术：,7层铜互连,最高功耗：,130,W,33,2007年1月英特尔推出45nm正式量产工艺，45nm技术是全新的技术，可以让摩尔定律至少再服役10年。,四核CPU,制造工艺：,45,nm,晶体管数：,8.2,亿个,管 脚 数：,775个,核心技术：铪金属高-K与金属栅组合新工艺,34,0.5,m,1,m,头发丝粗细的百分之一,3050,m,(皮肤细胞的大小),100nm,我们已进入纳米时代,90nm-,32,nm工艺已进入规模生产,晶体管本身的宽度只有30-50nm,集成度已达10,9,-10,10,发展现状,35,多层铜互连技术,已实现9层互连，Intel Pentium 840EE 双核处理器采用的是7层互连技术。,发展现状,36,SOC,System On Chip,集成电路走向系统芯片,发展现状,37,微电子技术发展规律与趋势,38,微电子发展的规律,发展规律,集成电路芯片的集成度每三年提高 4 倍，而芯片加工特征尺寸每三年缩小 倍。,这就是由Intel公司创始人之一Gordon Moore博士1975年在IEEE的学术年会上提出的，被称为摩尔定律。,39,1,000,000,100,000,10,000,1,000,10,100,1,1975,1980,1985,1990,1995,2000,2005,2010,8086,80286,i386,i486,Pentium,Pentium,Pro,K,1 Billion Transistors,Source:Intel,Projected,Pentium,II,Pentium,III,Pentium,Pentium,840EE,CPU的晶体管数目遵守摩尔定律的规律,发展规律,40,存储器的性能和工艺复杂程度也符合摩尔定律,发展规律,41,由集成电路构成的其它电子系统也同样符合摩尔定律的规律,Digital Cellular Market,(Phones Shipped),1996 1997 1998 1999 2000,Units,48M 86M 162M 260M 435M,Analog,Baseband,Digital Baseband,(DSP+MCU,),Power,Management,Small,Signal RF,Power,RF,发展规律,42,微电子技术是近50年来发展最快的技术,按此比率下降，小汽车价格不到1美分！,发展规律,43,Moore定律,性能价格,比,在过去的20年中，改进了100万倍,在今后的20年中，还将改进100万倍,很可能还将持续40年,发展规律,44,发展趋势,继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸,集成电路(IC)将发展成为系统芯片(SOC),新型宽禁带半导体材料开发,微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科，例如MEMS、DNA芯片等,21世纪硅微电子技术的四个主要发展方向,45,方向一：,继续增大晶圆尺寸和缩小特征尺寸,300mm 450mm,46,450mm晶圆的出现，除了生产效率大幅度提高的优势外，同时，对集成电路工艺带来极大的挑战，使集成电路工艺发生全面的转型与提升。,47,集成电路制造工艺流程,48,Single die,Wafer,12(300mm),大生产的硅片直径已从200mm转入300mm，,2015年左右将转入400mm-450mm直径的硅片。,49,缩小器件的特征尺寸,所谓特征尺寸是指器件中最小线条宽度,常常作为技术水平的标志。对MOS器件而言，通常指器件栅电极所决定的沟道几何长度，是一条工艺线中能加工的最小尺寸，也是设计采用的最小设计尺寸单位（设计规则）,缩小特征尺寸从而提高集成度是提高产品性能/价格比最有效手段之一。只有特征尺寸缩小了，在同等集成度的条件下，芯片面积才可以做得更小,而且可以使产品的速度、可靠性都得到提高，相应成本可以降低。