光电耦合器技术参数.doc

　　光电耦合器的技术参数可分为输入特性、输出特性、、隔离特性、传输特性等几大部分。

　　一、输入特性

　　光耦合器的输入特性实际也就是其内部发光二极管的特性。常见的参数有：

　　1.正向工作电压Vf（ForwardVoltage）

　　Vf是指在给定的工作电流下，LED本身的压降。常见的小功率LED通常以If=20mA来测试正向工作电压，当然不同的LED，测试条件和测试结果也会不一样。

　　2.反向电压Vr（ReverseVoltage）

　　是指LED所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED。在使用交流脉冲驱动LED时，要特别注意不要超过反向电压。

　　3.反向电流Ir（ReverseCurrent）

　　通常指在最大反向电压情况下，流过LED的反向电流。

　　4.允许功耗Pd（MaximumPowerDissipation）

　　LED所能承受的最大功耗值。超过此功耗，可能会损坏LED。

　　5.中心波长λp（PeakWaveLength）

　　是指LED所发出光的中心波长值。波长直接决定光的颜色，对于双色或多色LED，会有几个不同的中心波长值。

　　6.正向工作电流If（ForwardCurrent）

　　If是指LED正常发光时所流过的正向电流值。不同的LED，其允许流过的最大电流也会不一样。

　　7.正向脉冲工作电流Ifp（PeakForwardCurrent）

　　Ifp是指流过LED的正向脉冲电流值。为保证寿命，通常会采用脉冲形式来驱动LED，通常LED规格书中给中的Ifp是以0.1ms脉冲宽度,占空比为1/10的脉冲电流来计算的。

　　二、输出特性

　　光耦合器的输入特性实际也就是其内部光敏三极管的特性，与普通的三极管类似。常见的参数有：

　　1.集电极电流Ic（CollectorCurrent）

　　光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。

　　2.集电极-发射极电压Vceo（C-EVoltage）

　　集电极-发射极所能承受的电压。

　　3.发射极-集电极电压Veco（E-CVoltage）

　　发射极-集电极所能承受的电压

　　4.反向截止电流Iceo

　　发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。

　　5.C-E饱和电压Vcd(sat)（C-ESaturationVoltage）

　　发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。

　　三、隔离特性

　　1．入出间隔离电压Vio（IsolationVoltage）

　　光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

　　2．入出间隔离电容Cio（IsolationCapacitance）：

　　光耦合器件输入端和输出端之间的电容值

　　3．入出间隔离电阻Rio：（IsolationResistance）

　　半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

　　四、传输特性：

　　1．电流传输比光电耦合器CTR（CurrentTransferRadio）

　　输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

　　2．上升时间Tr（RiseTime）&下降时间Tf（FallTime）

　　光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。

　　其它参数诸如工作温度、耗散功率等不再一一敷述。
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