清洗液在芯片制造过程中的应用.doc

清洗液在芯片制造过程的应用

毕业设计

清洗液在芯片制造过程中的应用

系 电子信息工程系
专业 微电子技术 姓名
班级 微电 学号 1010336
指导教师 颖 职称 导师
设计时间 2012.9.15－2013.1.4

目录
摘要 3
第一章 引言 4
1.1 课题背景 4
1.2 课题意义 6
第二章 清洗原理 7
2.1清洗的基本原理 7
2.2 去除颗粒和玷污的机理 7
2.3 去除颗粒 7
2.4 去除金属杂质 10
2.5目前公司主要的清洗设备 12
第三章 半导体硅片RCA清洗技术 13
3.1 RCA清洗法的发展 13
3.2　RCA清洗技术具体工艺 13
第四章 目前主要的清洗液 16
4.1 主要清洗液 16
第五章 总结 19
致谢 20
参考文献 21

摘要
本文主要介绍清洗液在芯片制作过程中的应用。主要清洗液包括APM(SC-1)（一号液）（NH4OH∶H2O2∶H2O），HPM(SC-2)（二号液）（HCl∶H2O2∶H2O），SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O），DHF(HF(H2O2)∶H2O）。以及目前主要清洗液的分类以及组成成分，使用时注意事项以及去除各种污染物的方法，相关问题本文将做进一步解释。半导体硅片RCA清洗技术工艺的发展。
关键词：清洗液；污染杂质；；清洗的设备仪器

