集成块好坏判断.doc
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1、1.集成块好坏判断现在的电子产品往往由于一块集成电路损坏,导致一部分或几个部分不能正常工作,影响设备的正常使用。那么如何检测集成电路的好坏呢?通常一台设备里面有许多个集成电路,当拿到一部有故障的集成电路的设备时,首先要根据故障现象,判断出故障的大体部位,然后通过测量,把故障的可能部位逐步缩小,最后找到故障所在。要找到故障所在必须通过检测,通常修理人员都采用测引脚电压方法来判断,但这只能判断出故障的大致部位,而且有的引脚反应不灵敏,甚至有的没有什么反应。就是在电压偏离的情况下,也包含外围元件损坏的因素,还必须将集成块内部故障与外围故障严格区别开来,因此单*某一种方法对集成电路是很难检测的,必须依
2、赖综合的检测手段。现以万用表检测为例,介绍其具体方法。我们知道,集成块使用时,总有一个引脚与印制电路板上的“地”线是焊通的,在电路中称之为接地脚。由于集成电路内部都采用直接耦合,因此,集成块的其它引脚与接地脚之间都存在着确定的直流电阻,这种确定的直流电阻称为该脚内部等效直流电阻,简称R内。当我们拿到一块新的集成块时,可通过用万用表测量各引脚的内部等效直流电阻来判断其好坏,若各引脚的内部等效电阻R内与标准值相符,说明这块集成块是好的,反之若与标准值相差过大,说明集成块内部损坏。测量时有一点必须注意,由于集成块内部有大量的三极管,二极管等非线性元件,在测量中单测得一个阻值还不能判断其好坏,必须互换
3、表笔再测一次,获得正反向两个阻值。只有当R内正反向阻值都符合标准,才能断定该集成块完好。在实际修理中,通常采用在路测量。先测量其引脚电压,如果电压异常,可断开引脚连线测接线端电压,以判断电压变化是外围元件引起,还是集成块内部引起。也可以采用测外部电路到地之间的直流等效电阻(称R外)来判断,通常在电路中测得的集成块某引脚与接地脚之间的直流电阻(在路电阻),实际是R内与R外并联的总直流等效电阻。在修理中常将在路电压与在路电阻的测量方法结合使用。有时在路电压和在路电阻偏离标准值,并不一定是集成块损坏,而是有关外围元件损坏,使R外不正常,从而造成在路电压和在路电阻的异常。这时便只能测量集成块内部直流等
4、效电阻,才能判定集成块是否损坏。根据实际检修经验,在路检测集成电路内部直流等效电阻时可不必把集成块从电路上焊下来,只需将电压或在路电阻异常的脚与电路断开,同时将接地脚也与电路板断开,其它脚维持原状,测量出测试脚与接地脚之间的R内正反向电阻值便可判断其好坏。2.压电陶瓷式扬声器检测方法1. 从外观上检查 压电陶瓷式扬声器,又叫作晶体式扬声器,主要检查压电片的表面有无破损、开裂;引线是否脱焊、虚焊。 2.“压电效应”的检测 用万用表不易测出其直流阻抗,但可以巧妙地利用“压电效应” 的逆过程来检测。将万用表置于微安挡,两表棒不分正、负极接在压电片的两极引出线上,然后用铅笔的橡皮头轻压平放于桌面上或玻
5、璃台板上的压电片,观察表头指针是否摆动。若表针有明显摆动,表明压电片完好,否则压电片失效。3.稳压二极管的稳压值测量方法兆欧表是一种常用的线路测试仪表,俗称摇表。轻轻一摇,兆欧表就能输出几十伏以上的直流电压,利用这点,我们可以轻松地测量稳压二极管的稳压值。将待测稳压管与一个20k电阻串联后接在兆欧表的输出上,再用三用表跨测稳压管上的压降,摇动兆欧表时可以发现,稳压管两端电压攀升至某一值后就不再变化,对应的这一数值就是稳压管的稳压值。由于稳压管是工作在反向状态的,因而在连接和测量时应认准极性。4.三极管检测经验(一):三极管材料与极性的判别晶体管材料与极性的判别1从晶体管的型号命名上识别其材料与
6、极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母AD表示晶体管的材料和极性。其中,“A”代表锗材料PNP型管,“B”代表锗材料NPN型管,“C”代表硅材料PNP型管,“D”代表硅材料NPN型管。*产晶体管型号命名的第三部分用字母AD来表示晶体管的材料和类型(不代表极性)。其中,“A”、“B”为PNP型管,“C”、“D”为NPN型管。通常,“A”、“C”为高频管,“B”、“D”为低频管。欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“A”和“B”表示晶体管的材料(不表示NPN或PNP型极性)。其中,“A”表示锗材料,“B”表示硅材料。2从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用晶体管之前,首先要识别晶体管各引脚的极
