电力电子.pptx

下一页,返回,上一页,退出,章目录,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,电力电子,第,1,页,/,共,69,页,本章要求：,1.,了解晶闸管的基本构造、工作原理、特性曲线和,主要参数；,2.,了解单相可控整流电路的可控原理和整流电压与,电流的波形，了解单结晶闸管及其触发电路；,3.,了解逆变电路、变频电路和交流调压电路及斩波电路的工作原理和应用。,第,19,章 电力电子技术,第,2,页,/,共,69,页,电力电子器件,1.,不控器件,器件的导通和关断无可控功能。如整流二极管,(,D),。,2.,半控器件,器件的导通可控,但关断不可控。如普通晶闸管,(,T,),。,3.,全控器件,器件的导通和关断均具可控的功能。如可关断晶闸管,(,GTO,),、功率晶体管,(,GTR,),、功率场效晶体管,(,VDMOS,),及绝缘栅双极晶体管,(,IGBT,),。,19.1.1,电力电子器件的分类,第,3,页,/,共,69,页,电力电子器件的符号,电力电子器件的主要性能指标,电压、电流、工作频率。,第,4,页,/,共,69,页,19.1.2,晶闸管,晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种,大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。,晶闸管,也像半导体二极管那样具有,单向导电性,但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、,调压及开关等方面。,优点：,体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、容量大,(,正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏,),。,（,S,ilicon,C,ontrolled,R,ectifier,）,第,5,页,/,共,69,页,阳极,A,G,控制极,(1),基本结构,K,阴极,G,四 层 半 导 体,晶闸管是具有三个,PN,结的四层结构,其外形、结构及符号如图。,(a),结构,晶闸管的结构及符号,三,个,PN,结,1.,普通晶闸管,第,6,页,/,共,69,页,晶闸管相当于,PNP,和,NPN,型两个晶体管的组合,第,7,页,/,共,69,页,(1),基本结构,1.,普通晶闸管,晶闸管的构造和外形,第,8,页,/,共,69,页,(2),工作原理,在极短时间内使两个三极管均饱和导通,此过程称触发导通。,形成正反馈过程,E,A,0,、,E,G,0,A,K,G,E,A,+,_,R,E,G,_,+,第,9,页,/,共,69,页,晶闸管导通后，去掉,E,G,，,依靠正反馈,仍可维持导通状态。,E,A,0,、,E,G,0,形成正反馈过程,G,(2),工作原理,第,10,页,/,共,69,页,晶闸管导通的条件：,晶闸管阳极电路,(,阳极与阴极之间,),施加正向电压。,晶闸管控制电路,(,控制极与阴极之间,),加正向电压或正向脉冲,(,正向触发电压,),。,晶闸管导通后,控制极便失去作用。,依靠正反馈,晶闸管仍可维持导通状态。,晶闸管关断的条件：,必须使可控硅阳极电流减小,直到,正反馈,效应不能维持。,将阳极电源断开或者在晶闸管的,阳极和阴极间加反向电压。,第,11,页,/,共,69,页,正向特性,反向特性,U,RRM,U,DRM,I,G2,I,G1,I,G0,U,BR,I,F,U,BO,正向转折电压,I,H,O,U,I,I,G0,I,G1,I,G2,+,_,+,_,反向转折电压,正向平均电流,维持电流,U,(3),伏安特性,第,12,页,/,共,69,页,(4),主要参数,正向重复峰值电压,U,DRM,晶闸管,控制极开路且正向阻断情况下,可以重复加在,晶闸管,两端的正向峰值电压。,一般,U,DRM,比正向转折电压,U,BO,低,100V,。,反向重复峰值电压,U,RRM,晶闸管,控制极开路时,可以重复加在,晶闸管,两端的反向峰值电压。,一般,U,RRM,比反向转折电压,|,U,BR,|,低,100V,。,正向平均电流,I,F,环境温度为,40,C,及,标准散热条件下,晶闸管处于,全导通时,可以连续通过的工频正弦半波电流的平均值。,第,13,页,/,共,69,页,t,2,O,I,F,如果正弦半波电流的最大值为,I,m,则,普通晶闸管,I,F,为,1A 1000A,。,维持电流,I,H,在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导通状态所必须的最小电流。