晶体管工作原理.ppt
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1、上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.1 晶体管晶体管晶体管又称半导体三极管晶体管又称半导体三极管晶体管是最重要的一种半导体器件之一,它的放大晶体管是最重要的一种半导体器件之一,它的放大作用和开关作用,促使了电子技术的飞跃。作用和开关作用,促使了电子技术的飞跃。2 晶体管及放大电路基础晶体管及放大电路基础上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础晶体管图片晶体管图片上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.1.1 晶体管的结构晶体管的结构1.NPN型晶体管结构示意图和符号型晶体管结构示
2、意图和符号(2)根据使用的半导体材料分为根据使用的半导体材料分为:硅管和锗管硅管和锗管 (1)根据结构分为根据结构分为:NPN型和型和PNP型型晶体管的主要类型晶体管的主要类型上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础NNP发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极E(e)集电极集电极C(c)发射结发射结JE集电结集电结JC基极基极B(b)NPN型型晶体管晶体管结构示意图结构示意图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础NPN型型晶体管晶体管符号符号B(b)E(e)TC(c)NNP发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极E(e)集电极集电极C(c)发射结发射
3、结JE集电结集电结JC基极基极B(b)上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.PNP型晶体管结构示意图和符号型晶体管结构示意图和符号符号符号B(b)E(e)TC(c)E(e)发射区发射区集电区集电区基区基区PPNC(c)B(b)JEJC结构示意图结构示意图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础集电区集电区EBC发射区发射区基区基区(1)发射区小,掺杂浓度高发射区小,掺杂浓度高。3.晶体晶体管的内部结构特点(具有放大作用的内部条件)管的内部结构特点(具有放大作用的内部条件)平面型晶平面型晶体管的结体管的结构示意图构示意图上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基
4、础模拟电子技术基础(2)集电区面积大。集电区面积大。(3)基区掺杂浓度很低,且很薄。基区掺杂浓度很低,且很薄。集电区集电区EBC发射区发射区基区基区上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础2.1.2 晶体管的工作原理(以晶体管的工作原理(以NPN型管为例)型管为例)依据两个依据两个PN结的偏置情况结的偏置情况放大状态放大状态饱和状态饱和状态截止状态截止状态倒置状态倒置状态晶体管的工作状态晶体管的工作状态上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础1发射结正向偏置、集电结反向偏置发射结正向偏置、集电结反向偏置放大状态放大状态 原理图原理图电路图电路图+上页上页下页下页
5、返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础(1)电流关系电流关系a.发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子形成发射极电流形成发射极电流IE发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子称扩散到基区的发射称扩散到基区的发射区多子为非平衡少子区多子为非平衡少子上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础b.基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子形成空穴电流形成空穴电流上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度,因为发射区的掺杂浓度远大于基区浓度,空穴电流空穴电流可
6、忽略不记。可忽略不记。基区向发射区扩散空穴基区向发射区扩散空穴发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础c.基区电子的扩散和复合基区电子的扩散和复合非平衡少子在非平衡少子在基区复合,形基区复合,形成基极电流成基极电流IBIB非平衡少子向非平衡少子向集电结扩散集电结扩散上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础非平衡少子非平衡少子到达集电区到达集电区d.集电区收集从发射区扩散过来的电子集电区收集从发射区扩散过来的电子形成发射极电流形成发射极电流ICICIB上页上页下页下页返回返回模拟电子技术基础模拟电子技术基础少子漂移形成反少子
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