pecvd质量检验员培训.pptx
《pecvd质量检验员培训.pptx》由会员分享,可在线阅读,更多相关《pecvd质量检验员培训.pptx(41页珍藏版)》请在咨信网上搜索。
1、等离子刻蚀干法刻蚀:激光刻蚀、等离子刻蚀干法刻蚀:激光刻蚀、等离子刻蚀 缺点:衬底损伤、残余物污染、金属杂质 优点:优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌好的物理形貌(这是各向同性反应)(这是各向同性反应)、对温度变化不那么敏感、重复性好、避免了化学废液湿法刻蚀:化学腐蚀湿法刻蚀:化学腐蚀 缺点:缺乏各向同性、工艺难控制和过度的颗粒沾污 优点:一般不产生衬底损伤等离子刻蚀刻蚀的目的 由于在扩散过程中,硅片的所有表面(包括边缘)都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路,所以要通过刻蚀去除边
2、缘的扩散层。等离子刻蚀刻蚀的目的等离子刻蚀等离子刻蚀原理等离子刻蚀原理 等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应,使反应气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活气体激活成活性粒子,如原子或游离基,这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材性粒子扩散到需刻蚀的部位,在那里与被刻蚀材料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。料进行反应,形成挥发性生成物而被去除。CF4-CF4-CF3CF3、CF2CF2、CFCF、F F、C C以及他们的离子以及他们的离子 等离子刻蚀等离子刻蚀的一般步骤等离子刻蚀的一般步骤 1 1、反应室的气体被等离子体、反应室的气体被等离
3、子体分离成可化学反应的元素 2、这些元素扩散并吸附扩散并吸附在硅片表面 3、这些元素在硅表面上进行表面扩散表面扩散,直到发生反应反应 4、反应生成物解吸解吸,离开硅片并排放等离子刻蚀等离子刻蚀工艺参数 1、射频功率(反射功率)2、辉光时间 3、压力 4、气体流量等离子刻蚀刻蚀不当造成的影响等离子刻蚀刻蚀不当造成的影响等离子刻蚀太阳电池等效电路等离子刻蚀刻蚀的控制刻蚀的控制 防止刻蚀不够:关注设备运行状态、主要是检防止刻蚀不够:关注设备运行状态、主要是检查辉光功率与反射功率、控制辉光时间、关注辉查辉光功率与反射功率、控制辉光时间、关注辉光颜色光颜色 防止刻蚀过头:目前的功率下等离子对硅片的防止刻
4、蚀过头:目前的功率下等离子对硅片的轰击作用应该是不大的,需要将硅片尽量的夹紧,轰击作用应该是不大的,需要将硅片尽量的夹紧,硅片之间缝隙尽量的小,当然还要控制碎片率硅片之间缝隙尽量的小,当然还要控制碎片率等离子刻蚀冷热探针法原理等离子刻蚀冷热探针法原理冷热探针法原理 热探针和热探针和N N型半导体接触时,传导电子将流向型半导体接触时,传导电子将流向温度较低的区域,使得热探针处电子缺少,因而温度较低的区域,使得热探针处电子缺少,因而其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是低其电势相对于同一材料上的室温触点而言将是低的。的。同样道理,同样道理,P P型半导体热探针触点相对于室温型半导体热探针触点相对
5、于室温触点而言将是高的。触点而言将是高的。此电势差可以用简单的微伏表测量。此电势差可以用简单的微伏表测量。热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探热探针的结构可以是将小的热线圈绕在一个探针的周围,也可以用小型的电烙铁。针的周围,也可以用小型的电烙铁。等离子刻蚀冷热探针检验注意事项冷热探针检验注意事项 1 1、先放冷探针,再放热探针、先放冷探针,再放热探针 2 2、检测时重点测试叠放不整齐处和颜色偏暗处、检测时重点测试叠放不整齐处和颜色偏暗处 3 3、戴棉纱手套,防止高温烫伤、戴棉纱手套,防止高温烫伤 4 4、表笔距离在、表笔距离在2-5mm2-5mm内,尽量接触在一个硅片上内,尽量接触在一个硅
6、片上 5 5、刻蚀后的硅片在冷却一段时间后再检测、刻蚀后的硅片在冷却一段时间后再检测 6 6、现在用的万用表是装干电池的,每次检测完毕、现在用的万用表是装干电池的,每次检测完毕要及时的关掉电源,节省电量要及时的关掉电源,节省电量 清洗-去PSG磷硅玻璃的定义磷硅玻璃的定义 在扩散过程中发生如下反应:在扩散过程中发生如下反应:POCl3POCl3分解产生的分解产生的P2O5P2O5淀积在硅片表面,淀积在硅片表面,P2O5P2O5与与SiSi反反应生成应生成SiO2SiO2和磷原子:和磷原子:这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2SiO2,称之为,称之为磷
7、硅玻璃磷硅玻璃清洗-去PSG氢氟酸介绍氢氟酸介绍 氢氟酸是无色透明的液体,浓氢氟酸含氟化氢氢氟酸是无色透明的液体,浓氢氟酸含氟化氢的量可达的量可达48%-50%48%-50%。含氟化氢。含氟化氢35%35%的氢氟酸比重的氢氟酸比重为为1.141.14,沸点,沸点120120。氢氟酸具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐氢氟酸具有较弱的酸性、易挥发性和很强的腐蚀性。氢氟酸的酸性比盐酸、硫酸、硝酸都弱很蚀性。氢氟酸的酸性比盐酸、硫酸、硝酸都弱很多,它虽也能溶解许多金属,但不能溶解金、铂、多,它虽也能溶解许多金属,但不能溶解金、铂、铜、铅等金属。铜、铅等金属。氢氟酸具有一个很重要的特性是它能溶解二氧氢氟
8、酸具有一个很重要的特性是它能溶解二氧化硅,因此不能装在玻璃瓶里。化硅,因此不能装在玻璃瓶里。清洗-去PSG清洗的原理清洗的原理 氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。清洗-去PSG清洗的原理清洗的原理 总反应式为:总反应式为:清洗-去PSG半导体生产中杂质沾污的分类半导体生产中杂质沾污的分类 1 1、分子型杂质、分子型杂质