,第,14,页,/,共,69,页,晶闸管型号及其含义,导通时平均电压组别,共九级,用字母,AI,表示,额定电压,用百位或千位数表示,取,U,DRM,或,U,RRM,较小者,额定正向平均电流,(,I,F,),(,晶闸管类型,),P,-,普通晶闸管,K,-,快速晶闸管,S,-,双向晶闸管,晶闸管,K,P,普通型,如,KP5-7,表示,额定正向平均电流为,5A,额定电压为,700V,。,第,15,页,/,共,69,页,2.,双向晶闸管,特点：,相当于两个晶闸管反向并联，两者共用一个控制极。,晶闸管双向触发导通。,U,A2,U,A1,时,控制极,相对于,A,1,加正脉冲，,u,GA1,0,，,晶闸管,正向导通，电流从,A,2,流向,A,1,。,U,A2,U,A1,时,控制极相对于,A,1,加,负,脉冲，,u,GA1,0,时：,若,u,G,=0,，晶闸管不导通，,u,0,时,:,晶闸管,承受反向电压不导通,u,O,=0,u,T,=,u,，,故称可控整流。,控制极加触发信号，晶闸管,承受正向电压,导 通，,第,20,页,/,共,69,页,t,O,工作原理,t,1,2,u,2,0,时,:,第,21,页,/,共,69,页,t,O,t,O,t,O,接电阻负载时,单相半波可控整流电路电压、电流波形,控制角,t,1,t,2,2,t,O,导通角,第,22,页,/,共,69,页,整流输出电压及电流的平均值,由公式可知：,改变控制角,，可改变输出电压,U,O,。,第,23,页,/,共,69,页,(2),电感性负载与续流二极管,当电压,u,过零后，由于电感反电动势的存在，晶,闸管在一段时间内仍 维持导通，失去单向导电作用。,在电感性负载中,当晶闸管刚触发导通时，电感元件上产生阻碍电流变化的感应电势,(,极性如图,),，电流不能跃变，将由零逐渐上升,(,见波形,),。,u,u,O,R,+,+,u,T,+,T,L,e,L,第,24,页,/,共,69,页,t,O,t,O,t,O,工作波形,t,O,t,1,t,2,2,第,25,页,/,共,69,页,u,0,时,：,D,反向截止，不影响整流电路工作。,u,0,时：,D,正向导通,晶闸管,承受反向电压关断,电感元件,L,释放能量形成的电流经,D,构成回路,(,续流,),负载电压,u,O,波形与电阻性负载相同,(,见波形图,),。,电感性负载,(,加,续流二极管,),第,26,页,/,共,69,页,工作波形,(,加续流二极管,),t,O,t,O,t,O,t,O,t,1,t,2,2,第,27,页,/,共,69,页,2.,单相半控桥式整流电路,(1),电路,(2),工作原理,T,1,和,D,2,承受正向,电压。,T,1,控制极加触发电压,则,T,1,和,D,2,导,通,电流的通路为,T,1,、,T,2,晶闸管,D,1,、,D,2,晶体管,a,R,L,D,2,T,1,b,电压,u,为正半周,时：,此时，,T,1,和,D,2,均承受反向电压而截止。,第,28,页,/,共,69,页,T,2,和,D,1,承受正向,电压。,T,2,控制极加触发电压,则,T,2,和,D,1,导,通，,电流的通路为,电压,u,为负半周,时：,b,R,L,D,1,T,2,a,此时，,T,1,和,D,2,均承受反向电压而截止。,第,29,页,/,共,69,页,t,t,O,t,O,t,O,(3),工作波形,2,第,30,页,/,共,69,页,(4),输出电压及电流的平均值,第,31,页,/,共,69,页,例,1,：,有一,纯,电阻负载，需要可调的直流电源：电压,U,O,=0 180 V,，电流,I,O,=0 6 A,。现采用,单相半控桥式整流电路，试求交流电压的有效值，并选择整流元件。,解,：,设,晶闸管,导通角,为,180,(,控制角,=0,),时,，,U,O,=180 V,，,I,O,=6 A,，,交流电压有效值,考虑到电网电压波动、管压降以及导通角常常到不了,180,等因素，交流电压要比上述计算值适当加大,10%,左右，可取,220 V,，因此可不用,整流变压器,，直接接到,220 V,的交流电源上。,第,32,页,/,共,69,页,为保证晶闸管在出现过电压时不致损坏，通常根据下列选取晶闸管的,U,DRM,和,U,RRM,。,因此，晶闸管,可选用,KP5 7,型,二极管可选用,2CZ5/300,型。,第,33,页,/,共,69,页,19.2.2,晶闸管的保护,晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。,晶闸管的热容量很小,，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将,PN,结烧坏，造成元件内部断路或开路。