sd8512c开关电源同步整流控制ic内置N型功率MOS_骊微电子.pdf

士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 1 页 内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC 描述 SD8512C是内置N型功率MOSFET的同步整流控制IC（SR），配合原边控制电路，能在开关模式下提高系统效率。SD8512C高度集成，节省外部元件，简化系统设计。可应用在断续导通模式和临界导通模式下，由于多功能性，广泛应用在各种拓扑结构中。SD8512C适用5V输出系统，可采用输出端直接供电。主要特点 内置 N 型功率 MOSFET DR 管脚耐压 40V 最小关断时间保护 最大工作频率 100KHz SOP-8-225-1.27 应用 充电器 适配器 待机电源 产品规格分类 产品名称 封装类型 打印名称 环保等级 包装方式 SD8512C SOP-8-225-1.27 SD8512C 无卤 料管 SD8512CTR SOP-8-225-1.27 SD8512C 无卤 编带 士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 2 页 内部框图 驱动RSQ逻辑欠压锁定基准电压偏置电流最小导通时间最小关断时间VDD 5DR6DR32GND4VDD-180mV-5mV78DRDR1GNDGND 管脚排列图 GNDVDD1234865SD8512CDRDR7DRDRGNDGND 管脚说明 管脚号 管脚名称 I/O 功能描述 1、2、3 GND G 内置功率管源端和芯片地 4 VDD P 电源 5、6、7、8 DR I/O 内置功率管漏端和状态监测管脚 士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 3 页 极限参数（除非特殊说明，Tamb=25C）参 数 符 号 参数范围 单 位 供电电压 VDD-0.36 V DR电压 VDR-0.740 V 输入电流 IIN-1010 mA 工作结温 TJ+150 C 工作温度范围 Tamb-20+85 C 贮存温度范围 TSTG-40+150 C ESD（人体模式）ESD 2500 V 电气参数（除非特殊说明，VDD=4V，Tamb=25C）参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 供电电源部分 启动电流 IST VDD=2.9V；-50-A 静态工作电流 IDD VDD=5V，输出管脚无开关波形；-300-A 正常工作电流 IWORK DR为50KHz的方波，VDD=5V；-2-mA 启动电压 VST 2.8 3.0 3.2 V 关断电压 VSP 2.6 2.8 3.0 V 反馈部分 使能开启电压 VON -180-mV 使能关断电压 VOFF -5-mV 驱动导通延时 TONDELAY -200 ns 驱动关断延时 TOFFDELAY -200 ns 最小导通时间 TONMIN -2.4-uS 合封MOS管参数 源漏耐压值 V DS 40-V 导通电阻 RDSON -15-m 士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 4 页 参数温度特性曲线 200250300350400启动电流启动电流（uA）温度温度（C）-40-20204060080100120静态工作电流和温度关系静态工作电流和温度关系2.82.933.13.2启动电压启动电压（V）温度温度（C）-40-20204060080100120启动电压和温度关系启动电压和温度关系-160-170-180-190-200开启电压（mV）温度温度（C）-40-20204060080100120同步管开启电压和温度关系同步管开启电压和温度关系 功能描述 SD8512C 是内置 N 型功率 MOSFET 的同步整流控制 IC（SR），应用在断续或者临界导通模式下。配合原边控制电路，能在开关模式下提高系统的效率。电路启动 整机上电后，原边的功率管先导通，此时 VDD 管脚电压较低，不足以支持 SD8512C 正常工作。SD8512C 内部合封 MOS 管的衬底和漏端等效为二极管，给输出端电容充电。当 VDD 管脚电压大于 VST，SD8512C 开始正常工作。SD8512C 监控 DR 管脚电压，当 DR 管脚电压小于 VON时，内置的 MOS 管导通，作为低阻抗通路替换之前的寄生二极管，对输出电容充电。随着副边电感电流逐渐减小，DR 管脚电压缓慢升高，当 DR 管脚电压大于设定值 VOFF时，MOS 管关断，最后小电流通过寄生二极管给输出电容充电。DRGATE 内置 MOS 的驱动模块 最小导通时间设定 在应用中，变压器寄生电感和分布电容之间产生的震荡波形叠加在输出通路，SD8512C 的内置 MOS 管导通瞬间，其振荡的电压很可能会升高到截止阈值 VOFF，MOS 管会异常关断。为消除此类误动作，SD8512C 在产生 MOS 管驱动士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 5 页 信号同时会输出一个最小导通时间 TONMIN信号。在驱动电路将 MOS 开启后，保证 MOS 管在 TONMIN内持续导通，不受DR 管脚电压控制。应用电路图 DC OUT4321CSVDDFB87DrainDrain5GNDT1BD1Vac InputVINVauxVauxVDDGNDSD8512CDR6DrainDrain原边芯片 注：注：以上线路及参数仅供参考，实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 6 页 封装外形图 SOP-8-225-1.27 UNIT：mm L0.25beDA2 AA1EE1SYMBOLMILLIMETERMINNOMMAXA1.351.551.75A10.050.25A21.25-1.65b0.320.420.52c0.150.20.26D4.704.905.30E5.606.006.40E13.603.904.20e1.27BSC0.15cL0.30_1.27 MOS电路操作注意事项：静电在很多地方都会产生，采取下面的预防措施，可以有效防止 MOS 电路由于受静电放电影响而引起的损坏：重要注意事项重要注意事项：操作人员要通过防静电腕带接地。设备外壳必须接地。装配过程中使用的工具必须接地。必须采用导体包装或抗静电材料包装或运输。士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。最新和完整。我司产品属于消费类和我司产品属于消费类和/或民用类电子产品。或民用类电子产品。在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等转售、应用、出口时请遵守中国、美国、英国、欧盟等国家、地区和国际出口管制法律法规。国家、地区和国际出口管制法律法规。产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！我司网站我司网站 http:/ 注意！静电敏感器件 操作 ESDS 产品应采取 防护措施 士兰微电子 SD8512C 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号：1.3 http:/ 共 7 页第 7 页 产品名称：SD8512C 文档类型：说明书 版权：杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页：http:/ 版 本：1.3 修改记录：1.调整 VDD 耐压 2.修改合封功率管导通电阻 3.修改产品规格分类 4.修改重要注意事项 版 本：1.2 修改记录：1.更新内部框图 2.优化功能描述 版 本：1.1 修改记录：1.删除 VDD 电压 版 本：1.0 修改记录：1.正式版本发布