9、2 2、离子型杂质、离子型杂质 3 3、原子型杂质、原子型杂质清洗方法清洗方法 1 1、湿法清洗:普遍应用的方法是、湿法清洗:普遍应用的方法是RCARCA清洗方法以清洗方法以及基于及基于RCARCA清洗方法的一些改进方法清洗方法的一些改进方法 2 2、干法清洗:激光束、等离子、干法清洗:激光束、等离子清洗-去PSGRCARCA清洗方法简介清洗方法简介 RCARCA清洗方法中使用的碱性过氧化氢清洗液清洗方法中使用的碱性过氧化氢清洗液(又称(又称号清洗液)由去离子水、号清洗液)由去离子水、30%30%的过氧化的过氧化氢和氢和25%25%的浓氨水按一定配比混合而成。它们的的浓氨水按一定配比混合而成。
10、它们的体积比是去离子水:体积比是去离子水:H2O2H2O2:NH4OH=5NH4OH=5:1 1:1 1到到5 5:2 2:1 1。RCARCA清洗方法中使用的酸性过氧化氢清洗液清洗方法中使用的酸性过氧化氢清洗液(又称(又称号清洗液)由去离子水、号清洗液)由去离子水、3030的过氧化的过氧化氢和氢和37%37%的浓盐酸按一定配比混合而成。它们的的浓盐酸按一定配比混合而成。它们的体积比是去离子水:体积比是去离子水:H2O2H2O2:HCLHCL为为6 6:1 1:1 1到到8 8:2 2:1 1。清洗-去PSG清洗效果的判断清洗效果的判断 亲水性:清洗前硅片表面亲水性:清洗前硅片表面SiSi大部
11、分以大部分以OO键为终键为终端结构,形成一层自然氧化膜,呈亲水性。端结构,形成一层自然氧化膜,呈亲水性。疏水性:清洗后硅片最外层的疏水性:清洗后硅片最外层的SiSi几乎是以几乎是以H H键键为终端结构,表面呈疏水性。为终端结构,表面呈疏水性。从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时从能量观点看,疏水性表面属低能表面,这时硅表面张力硅表面张力rSGrSG小于水分子表面张力小于水分子表面张力rSLrSL,而亲水,而亲水表面属高能表面,这时的硅表面张力表面属高能表面,这时的硅表面张力rSGrSG大于水大于水分子表面张力分子表面张力rSLrSL。清洗-去PSG清洗不好造成的影响清洗不好造成的影响 1
- 配套讲稿:
如PPT文件的首页显示word图标,表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制:
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片,仅作为作品整体效果示例展示,禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词:
- pecvd 质量 检验员 培训
1、咨信平台为文档C2C交易模式,即用户上传的文档直接被用户下载,收益归上传人(含作者)所有;本站仅是提供信息存储空间和展示预览,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿,我们不确定上传用户享有完全著作权,根据《信息网络传播权保护条例》,如果侵犯了您的版权、权益或隐私,请联系我们,核实后会尽快下架及时删除,并可随时和客服了解处理情况,尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确),网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据,平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺,下载前须认真查看,确认无误后再购买,务必慎重购买;若有违法违纪将进行移交司法处理,若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传,付费前请自行鉴别,如您付费,意味着您已接受本站规则且自行承担风险,本站不进行额外附加服务,虚拟产品一经售出概不退款(未进行购买下载可退充值款),文档一经付费(服务费)、不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印,是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已,我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改,文档下载后都不会有水印标识(原文档上传前个别存留的除外),下载后原文更清晰;试题试卷类文档,如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案,请知晓;PPT和DOC文档可被视为“模板”,允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容;PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得,本站不作要求视为允许,下载前自行私信或留言给上传者【可****】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权,请谨慎使用;网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽--等)目的在于配合国家政策宣传,仅限个人学习分享使用,禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题,请及时私信或留言给本站上传会员【可****】,需本站解决可联系【 微信客服】、【 QQ客服】,若有其他问题请点击或扫码反馈【 服务填表】;文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“【 版权申诉】”(推荐),意见反馈和侵权处理邮箱:1219186828@qq.com;也可以拔打客服电话:4008-655-100;投诉/维权电话:4009-655-100。