第一章 引言
1.1 课题背景
中国是世界上增长最快的半导体市场，目前中国市场占全球市场约15%。据市场调研机构预测，中国在2008年前将成为全球最大的半导体市场，市场份额约占全球市场25%。自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路（IC）后，随着硅平面技术的发展，二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路，它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃，创造了一个前所未有的具有极强渗透力和旺盛生命力的新兴产业集成电路产业。
回顾集成电路的发展历程，我们可以看到，自发明集成电路至今40多年以来，"从电路集成到系统集成"这句话是对IC产品从小规模集成电路（SSI）到今天特大规模集成电路（ULSI）发展过程的最好总结，即整个集成电路产品的发展经历了从传统的板上系统（System-on-board）到片上系统（System-on-a-chip）的过程。在这历史过程中，世界IC产业为适应技术的发展和市场的需求，其产业结构经历了三次变革。
第一次变革：以加工制造为主导的IC产业发展的初级阶段。
70年代，集成电路的主流产品是微处理器、存储器以及标准通用逻辑电路。这一时期IC制造商（IDM）在IC市场中充当主要角色，IC设计只作为附属部门而存在。这时的IC设计和半导体工艺密切相关。IC设计主要以人工为主，CAD系统仅作为数据处理和图形编程之用。IC产业仅处在以生产为导向的初级阶段。
第二次变革：Foundry公司与IC设计公司的崛起。
80年代，集成电路的主流产品为微处理器（MPU）、微控制器（MCU）及专用IC（ASIC）。这时，无生产线的IC设计公司（Fabless）与标准工艺加工线（Foundry）相结合的方式开始成为集成电路产业发展的新模式。
随着微处理器和PC机的广泛应用和普及（特别是在通信、工业控制、消费电子等领域），IC产业已开始进入以客户为导向的阶段。一方面标准化功能的 IC已难以满足整机客户对系统成本、可靠性等要求，同时整机客户则要求不断增加IC的集成度，提高保密性，减小芯片面积使系统的体积缩小，降低成本，提高产品的性能价格比，从而增强产品的竞争力，得到更多的市场份额和更丰厚的利润；另一方面，由于IC微细加工技术的进步，软件的硬件化已成为可能，为了改善系统的速度和简化程序，故各种硬件结构的ASIC如门阵列、可编程逻辑器件（包括FPGA）、标准单元、全定制电路等应运而生，其比例在整个IC销售额中 1982年已占12％；其三是随着EDA工具（电子设计自动化工具）的发展，PCB设计方法引入IC设计之中，如库的概念、工艺模拟参数及其仿真概念等，设计开始进入抽象化阶段，使设计过程可以独立于生产工艺而存在。有远见的整机厂商和创业者包括风险投资基金（VC）看到ASIC的市场和发展前景，纷纷开始成立专业设计公司和IC设计部门，一种无生产线的集成电路设计公司（Fabless）或设计部门纷纷建立起来并得到迅速的发展。同时也带动了标准工艺加工线（Foundry）的崛起。全球第一个Foundry工厂是1987年成立的台湾积体电路公司，它的创始人张忠谋也被誉为"晶芯片加工之父"。
第三次变革："四业分离"的IC产业
90年代，随着INTERNET的兴起，IC产业跨入以竞争为导向的高级阶段，国际竞争由原来的资源竞争、价格竞争转向人才知识竞争、密集资本竞争。以DRAM为中心来扩大设备投资的竞争方式已成为过去。如1990年，美国以Intel为代表，为抗争日本跃居世界半导体榜首之威胁，主动放弃 DRAM市场，大搞CPU，对半导体工业作了重大结构调整，又重新夺回了世界半导体霸主地位。这使人们认识到，越来越庞大的集成电路产业体系并不有利于整个IC产业发展，"分"才能精，"整合"才成优势。于是，IC产业结构向高度专业化转化成为一种趋势，开始形成了设计业、制造业、封装业、测试业独立成行的局面（如下图所示），近年来，全球IC产业的发展越来越显示出这种结构的优势。如台湾IC业正是由于以中小企业为主，比较好地形成了高度分工的产业结构，故自1996年，受亚洲经济危机的波及，全球半导体产业出现生产过剩、效益下滑，而IC设计业却获得持续的增长。
特别是96、97、98年持续三年的DRAM的跌价、MPU的下滑，世界半导体工业的增长速度已远达不到从前17％的增长值，若再依靠高投入提升技术，追求大尺寸硅片、追求微细加工，从大生产中来降低成本，推动其增长，将难以为继。而IC设计企业更接近市场和了解市场，通过创新开发出高附加值的产品，直接推动着电子系统的更新换代；同时，在创新中获取利润，在快速、协调发展的基础上积累资本，带动半导体设备的更新和新的投入；IC设计业作为集成电路产业的"龙头"，为整个集成电路产业的增长注入了新的动力和活力。
目前近5成公司采用0.13μm及以下工艺技术研发数字芯片，一部分公司开始向90nm转移，还有少数企业设计能力已达到65nm工艺水平。
1.2 课题意义
在半导体材料的制备过程中，每一道工序都涉及到清洗，而且清洗的好坏直接影响下一道工序，甚至影响器件的成品率和可靠性。由于ULSI集成度的迅速提高和器件尺寸的减小，对于晶片表面沾污的要求更加严格，ULSI工艺要求在提供的衬底片上吸附物不多于500个/m2×0.12um，金属污染小于 1010atom/cm2。晶片生产中每一道工序存在的潜在污染，都可导致缺陷的产生和器件的失效。半导体对杂质极为敏感，百万分之一甚至十亿分之一的微量杂质，就对半导体的物理性质产生影响，微量的有害杂质可由各种随机的原因进入器件，从而破坏半导体器件的正常性能。为了清除随机污染建立了特殊的半导体工艺--清洗工艺。因此，硅片的清洗引起了专业人士的重视。

第二章 清洗原理
2.1清洗的基本原理
清洗的基本原理，应当从玷污的来源讲起，只有知道了各种玷污的来源，针对具体的玷污，才能制定具体的清洗方法，各种玷污的来源和相对的影响见表2.1。
2.2 去除颗粒和玷污的机理
颗粒是粘附在硅片表面的粒子通常是在工艺中引进的，工艺设备、环境、气体、化学试剂和去离子水均会引入颗粒。在ULSI级的化学试剂中，粒子玷污的情况如表2.2所示，其中H2SO4最高，HF最低。对粒子尺寸的要求是随着工艺技术中最小特征的减小而减小，一般粒子的尺寸只能是器件特征尺寸的十分之一，如0.4um器件要求粒子尺寸小于0.04um。
为了控制粒子，需要了解粒子的附着和去除机理。粒子的附着机理有以下几种可能的情况：静电力或范德堡力；粒子与表面间的化学键，粒子被去除的机理有四种：
1）溶解
2）氧化分解
3）对硅片表面轻微的腐蚀去除
4）粒子和硅片表面的电排斥
表2.1各种玷污的来源和相对的影响
玷污
可能来源
影响
颗粒
设备，环境，气体，去离子水，化学试剂
氧化层低击穿，成品率降低
金属离子
设备，化学试剂，反应离子刻蚀，离子注入，人
低击穿场强，Pn结漏电，少子寿命降低，Vt偏移
有机物
室内气氛，光刻胶，存储容器化学试剂
氧化速率改变
微粗糙度
初始硅片材料，化学试剂
氧化层低击穿场强，载流子迁移率下降
自然氧化层
环境湿气，去离子水冲洗
栅氧化层退化，外延层质量变差接触电阻增大，硅化物质量差