,50,发展趋势,器件特征尺寸继续缩小带来的挑战,第一个关键技术层次：微细加工,目前0.13,m、90nm、65nm已进入大生产,45nm大生产技术也已经完成开发，具备大生产的条件,当然仍有许多开发与研究工作要做，例如IP模块的开发，为EDA服务的器件模型模拟开发以及基于上述加工工艺的产品开发等,32nm工艺，最关键的加工工艺光刻技术还是一个大问题，尚未完全解决,51,发展趋势,铜互连已在0.13,m/90、65、45nm技术代中使用；但是在45nm以后，铜互连与低介电常数绝缘材料共同使用时的可靠性问题还有待研究开发,第二个关键技术：互连技术,器件特征尺寸继续缩小带来的挑战,52,发展趋势,第三个关键技术,新型器件结构,新型材料体系,高K介质,SOI材料,器件特征尺寸继续缩小带来的挑战,53,54,隧穿效应,SiO,2,的性质,栅介质层T,ox,1纳米,量子隧穿模型,高K介质,?,杂质涨落,器件沟道区中的杂,质数仅为百的量级,统计规律,新型栅结构,?,电子输运的,渡越时间,碰撞时间,介观物理的,输运理论,?,沟道长度,L50纳米,新一代小尺寸器件问题,带间隧穿,反型层的,量子化效应,电源电压1V时，栅介质层中电场,约为5MV/cm，硅中电场约1MV/cm,考虑量子化效应,的器件模型,?,.,可靠性,L,源,漏,栅,Tox,p,型硅,n+,n+,多晶硅,NMOSFET,栅介质层,55,随着器件缩小至亚50纳米,寻求介电常数大的高K材料来替代SiO,2,SiO,2,无法适应亚50纳米器件的要求,栅介质的限制,SiO,2,（,3.9）,SiO,2,/Si 界面,硅基集成电路发展的基石,得以使微电子产业高速和持续发展,发展趋势,最近intel公司采用金属铪（Hf）合金作为介质材料取得突破,56,在45nm工艺中采用HighK金属栅极晶体管,使摩尔定律得到了延伸（可以到35nm、25nm工艺）,57,发展趋势,SOI,技术,(Silicon-On-Insulator:,绝缘衬底上的硅),PMOS,NMOS,PMOS,NMOS,58,SOI技术的优点：,完全实现了介质隔离,彻底消除了体硅CMOS集成电路中的寄生闩锁效应,速度高,集成密度高,工艺简单,减小了热载流子效应,短沟道效应小,特别适合于小尺寸器件,体效应小、寄生电容小，特别适合于低压器件,发展趋势,59,IC的速度很高、功耗很小，但由于,PCB板中的连线延时、噪声、可靠,性以及重量等因素的限制，已无法,满足性能日益提高的整机系统的要求,IC设计与制造技术水平的提高，,IC规模越来越大，已可以在一个,芯片上集成10,8,10,9,个晶体管,分立元件,集成电路,I C,系 统 芯 片,System On A Chip,(简称SOC),将整个系统集成在,一个微电子芯片上,系统芯片(SOC)与集成,电路(IC)的设计思想是,不同的，它是微电子技,术领域的一场革命。,方向二：,集成电路走向系统芯片SOC,发展趋势,60,发展趋势,SOC是从整个系统的角度出发，把处理机制、模型算法、芯片结构、各层次电路直至器件的设计紧密结合起来，在单个芯片上完成整个系统的功能,SOC必须采用从系统行为级开始自顶向下(Top-Down)地设计,SOC的优势,嵌入式模拟电路的Core可以抑制噪声问题,嵌入式CPU Core可以使设计者有更大的自由度,降低功耗，不需要大量的输出缓冲器,使DRAM和CPU之间的速度接近,61,发展趋势,21世纪的微电子,将是SOC的时代,62,发展趋势,方向三：,新型宽禁带半导体材料开发,砷化镓（GaAs）,Si基器件的频率到10GHz，而GaAs的能力是1040GHz，而最高已突破100GHz。它是超高速化合物半导体中最成熟的材料，国际上用的GaAs单晶外延片已由3英寸、4英寸，近几年发展到6英寸，以前主要用于军事领域和卫星通信。,磷化铟（InP）,InP 所制作的超高速器件比GaAs 速度更快，频率可达40GHz以上，被认为是一种最有前途的化合物半导体材料，目前研究用的InP是2英寸基片。,碳化硅（SiC）,特别适用制作高温、高频、大功率电子器件。SiC器件可在500600高温条件下正常工作，SiC单晶衬底2英寸片已生产，在研制3英寸、4英寸SiC单晶衬底。,63,氮化镓（GaN）,GaN除了用于制作微电子器件以外，还可用于光电子领域，用它制作蓝光发光二极管（LED）、绿光LED、蓝光激光二极管（LD）。,硅锗（SiGe）,SiGe是四族元素Si与Ge相结合的一种新颖半导体材料。SiGe 芯片具有低功耗、低噪声、高频率的特性，其能带结构可人工调整，在微电子、光电子领域中有十分重要而独特的作用，被称为第二代硅技术。,碳纳米管,碳纳米管是由碳原子组成一堆细小的管子。这些管子只有头发丝的万分之一大，比现今Si晶体管小500倍。它可应用于微电子组件、平面显示器、无线通信、燃料电池及锂离子电池。