7、性。不同种类、不同型号、不同功能的晶体管,其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容,可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。 3用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管,可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。对于一般小功率晶体管,可以用万用表R100档或R1k档,用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。在测量中会发现:当黑表笔(或红表笔)接晶体管的某一引脚时,用红表笔(或黑表笔)去分别接触另外两个引脚,万用表上指示均为低阻值。此时,所测晶体管与黑表笔(或红表笔)连接的引脚便是基极B,而别外两个引脚为集电极C
8、和发射极E。若基极接的是红表笔,则该管为PNP管;若基极接的是黑表笔,则该管国NPN管。也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极,与红表笔或黑表笔接触,再用另一表笔去分别接触另外两个引脚,若测出两个均较小的电阻值时,则固定不动的表笔所接的引脚便是基极B,而另外两个引脚为发射极E和集电极C。找到基极B后,再比较基极B与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常,正向电阻值较大的电极为发射极E,正向电阻值较小的为集电极C。PNP型晶体管,可以将红表笔接基极B,用黑表笔分别接触另外两个引脚,会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中,黑表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的引
9、脚为发射极E。NPN型晶体管,可将黑表笔接基极B。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中,红表笔所接的引脚为集电极C;在阻值较大一次测量中,红表笔所接的引脚为发射极E。通过测量晶体管PN结的正、反向电阻值,还可判断出晶体管的材料(区分出是硅管还是锗管)及好坏。一般锗管PN结(B、E极之间或B、C极之间)的正向电阻值为200500,反向电阻值大于100k;硅管PN结的正向电阻值为315k,反向电阻值大于500k。若测得晶体管某个PN结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大,则可判断该管已击穿或开路损坏。三极管检测经验(二):三极管性能的检测1反向击穿电流的检测 普通晶体管的反向击穿电
10、流(也称反向漏电流或穿透电流),可通过测量晶体管发射极E与集电极C之间的电阻值来估测。测量时,将万用表置于R1k档,NPN型管的集电极C接黑表笔,发射极E接红表笔;PNP管的集电极C接红表笔,发射极E接黑表笔。正常时,锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10K(用R100档测,电阻值大于2k),锗大功率晶体管的电阻值为1.5k(用R10档测)以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100k(用R10k档测),实测值一般为500k以上。若测得晶体管C、E极之间的电阻值偏小,则说明该晶体管的漏电流较大;若测得C、E极之间的电阻值接近0,则说明其C、E极间已击穿损坏。若晶体管C、E极之间的电阻
11、值随着管壳温度的增高而变小许多,则说明该管的热稳定性不良。也可以用晶体管直流参数测试表的ICEO档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时,先将hFE/ICEO选择开关置于ICEO档,选择晶体管的极性,将被测晶体管的三个引脚插个测试孔,然后按下ICEO键,从表中读出反向击穿电流值即可。2放大能力的检测 晶体管的放大能力可以用万用表的hFE档测量。测量时,应先将万用表置于ADJ档进行调零后,再拨至hFE档,将被测晶体管的C、B、E三个引脚分别插入相应的测试插孔中(采用TO-3封装的大功率晶体管,可将其3个电极接出3根引线后,再分别与三个插孔相接),万用表即会指示出该管的放大倍数。若万用表无hFE档,则
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