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类型扩散工艺说明(尚德).docx

  • 上传人:xrp****65
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  • 上传时间:2025-03-02
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    关 键  词:
    扩散 工艺 说明
    资源描述:
    SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩 散 工位编号 KS 需要人数 第1张共7张 流向 ZBKS 1. 目 的 确保单晶硅磷扩散工艺处于稳定受控状态 2. 适用范围 适用于单晶硅磷扩散工序 3. 责 任 本工艺说明由技术部负责 4. 内 容 4.1 工艺流程 4.1 按照设备点检表点检设备是否完好,符合运行条件。 4.2 升温 4.2.1 按照《扩散设备操作规程》进行升温。对于不常用的炉管,需先进行一次饱和。 4.3 装片、检验(见附页一) 4.3.1 打开传递窗,将片盒从传递窗拿出放到净化工作台里; 4.3.2 用舟叉将空石英舟端至净化工作台; 4.3.3 用石英真空吸笔将片盒内的硅片移至石英舟槽内,每槽2片; 4.3.4 在装片过程中,需检验硅片表面是否干净。若硅片两面都不干净,做返工片处理;若一面干净,一面不干净,则将干净面作为扩散面; 4.3.5 检查硅片是否有裂纹,若有裂纹作碎片处理。 4.4 上桨(见附页二) 4.4.1 用舟叉将石英舟平稳端出净化台,石英舟微微向上倾斜,约15°,端至碳化硅桨上,一边靠近匀流板约13cm。 4.5 扩散 4.5.1 按照《扩散设备操作规程》,开启设备,具备生产条件; 4.5.2 点击触摸屏上的“工艺运行”按钮,输入正确的工艺号,参照《扩散工序工艺参数表》,检查各工艺参数是否符合要求,点击“确认”按钮,运行扩散工艺。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第1页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩 散 工位编号 KS 需要人数 第2张共7张 流向 ZBKS 4.6 方块电阻测量(见附页三) 4.6.1 扩散工艺运行完毕后,用舟叉将石英舟端至卸片台,按照从炉口到炉尾的方向依次均匀的取五片,放入片盒中,注意区分扩散面和非扩散面,扩散面一定要朝片盒的大面放置。 4.6.2 按照《四探针测试仪操作规程》测量方块电阻,测量硅片中心点和四个角的方块电阻值,测量四角方块电阻时注意探针距硅片边缘的距离要大于1cm,测完后关闭四探针主机电源,并且正确填写《方块电阻记录表》。 4.6.3 方块电阻值要求在40±5Ω范围内,不均匀度不超过10%,如超出该范围,应立即通知工艺人员。不均匀度的定义为:计算五片硅片的方块电阻平均值,在这五个数值中取最大值和最小值, (R最大-R最小)/(R最大+R最小)×100%即为不均匀度。 4.7 卸片、检验(见附页四) 4.7.1 若方块电阻无异常,则将石英舟上扩散后的硅片装至黑色承载盒中,确保所有硅片扩散面向上。 4.7.2 通过传递窗流入下道工序。 4.8 工艺参数 4.8.1 扩散工艺参数 在各炉管中,均定义为01号工艺。 时间(分钟) 温度(℃) 大N2(L/min) 小N2(L/min) O2(L/min) 源温(℃) 进炉 6 840~890 25~30 20 稳定 9 840~890 25~30 20 通源 20~30 840~890 25~30 1.6~2.0 1.8~2.2 20 吹氮 10 840~890 25~30 20 出炉 10 840~890 25~30 20 注:因各炉管之间的差异,所以各工艺参数之间也存在差异,上表给出的是正常的工艺参数的 范围。 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第2页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩 散 工位编号 KS 需要人数 第3张共7张 流向 ZBKS 4.8.2 TCA清洗工艺 在各炉管中,均定义为02号工艺。 时间(分钟) 温度(℃) 大N2(L/min) 小N2(L/min) O2(L/min) 源温(℃) 通氧 5 1050 25 10.0 20 通源 480 1050 25 1.0 10.0 20 吹氧 10 1050 25 10.0 20 4.9 注意事项 4.9.1 各个炉管工艺参数操作者不得随意改动。 4.9.2本工序必须穿戴连体洁净工作服、洁净工作鞋、洁净工作帽、乳胶手套及口罩。 4.9.3 必须正确填写《电池线生产日报&交接表》。 5.引用文件 扩散设备操作规程:SF/QD-设备-02 炉管清洗工艺操作规程:SF/QD-工艺-03 扩散检验工艺规程:SF/QD-工艺-13 四探针测试仪操作规程:SF/QD-设备-12 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第3页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩散 工位编号 KS 需要人数 第4张共7张 流向 ZBKS 附页一:装片、检验 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第4页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 插 片 插片时必须穿好洁净工作服。 净化工作台 严禁裸手操作,一定要戴好乳胶手套,且不得用手直接接触硅片和石英舟。 石英吸笔,从片盒中吸取硅片插到石英舟内。 片 盒 石英舟,每个槽插两片硅片 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩散 工位编号 KS 需要人数 第5张共7张 流向 ZBKS 附页二:上桨 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第5页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 上 桨 移动、放置石英舟时,一定要小心轻放! 触摸屏 碳化硅桨,易碎 安装、拆卸时切勿碰撞! 距离13cm 匀流板 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩散 工位编号 KS 需要人数 第6张共7张 流向 ZBKS 附页三:方块电阻测量 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第6页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 四探针测试台 测 量 四探针主机 扩散面朝上 如实填写《方块电阻记录表》,如有异常情况,及时通知工艺人员。 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名 SF 工艺说明 产品名称 单晶硅电池片 编号 SF5.405.010GGS 产品图号 SF5.405.010 版号 01 工位名称 扩散 工位编号 KS 需要人数 第7张共7张 流向 ZBKS 附页四:卸片、检验 5.引用文件 扩散设备操作规程:SF/QD-设备-02 炉管清洗工艺操作规程:SF/QD-工艺-03 扩散检验工艺规程:SF/QD-工艺-13 更改标记 数量 更改单号 签 名 日 期 签 名 日 期 第7页 拟 制 审 核 共7页 标准化 批 准 卸 片 卸片台,不得放置异物,以免污染硅片! 扩散面一律朝上! 承载盒 旧底图总号 底 图 总 号 日 期 签 名
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