武汉理工大学材料科学基础 第二章 部分习题.ppt
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- 武汉理工大学材料科学基础 第二章 部分习题 武汉理工大学 材料科学 基础 第二 部分 习题
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单击以编辑母版标题样式,单击以编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第,二,章晶体结构与晶体中的缺陷,习题课,2、书写缺陷反应式应遵循的原则,3、缺陷浓度计算,4、固溶体的分类及形成条件,5、研究固溶体的方法,第一章 习题课,1、缺陷的分类,6、非化学计量化合物,点缺陷,热 缺 陷,杂 质 缺 陷,非化学计量结构缺陷(电荷缺陷),Frankel,缺陷,Schttyq,缺陷,非化学计量化合物,类型,:,阳离子填隙型,阴离子间隙型,阳离子空位型,阴离子缺位型,2-1,名词解释:,类质同晶:,化学组成相似或相近的物质,在相同的热力学条件下,形成的晶体具有相同的结构,这种现象称为,类质同晶,现象。,同质多晶:,化学组成相同的物质,在不同的热力学条件下,结晶成结构不同的晶体的现象。,正型尖晶石:,MgAl,2,O,4,(尖晶石)型结构,O,2-,按立方紧密堆积排列,二价离子,A,充填,1/8,四面体空隙,三价离子,B,充填,1/2,八面体空隙,正型尖晶石结构,反型尖晶石结构:,二价阳离子充填八面体空隙,三价阳离子一半充填四面体空隙,另一半充填八面体空隙中。,弗仑克尔,Frankel,缺陷,:,正常结点上的原子(离子)跳入,间隙,,形成间隙原子。,肖特基,Schttky,缺陷:,正常结点上的原子离开平衡位置迁移到晶体表面,在原来位置形成空位。,刃位错,:位错线与滑移矢量垂直的位错。,螺旋位错:,位错线与滑移方向相互平行,位错线周围的一组原子面形成了一个连续的螺旋形坡面,故称为螺位错。,2-2 ThO,2,具有萤石结构:,Th,4+,离子半径为,0.100nm,,,O,2-,离子半径为,0.140nm,,试问,a,)实际结构中的,Th,4+,正离子配位数与预计配位数是否一致?,b,)结构是否满足鲍林规则。,b,)不满足多面体规则,可满足电价规则。,(,1,),第一规则(多面体规则):,围绕每一阳离子,形成一个阴离子配位多面体,阴、阳离子的间距决定于它们的半径之和,阳离子的配位数则取决于它们的半径之比。,(,2,),第二规则(静电价规则):,在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度,等于阴离子的电荷数。,由萤石型结构知:,Th4+,离子的,CN=8,,,O2-,离子的,CN=4,S=Z+/n=4/8=1/2 Z-=Si=1/24=2,即等于,O2-,离子的电价,Z-=2,答:,a,)预计计算值:因为,r+/r,-=0.100/0.140=0.714 0.414,0.7140.732,,当配位数为,8,时不稳定,预计配位数为,7,或,6,。,实际值:由于,ThO2,具有萤石结构,实际,Th4+,正离子配位数为八配位。所以实际与预计不一致。,MgO,具有,NaCl,结构,根据,O,2-,半径,0.140nm,和,Mg,2+,半径为,0.072nm,,计算,球状离子所占据的空间分数(堆积系数);,MgO,的密度。,解:,MgO,属于,NaCl,型结构,即面心立方结构,每个晶胞中含有,4,个,Mg,2+,和,4,个,O,2-,,故,MgO,所占体积为,V,MgO,=4,4/3,(R,Mg2+,3,+R,O2-,3,),=16/3,(0.072,3,+0.140,3,),=0.0522,(,nm,3,),Mg,2+,和,O,2-,在面心立方的棱边上接触,a=2,(,R,Mg2+,+R,O2-,),=2,(0.072+0.140)=0.424nm,堆积系数,=,V,MgO,/V,晶胞,=0.0522/(0.424),3,=68.5%,D,MgO,=,m,MgO,/V,晶胞,=n.