例如一只,100A,的,晶闸管,过电流为,400A,时，仅允许持续,0.02,秒，否则将因过热而损坏；,晶闸管耐受过电压的能力极差，,电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。,第,34,页,/,共,69,页,1.,晶闸管的过电流保护,(1),快速熔断器保护,电路中加快速熔断器。当电路发生过电流故障时,它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。,与晶闸,管串联,接在输入端,接在输出端,快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。,第,35,页,/,共,69,页,(2),过电流继电器保护,(3),过电流截止保护,在输出端,(,直流输,),或输入端,(,交流侧,),接入过电流继电器，当电路发生过电流故障时，继电器动作，使电路自动切断。,在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。,当电路发生过电流故障时，,检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。,第,36,页,/,共,69,页,电压、电流、工作频率。,注意：R 值不能选的太小，否则单结晶体管不能关断，电路亦不能振荡。,当待充电电瓶接入电路后，触发电路获得所需电源电压开始工作。,电力电子器件的主要性能指标,u 0 时:晶闸管承受反向电压不导通,必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。,改变充电时间常数即可改变控制角。,晶闸管导通后，去掉EG，依靠正反馈,仍可维持导通状态。,电路为什么接在同一个变压器上？,(1)快速熔断器保护,C,R,(2),硒碓保护,2.,晶闸管的过电压保护,(1),阻容保护,利用电容吸收过电压。,其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中,然后释放到电阻中消耗掉。,硒碓保护,(,硒整流片,),C,R,晶闸管元件,的阻容保护,第,37,页,/,共,69,页,单结晶体管触发电路,1.,单结晶体管,B,2,第二基极,B,1,N,欧姆接触,电阻,P,发射极,E,第一基极,PN,结,N,型硅片,(a),示意图,单结晶体管结构示意图及其表示符号,(b),符号,(1),结构,B,2,E,B,1,第,38,页,/,共,69,页,(2),工作原理,U,E,U,P,后，大量空穴注入基区，致使,I,E,增加、,U,E,反而下降,出现负阻,-,负阻区。,P,o,I,E,U,E,第,40,页,/,共,69,页,(1),U,E,U,P,时单结晶体管导通，,U,E,U,V,时恢复截止。,单结晶体管的特点,(2),单结晶体管的峰点电压,U,P,与外加,固定电压,U,BB,及分压比,有关，,峰,点电压,U,P,或,分压比,不同，则峰值电压,U,P,不同。,(3),不同单结晶体管的谷点电压,U,V,和,谷点电流,I,V,都,不一样。谷点电压大约在,2 5V,之间。常选用,稍大一些，,U,V,稍小的单结晶体管，以增大输出,脉冲幅度和移相范围。,B,2,E,B,1,第,41,页,/,共,69,页,2.,单结晶体管触发电路,(1),振荡电路,单结晶体管弛张振荡电路,单结晶体管弛张振荡电路利用单结晶体管,的负阻特性及,RC,电路,的充放电特性组成频率可调的振荡电路。,第,42,页,/,共,69,页,(2),振荡过程分析,设通电前,u,C,=0,。,接通电源,U,电容,C,经电阻,R,充电。,电容电压,u,C,逐渐升高。,当,u,C,U,P,时,单结晶体管导通,电容,C,放电,R,1,上得到一脉冲电压。,U,p,U,V,U,p,-,U,D,u,C,t,u,g,t,电容放电至,u,C,U,v,时,单结晶体管重新关断,使,u,g,0,。,第,43,页,/,共,69,页,o,u,C,t,t,u,O,o,注意：,R,值不能选的太小，否则单结晶体管不能关断，电路亦不能振荡,。,u,P,u,V,(b),电压波形,第,44,页,/,共,69,页,主电路,触发电路,(3),单结晶体管触发的半控桥式整流电路,第,45,页,/,共,69,页,1),整流削波,U,2M,削 波,U,Z,U,2M,t,O,t,t,整流,第,46,页,/,共,69,页,2),触发电路,U,Z,U,P,-,U,D,t,t,t,t,U,V,U,p,3),输出电压,u,L,第,47,页,/,共,69,页,问 题 讨 论,1.,单结晶体管触发的可控整流电路中，主电路和触发,电路为什么接在同一个变压器上？