,64,65,发展趋势,微电子技术与其它学科结合，诞生出一系列崭新的学科和重大的经济增长点,MEMS(微机电系统)：微电子技术与机械、光学等领域结合,DNA生物芯片：微电子技术与生物工程技术结合,方向四：,微电子技术与其它领域相结合将产生新的产业和新的学科,66,MEMS器件及应用,汽车工业,安全气囊加速计、发动机压力计、自动驾驶陀螺,武器装备,制导、战场侦察（化学、震动）、武器智能化,生物医学,疾病诊断、药物研究、微型手术仪器、植入式仪器,信息和通讯,光开关、波分复用器、集成化RF组件、打印喷头,娱乐消费类,游戏棒、虚拟现时眼镜、智能玩具,发展趋势,67,利用MEMS技术可以生产各种复杂的3-D结构,68,发展趋势,微机电系统MEMS,82年：美国U.C.Bekeley，表面牺牲层技术,微型静电马达成功，标志着MEMS进入,新纪元,69,发展趋势,线性马达,70,发展趋势,九十年代初ADI的气囊加速度计实现产业化,微机电系统MEMS,71,电容式微加速度计,72,发展趋势,微循环陀螺仪,陀 螺,73,发展趋势,采用微电子加工技术，可以在指甲盖大小的硅片上制作出包含有多达10万种DNA基因片段的芯片。利用这种芯片可以在极快的时间内检测或发现遗传基因的变化等情况，这无疑对遗传学研究、疾病诊断、疾病治疗和预防、转基因工程等具有极其重要的作用。,Stanford和Affymetrix公司的研究人员已经利用微电子技术在硅片或玻璃片上制作出了DNA芯片，包括6000余种DNA基因片段。,DNA芯片,74,我国微电子技术发展概况,75,我国微电子学的历史,1956年5所学校在北大联合创建半导体专业,北京大学、南京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学,教师：黄昆、谢稀德、高鼎三、林兰英,学生：王阳元、许居衍、陈星弼,1977年在北京大学诞生第一块大规模集成电路,76,我国微电子学的历史,1982年，成立电子计算机和大规模集成电路领导小组,主任：万里,80年代：初步形成三业分离的状态,制造业,设计业,封装业,77,公司名称,工艺,设计产能,（片/月）,产地,投产时间,中芯国际（北京）,90nm,10000,北京,04/07,海力士-意法,80nm,18000,无锡,06/10,中芯国际（北京）,90nm,N/A,北京,拟建,中芯国际（北京）,90nm,N/A,北京,拟建,中芯国际（武汉）,90nm,220000,武汉,在建,中芯国际（上海）,90n65nm,10000,上海,在建,华虹科技,90nm,N/AN/A,拟建,华虹国际HH,0.11m90nm,N/A,上海张江,暂停,我国年微电子发展现状,12吋（300mm）线共10条,78,我国年微电子发展现状,8吋（200mm）线共25条,公司名称,工艺,设计产能,（片/月）,产地,投产时间,华虹NEC,0.130.35m,155000,上海金桥,99/02,中芯国际,0.110.35m,45000,上海张江,01/09,中芯国际,0.35m90nm,(铜制成),10000,上海张江,01/09,中芯国际,0.350.15m,30000,天津,04/01,中芯国际,0.180.35m,120000,成都,07/03,宏力半导体,0.150.25m,47000,上海张江,03/09,和舰科技,0.130.35m,20000,苏州工业园,06/Q2,上海先进,0.35m,30000,上海漕河泾,03/10,台积电,0.180.25m,35000,上海松江,04/10,Hynix-ST,0.11m90nm,50000,江苏无锡,06/04,绿山集成电路,0.50.25m,30000,江苏南通,06/11,79,我国年微电子发展现状,6吋（150mm）线共15条,公司名称,工艺,设计产能,（片/月）,产地,投产时间,上海先进,0.60.8m,50000,上海漕河泾,1997,首钢NEC,0.350.15m,15000,北京,1995,杭州士兰,0.80.6m,24000,杭州,03/01,上华科技,0.25m,60000,无锡,1997,科希-硅技,FBAR/LED,17000,沈阳,04/02,上华科技,0.35m,20000,北京,06/06,方正微电子,0.35m、SiGe,20000,深圳,06/10,西岳电子,0.35m,17000,西安,07/01,80,未来十年将是我国微电子产业的黄金时期,我国年微电子发展展望,81,