Array工艺技术基础.pptx
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1、1B2 Project TeamArrayArrayArrayArray工工工工艺艺构构构构成成成成2B2 Project TeamThin-Film-Thin-Film-Thin-Film-Thin-Film-EQPEQPEQPEQP-L/UL Chamber:在ATM和Vacuum两个状态之间传送Glass的Chamber-Transfer Chamber:把玻璃基板在各个周边的Chamber之间进行传送的Chamber,内有一个Vacuum Robot。-Sputter Chamber:进行Deposition的Chamber。3B2 Project TeamSputter Chambe
2、r的主要构成有:-Platen:用来放玻璃基板(Gate 有2个,SD、ITO为1个)-Cathode:包括Target、Shield、Magnet Bar等构成部分-Motor:有Plate转动的Motor、Plate 升降的Cylinder、Cathode开关的Motor、Magnetic Bar运动的Motor等。Sputter-SP ChamberSputter-SP ChamberSputter-SP ChamberSputter-SP Chamber4B2 Project TeamSystem ComponentsSystem ComponentspAutomated casset
3、te load station ACLS(optional)The system hardware consists of three major components:pMainframepRemote modules5B2 Project TeamRemote Support EquipmentRemote Support EquipmentHeat Exchanger-The heat exchanger provides DI water to the RF match for cooling purposesProcess Pumps-Provides vacuum to the p
4、rocess chambersRF generator-The RF generator supplies Radio Frequency to the process chamber for the purpose of creating a plasmaMainframe Pump-Provides vacuum to the transfer and loadlock chambers.Remote AC Power Box-Facility power is connected from customer facilities to the remote AC power box on
5、 the remote service module-All electrical power to the system is distributed from the AC power box6B2 Project TeamDeposition-PECVDDeposition-PECVDDeposition-PECVDDeposition-PECVDGAS INPlasmaGAS OUTGlassRF Power13.56MHzSiH4,NH3PH3等4EA GNDDiffuserSusceptorProcess chamber7B2 Project TeamDeposition-PECV
6、DDeposition-PECVDDeposition-PECVDDeposition-PECVDACLSACLS Automatic Cassette Load StationAutomatic Cassette Load StationLoad lock ChamberLoad lock ChamberTransfer Chamber(X-Fer)Transfer Chamber(X-Fer)Process ChamberProcess Chamber8B2 Project TeamLayer名称使用气体描述MultiGHSiH4+NH3+N2对Gate信号线进行保护和绝缘的作用GLALS
7、iH4+H2在TFT器件中起到开关作用AHNPSiH4+PH3+H2减小a-Si层与S/D信号线的电阻PVXSiNxSiH4+NH3+N2对S/D信号线进行保护PECVD PECVD PECVD PECVD 所做各层膜概要所做各层膜概要所做各层膜概要所做各层膜概要9B2 Project Team(1)SiNX绝缘膜:通过SiH4与NH3混合气体作为反应气体,生成等离子体在衬底上成膜。(2)a-Si:H有源层膜:SiH4气体在反应室中,经过一系列初级、次级反应,生成包括离子、子活性基 团等较复杂的反应产物,最终生成a-Si:H薄膜沉积在衬底上,其中直接参与薄膜生长的主要是一些中性产物SiHn(n
8、为03)(3)n+a-Si:H欧姆接触层:在SiH4气体中参入少量PH3气体在衬底上成膜。PECVD PECVD PECVD PECVD 绝缘膜、有源膜成膜机理绝缘膜、有源膜成膜机理(1)a-Si:H:低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高(2)a-SiNx:H:i.作为介质层和绝缘层,介电常数适中,耐压能力强,电阻率高,固定电荷少,稳定性好,含富氮材料,针孔少,厚度均匀。ii.作为钝化层,密度较高,针孔少。(3)n+a-Si:具有较高的电导率,较低的电导激活能,较高的参杂效率,形成微晶薄膜。-成膜机理-膜性能要求10B2 Project TeamEtchEtchEtchEtchEt
9、ch RateRequirementItemsUniformitySelectivityProfileCD BiasRequirement Items of Wet Etch11B2 Project TeamFICD SizeGlass SUBSTRATEFILMDICD SizePHOTOTESISTCD BIAS|DICD FICD|说明:1、CD:Critical Dimension DICD:Development Inspection CD,PR间距离(有PR)FICD:Final Inspection CD,刻蚀完后,无PR。OL:各mask之间对位的偏差。2、干法刻蚀主要以垂直方
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