光敏二极管芯片制作流程.ppt
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1、 C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部工程技术OPTOOPTO产品介绍产品介绍 C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部工程技术OPTOOPTO产品是什么?产品是什么?OPTO产品指的是车间生产的光敏二极管和光敏三极管,从命名上可以看出这种产品对光是非常敏感的,产品结构及制造工艺与普通的晶体管也有一定的区别,故电特性也是有其独特的地方。光敏二光敏二极极管:管:英文为PHOTO DIODE,简称为PDI,它是在反向电压作用下工作的,没有光照时,反向电流极其微弱,叫暗电流;有光照时,反向电流迅速增大到 几十微安,称为光电流.光的强度越大,反向电流也越大.光的变化引起光电
2、二极管电流变化,这就可以把光信号转换成电信号,成为光电传感器件。光敏三光敏三极极管:管:英文为PHOTO TRANSISTOR,简称为PTR,它和普通三极管相似,也有电流放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部工程技术PDIPDI产品产品PROCESSPROCESS(1 1)PROCESS PROCESS PDP01(PBF)PDP01(PBF)STEPSTEPAUK-D CONDITION/RECIPESPEC.1ST OXIDATION1ST OXIDATION(R)1050 3(O2)+70(STE
3、M)+1(O2)18TUBE/#109TOX=58006800 P+PEPP+PEPTIME:480(BOE 7:1)PLAPBF COATINGPBF COATING3M-31CP COATINGPBF COATER/#09T=38004200P+DIFFUSIONP+DIFFUSION(R)1000 78(N2/LO2=3/0.15)23 TUBE/#720RS=1521/LTOLTO770 15(N2/WO2=0.5/3)24 TUBE/#123P+P+DRIVEDRIVE1020 22 TUBE/#753TOX=34004400 5(N2/O2)+35(N2/WO2/HCL)+27(N
4、2/O2)RS=3450/N+PEPN+PEP WET Etch TIME:660(BOE 7:1)PLAN+DIFFUSIONN+DIFFUSION950 15(N2/O2)+1335(POCl3)+5 N2/O2)A-1/14 TUBE/#216RS=823/N+N+DRIVEDRIVE900 15(N2/O2)+70(ST)+5 N2/O2)13TUBE/#348TOX=45005500 RS=1025/SIN PEPSIN PEPTIME:480(BOE 7:1)PLAPECVDPECVDOXFORD/#06TSIN=13001500 CNT PEPCNT PEPWET Etch TI
5、ME:480(BOE 7:1)PLAMETALMETALPURE ALSPUTTER/#1Al=20000METAL PEPMETAL PEPAL WET ETCHPLASINTERSINTER450,25min,N216 TUBE/#643BACK BACK METALMETALBHF:CH3C00H=2:1 10 DIPT=1500150Temp.=250,=1.310-4PaVES-2550/#01TCr=50050 TAu=1000100 C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部工程技术PDIPDI产品产品PROCESSPROCESS(2 2)PROCESS PROCESS
6、 PDP05PDP05STEPSTEPAUK-D CONDITION /RECIPE SPEC.1ST OXIDATION1ST OXIDATION(R)1050 5(O2)+140(STEM)+30(O2)*Recipe 18 TUBE/#105TOX=72008800 P+PEPP+PEP WET Etch TIME:720(BOE 7:1)MPAPBF COATINGPBF COATING3M-31CP COATING PBF COATER/#09T=38004200P+DIFFUSIONP+DIFFUSION(R)1000 78(N2/LO2=3/0.15)23 TUBE/#720RS
7、=1521/LTOLTO770 15(N2/WO2=0.5/3)24 TUBE/#123P+P+DRIVEDRIVE1020 22 TUBE/#769TOX=1000 5(N2/O2)+70(N2/O2)+5(N2/O2)(Recipe)RS=2233/DEWETDEWET WET Etch TIME:70(BOE 7:1)WETPECVD PECVD SIN=1100 Target ()OXFORD/#_TSIN=10001150 CNT PEPCNT PEP WET Etch TIME:420(BOE 7:1)MPAMETALMETALPURE AL,15:1 HF=10SPUTTER/#
8、1Al=20000METAL PEPMETAL PEP AL WET ETCHMPASINTERSINTER450,30min,N216 TUBE/#645M/PM/P*Manual _ Manual Sheet Curve Tracer BACK BACK METALMETALBHF:CH3C00H=2:1 10 DIPT=1500150Temp.=250,=1.310-4PaVES-2550/#01TCr=50050 TAu=1000100EDSEDS TEST _ Probe CardAUTO TESTERPGM C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部工程技术PDIPDI产
9、品工艺流程产品工艺流程(DS3-23)(DS3-23)1ST OXIDEOXIDEP+ETCHOXIDEP+PHOTOOXIDEPRP+DIFFOXIDEP+N+ETCHOXIDEP+N+PHOTOOXIDEPRP+N+DIFFOXIDEP+N+SIN ETCHOXIDEP+N+SIN PHOTOOXIDEPRP+N+CNT ETCHP+N+SINCNT PHOTOPRP+N+SINPECVDP+N+SINAl ETCHP+N+SINAlAl DEPOP+N+SINAlB/MP+N+SINAlCr/AUPRAlSINP+N+Al PHOTO C&I3N2B AUK-D FABFAB部工程技术部
10、工程技术PDIPDI产品参数产品参数DEVICEDEVICE原资材原资材PROCESSPROCESSMASKMASK曝光方式曝光方式CHIP SIZECHIP SIZECHIPCHIP数数特性特性NAMETHICKRESISTIVITYVF()ID()BVR()SD-202SD-202SWP-5024001520008000PDP50DS3-20MPA,PLA2.0mm2.0mm27591.31070DP2-16DP2-16SWP-5024001530008000PDP50DP2-16MPA,PLA1.6mm1.6mm43411.51065DS3-23DS3-23SWN-50340015200
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