(M/N,0,)/a,3,=4,(24.3+16.0)/(0.42410,-7,),3,6.0210,23,=3.51g/cm,3,2-3,在萤石晶体结构中,,Ca,2+,半径,0.112nm,,,F,-,半径,0.131nm,,萤石晶胞棱长为,0.547nm,,求:,萤石晶体中离子堆积系数,(,球状离子所占据的空间分数,),萤石的密度,解:萤石属于立方面心结构,每个晶胞中含有,4,个,Ca,2+,和,8,个,F,-,,故,CaF,2,所占体积为,V CaF,2,=44/3,(R Ca,2+,3,),+84/3,(R F,-,3,),=16/3,0.112,3,+32/3,0.131,3,=0.0988,(,nm,3,),a=0.547nm,V,晶胞,=0.547,3,=0.1637nm,3,堆积系数,=V CaF,2,/V,晶胞,=0.0988/0.1637=60.4%,D CaF,2,=m CaF,2,/V,晶胞,=n.(M/N,0,)/a,3,(,阿伏加德罗常数,N,0,=6.0210,23,mol-1),=4(40+219)/(0.163710,-21,)6.0210,23,=3.17g/cm3,2-4,硅酸盐晶体结构分类原则:根据结构中硅氧四面体的连接方式分成五种,硅酸盐晶体结构类型与,Si/O,比的关系,2-5(,)O,2-,作立方面心堆积时,画出适合阳离子位置的间隙类型及位置,,(,以一个晶胞为结构基元表示出来,);(2),计算八而体空隙数与,O,2-,数之比,四面体空隙数与,O,2-,数之比,;(3),用键强度及鲍林规则解释(电价规则),对于获得稳定结构各需何种价离子(空隙内各需填入何种价数的阳离子,举出,个例子),I.,所有八而体空隙位置均填满,;,II.,所有四面体空隙位置均填满,;,III.,填满,半八面休空隙位置,.,IV.,填满,半四面体空隙位置,;,解:,(1),略(第一章中等大球体立方米堆),;,第一章,PPT 113-119,(2),八面体空隙数,/O,2-,数,=1:1,四面体空隙数,/O,2-,数,=2:1;,(3,),(静电价规则):,在一个稳定的晶体结构中,从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度,等于阴离子的电荷数。,I.,CN=6,,,z+/66=2,,,z+=2,,,2,价阳离子,FeO,MnO,;,II.,CN=4,,,z+/48=2,,,z+=1,,,1,价阳离子,Na,2,O,Li,2,O;,III.,CN=6,,,z+/63=2,,,z+=4,,,4,价阳离子,MnO,2,.,IV.,CN=4,,,z+/44=2,,,z+=2,,,2,价阳离子,Zn,;,紧密堆积中球数和两种空隙间的关系:,在两种最紧密堆积方式中,每一个球的周围都有,6,个八面体空隙和,8,个四面体空隙。而八面体空隙由,6,个球组成,四面体空隙由,4,个球组成,因此一个球周围只有,6,1/6,1,个八面体空隙和,8,1/4,2,个四面体空隙是属于它的。,若有,n,个球最紧密堆积,则四面体空隙总数为,8,n4,2n,个;而八面体空隙总数为,6,n6,n,个。,球的数目,:,八面体数目,:,四面体数目,1:1:2,等大球体的最紧密堆积方式,最基本的就是,六方,最紧密堆积和,立方,最紧密堆积两种,。,八面体空隙,四面体空隙,26,(,a),在,CaF,2,晶体中,,Frankel,缺陷形成能为2.8,eV,,,Schttky,缺陷的生成能为5.5,eV,,,计算在25和1600时热缺陷的浓度?,(,b),如果,CaF,2,晶体中,含有10,6,的,YF,3,杂质,则在1600时,,CaF,2,晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势?说明原因。,解,:(,a),由题可知,,Frankel,缺陷形成能,Schttky,缺陷的生成能,由 知,,Frankel,缺陷浓度高,因而 是主要的。,(,b),由此可知,而在1873,K,时,所以此时,热缺陷,占优势。,在298,K,时,,在1873,K,时,,答:,T1=298K,弗兰克缺陷浓度,2.2110-24,,肖特基缺陷浓度为,1.37410-31;T2=1873K,弗兰克缺陷浓度,1.7210-4,,肖特基缺陷浓度为,1.410-5,;,27 试写出下列缺陷方程,29 高温结构材料,Al,2,O,3,可以用,ZrO,2,来实现增韧,也可以用,MgO,来促进,Al,2,O,3,的烧结。(,a),如加入0.2,mol%ZrO,2,试写出缺陷反应式和固溶分子式。,(,b),如加入0.3,mol%ZrO,2,和,Xmol%MgO,对,Al,2,O,3,进行复合取代,试写出缺陷反应式、固溶分子式及求出,X,值。