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APG078N07K NChannel ShieldingGate MosfetFeature 70V,80ARos ON7.8m QVGs10V TYP:6.7 m QAdvanced Trench Power MOSFETProvide
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APG082N01 NChannel Enhancement MosfetFeature100V,100ARDSON8.2mVGS10V TYP:6.7mSplit Gate Trench TechnologyLead free produ
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APG080N12 NChannel Enhancement MosfetFeature 120V,106ARos ON8.Om Q VGs10VTYP:6.Sm QSplit Gate Trench TechnologyLead free
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AP40N唱OOKNChannel Power MOSFElProduct Summary V11蛐100V Feature h饵,似25m01DV 38mC4.5V T陪nchFET P创幽rMOSFETFastSwi协ingIn 40A
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APG095N01 NChannel Enhancement Mosfet剑.1WERDATA SHEET D Feature 100V,65ARos ON9.5m Q VGs10VTYP:8.0m QRos ON13m QVGs4.5VT
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AP25N06K NChannel Enhancement MosfetFeature60V,30ARDSON29mVGS10VTYP:24 m RDSON33mVGS4.5V TYP:28.5 m Advanced Trench Tech
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AP90N03Q NChannel Enhancement MosfetFeature 30V,90ARos ON4.2m QVGs10V TYP:3.6 m QRos.N7.0m Q VGs4.5V TYP:5.2 m QAdvanced
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AP30H150KA NChannel Enhancement MosfetFeature 30V,150ARos.N3m QVGs10VRos ON6m QVGs4.5VAdvanced Trench TechnologyLead fre
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AP3400A NChannel Enhancement MosfetFeature 30V,5.8ARos ON26m QVGs10V TYP18 m QRos ON32m QVGs4.5V TYP23 m QAdvanced Trenc
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APG022N06G NChannel Enhancement Mosfet Feature 60V,150ARos coN2.3m OVGs1 OVYP:1.9m0RosON3.5m OVGs4.5VTYP:3.0m oSplitGate
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附件1中成药规格表述技术指导原则一概述药品规格通常以单位制剂每粒片克毫升丸中所含药物成份的量表示.但是,中成药大多为复方制剂,所含成份复杂,难以直接在规格项下直接标示所含成份的量.目前,中成药的规格大多仅以单位制剂的重量或体积等表述,给临床
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国地质环境监测院自然资源部地质灾害技术指导中心招聘笔试冲刺题带答案解析一第一部分言语理解与表达本部分包括表达与理解两方面的内容.请根据题目要求,在四个选项中选出一个最恰当的答案.1电视媒体广告过多过滥,时间过长,早已为观众所诟病.明明是一集
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