,目的：,保证主电路和触发电路的电源电压同时过零,(,即两者同步,),，使电容在每半个周期均从零开始充电,从而保证每半个周期的第一个触发脉冲出现的时刻相同,(,即,角一样,),以使输出平均电压不变。,2.,触发电路中，整流后为什么加稳压管？,稳压管的作用：,是将整流后的电压变成梯形,波,(,即削波,),使单结晶体管两端电压稳定在稳压管的稳压值上,从而保证单结晶体管产生的脉冲幅度和每半个周期产生第一脉冲的时间，不受交流电源电压变化的影响。,第,48,页,/,共,69,页,3.,一系列触发脉冲中，为什么只有第一个起作用？,如何改变控制角,？,根据晶闸管的特性，它一旦触发导通，在阳极电压足够大的条件下,即使去掉触发信号,仍能维持导通状态。因此,每半个周期中只有第一个触发脉冲起作用。,改变充电时间常数即可改变控制角,。,控制角,变化的范围称为移相范围。,4.,电压的调节,R,电容充电速度变慢,u,L,第,49,页,/,共,69,页,3.,应用举例,(1),电瓶充电机电路,该电瓶充电机电路使用元件较少，线路简单，具有过充电保护、短路保护和电瓶短接保护。,第,50,页,/,共,69,页,工作原理,当待充电电瓶接入电路后，触发电路获得所需电源电压开始工作。,R,2,、,R,P,、,C,、,T,1,、,R,3,、,R,4,构成了单结晶体管触发电路,。,第,51,页,/,共,69,页,当电瓶电压充到一定数值时,使得,单结晶体管的峰点电压,U,P,大于稳压管,D,Z,的稳定电压，单结晶体管不能导通,触发电路不再产生触发脉冲，充电机停止充电。,第,52,页,/,共,69,页,触发电路和可控整流电路的同步是由二极管,D,和电阻,R,1,来完成的。,交流电压过零变正后,D,截止，电瓶电压通过,R,2,、,R,P,向,C,充电。改变,R,P,之值，可设定电瓶的初始充电电流。,交流电压过零变负后，电容通过,D,和,R,1,迅速放电。,第,53,页,/,共,69,页,晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合,(3)单结晶体管触发的半控桥式整流电路,晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。,共九级,用字母AI表示,晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。,交流调光台灯的应用电路,普通晶闸管IF为1A 1000A。,测量单结晶体管的实验电路,控制极相对于A1加负脉冲，uGA1 0,、,E,G,0,A,K,G,E,A,+,_,R,E,G,_,+,第,63,页,/,共,69,页,可控整流电路,19.2.1,可控整流电路,1.,单相半波可控整流电路,(1),电阻性负载,u,0,时：,若,u,G,=0,，晶闸管不导通，,u,0,时,:,晶闸管,承受反向电压不导通,u,O,=0,u,T,=,u,，,故称可控整流。,控制极加触发信号，晶闸管,承受正向电压,导 通，,第,64,页,/,共,69,页,t,O,t,O,t,O,工作波形,t,O,t,1,t,2,2,第,65,页,/,共,69,页,1.,晶闸管的过电流保护,(1),快速熔断器保护,电路中加快速熔断器。当电路发生过电流故障时,它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。,与晶闸,管串联,接在输入端,接在输出端,快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。,第,66,页,/,共,69,页,(2),工作原理,U,E,U,BB,+,U,D,=,U,P,时,PN,结反偏，,I,E,很小；,PN,结正向导通,I,E,迅速增加。,U,E,U,P,时,分压比,(),U,P,峰点电压,U,D,PN,结正向导通压降,等效电路,测量单结晶体管的实验电路,由图可求得,R,E,第,67,页,/,共,69,页,3.,一系列触发脉冲中，为什么只有第一个起作用？,如何改变控制角,？,根据晶闸管的特性，它一旦触发导通，在阳极电压足够大的条件下,即使去掉触发信号,仍能维持导通状态。因此,每半个周期中只有第一个触发脉冲起作用。,改变充电时间常数即可改变控制角,。,控制角,变化的范围称为移相范围。,4.,电压的调节,R,电容充电速度变慢,u,L,第,68,页,/,共,69,页,工作原理,当待充电电瓶接入电路后，触发电路获得所需电源电压开始工作。,R,2,、,R,P,、,C,、,T,1,、,R,3,、,R,4,构成了单结晶体管触发电路,。,第,69,页,/,共,69,页,