,所以固溶分子式为:,Al,1.998,Zr,0.002,O,3.001,(,阳离子空位,Al,1.997,Zr,0.002,O,3,),解:(,a),缺陷反应式:,2 :2 :1,0.002 :0.002 :0.001,(,b),缺陷反应式为,2 :2 :1,X :X :X/2,复合取代反应式为,1 :1 1 :1 :1/2 :1/2,0.3%:,X 0.3%:X :X/2:0.15%,根据电中性原则,X,0.3%,所以固溶分子式为,Al,1.994,Zr,0.003,Mg,0.003,O,3,2-10,ZnO,是六方晶系,,a=0.3242nm,,,c=0.5195nm,,每个晶胞中含,2,个,ZnO,分子,测得晶体密度分别为,5.74,,,5.606 g/cm,3,,求这两种情况下各产生什么型式的固溶体?,解:六方晶系的晶胞体积,=,=4.73,cm,3,=2.69,密度是,d,1,时为间隙型固溶体,是,d,2,时为置换型固溶体。,V=,在两种密度下晶胞的重量分别为,W1=d1v=5.744.7310-23=2.7210-22(g),W2=d2v=5.6064.7310-23=2.6510-22(g,),理论上单位晶胞重,W=,(g),211 非化学计量化合物,Fe,x,O,中,,Fe,3+,/Fe,2+,0.1,求,Fe,x,O,中空位浓度及,x,值。,分析:,Fe,x,O,是,Fe,2,O,3,溶解在,FeO,中的非化学计量化合物,先写出缺陷方程式,然后根据,Fe,3+,/Fe,2+,0.1,计算。,解:缺陷反应式:,1 :2 :1,a :2a :a,其化学式为:,Fe,1,2a,a,Fe,2a,O,2a/1,3a,0.1,a=0.0435,X,1,a,0.9565=0.957,答:,FexO,空位浓度,=x,的值为,0.957,注:,1,X,为正常结点数。,2-12,、固溶体、机械混合物与化合物,固溶体,化合物,机械混合物,形成方式,掺杂、溶解,化学反应,机械混合,反应式,AO+B,2,O,3,AB,2,O,4,AO+B,2,O,3,均匀混合,化学组成,B,2-x,A,x,O,3-x/2,AB,2,O,4,AO,与,B,2,O,3,有固定比例,AO+B,2,O,3,混合尺度,原子(离子)尺度,原子(离子)尺度,晶体颗粒态,结构,与,B,2,O,3,相同,AB,2,O,4,型,AO,结构,+B,2,O,3,结构,相组成,均匀单相,均匀单相,两相有界面,补充:,1,、用,ZrO,2,和0.25,molCaO,制成固溶体,测得晶胞参数,a,0,0.5153nm,,,密度为,5.184,g/cm,3,,,ZrO,2,为萤石结构,问主要缺陷形式是何种?,分析:写出可能的缺陷反应式及固溶体分子式,然后计算相应的理论密度,最后把计算密度与实测密度相比确定缺陷形式。,解:缺陷反应式,2 :1 :1,0.25 :0.125:0.125,固溶分子式:,Zr,0.875,Ca,0.25,O,2,1 :1 :1,0.25 :0.25:0.25,固溶分子式:,Zr,0.75,Ca,0.25,O,1.75,或,比较,d,与,,看谁与接近即为所对应的缺陷类型。,2、,一块金黄色的人造刚玉,化学分析结果认为,是在,Al,2,O,3,中添加了0.5,mol,NiO,和0.02,mol%Cr,2,O,3,。,试写出缺陷反应方程(置换型)及化学式。,解:缺陷反应式为,2 :2 :1,0.5%:0.5%:0.25%,1 :2,0.02%:0.04%,固溶体的化学式为:,Al,2,0.5,0.04%,Ni,0.5%,Cr,0.04%,O,3,0.25%,即,Al,1.9946,Ni,0.005,Cr,0.0004,O,2.9975,3、填空题,(1)晶体产生,Frankel,缺陷时,晶体体积,,,晶体密度,;而有,Schtty,缺陷时,晶体体积,晶体密度,。一般说离子晶体中正、负离子半径相差不大时,,是主要的;两种离子半径相差大时,,是主要的。,(2),AgBr,在适当温度时产生,Frankel,缺陷时,用缺陷反应表示为,,,Ag,i,.,=,;,在,MgO,中形成,Schtty,缺陷时,缺陷反应式为,,,。,(3)少量,CaCl,2,在,KCl,中形成固溶体后,实测密度值随,Ca,2+,离子数/,K,离子数比值增加而减少,由此可判断其,缺陷反应式为,。,(4)写出缺陷反应式,答案,:(1)不变 不变 变大 变小,Schtty,缺陷,Frankel,缺陷,(2),Kexp(-,G,f,/2RT),(3),(4),展开阅读全文
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