SC-1液具有上述2，4项的功能，H2O2在硅的表面有氧化作用，NH4OH中的OH-能提供给硅表面和粒子负电荷。粒子的淀积强烈地依赖于溶液中的PH值，PH值增加到10时，粒子的淀积数目最低，因此在强酸中，粒子的淀积数目最大，表2.3对各种清洗工艺作了比较，发现SC-1是最有效的一种。
表2.2 在ULSI级化学试剂中的颗粒浓度（数目/ml）

≥0.2um
≥0.5um
NH4OH
130-240
15-30
H2O2
20-100
5-20
HF
0-1
0
HCl
2-7
1-2
H2SO4
180-1150
10-80
表2.3 各种清洗工艺去除颗粒沾污的效率

清洗方法
沾污来源
SPM
SC-1
SC-2
PM
城市用水
98.4
98.9
86.0
42.4
SiO2
833.3
98.4
97.1
94.7
PSL
91.7
99.2
55.2
7.2
空气
95.8
96.3
86.7
0
注：SPM试剂又称为SC-3试剂（是Standard Clean-3的简称）。SC-3试剂是由H2SO4-H2O2-H2O组成（其中H2SO4与H2O2的体积比为1：3）。H2SO4：H2O2=4：1，5min
APM试剂又称SC-1试剂（是Standard Clean-1的简称）。SC-1试剂是由NH4OH -H2O2-H2O组成。NH4OH ：H2O2：H2O=0.1：1：5，80-90℃ 10min
HPM试剂又称SC-2试剂。SC-2试剂由HCL-H2O2-H2O组成。 HCL：H2O2：H2O=1：1：6，80-90℃ 10min
PM：H2O2：H2O=：1：5，80-90℃ 10min
PSL：聚苯乙烯橡胶小球
有很多报道关于SC-1 改进的清洗工艺，最有效的一种方法是megasonic清洗工艺，SC-1液结合megasonic工艺可以去除有机和无机颗粒，温度可低于40度，清洗的原理是这样的，当硅片浸润SC-1液中，高功率（300W）和高频率（800-900KHZ）的声能平行于硅片表面，首先使颗粒浸润，然后溶液扩散进入界面，最后粒子完全浸润，并成为悬浮的自由粒子而去除颗粒。
2.3 去除金属杂质
金属沾污的来源可以是化学试剂和离子注入、反应离子刻蚀等工艺中引入，金属沾污回影响器件性能，在界面形成缺陷，在后续的氧化或外延工艺中引入层错，PN结的漏电流，减少少数载流子的寿命。
2.3.1 去除金属杂质的原理
1) 由于硅表面的氧化和腐蚀作用，硅片表面的金属杂质，将随腐蚀层而进入清洗液中，并随去离子水的冲洗而被排除。
2) 由于清洗液中存在氧化膜或清洗时发生氧化反应，生成氧化物的自由能的绝对值大的金属容易附着在氧化膜上如：Al、Fe、Zn等便易附着在自然氧化膜上。而Ni、Cu则不易附着。
3) Fe、Zn、Ni、Cu的氢氧化物在高PH值清洗液中是不可溶的，有时会附着在自然氧化膜上。
4) 清洗时，硅表面的金属的脱附速度与吸附速度因各金属元素的不同而不同。特别是对Al、Fe、Zn。若清洗液中这些元素浓度不是非常低的话，清洗后的硅片表面的金属浓度便不能下降。对此，在选用化学试剂时，按要求特别要选用金属浓度低的超纯化学试剂。
5) 清洗液温度越高，晶片表面的金属浓度就越高。若使用兆声波清洗可使温度下降，有利去除金属沾污。
2.4 去除有机物
硅片表面的有机沾污通常来源于环境中的有机蒸汽，存储容器和光刻胶的残留，在硅表面存在有机杂质将会使硅片表面无法得到彻底的清洗，如自然氧化层和金属杂质，这会影响到后面的工艺，比如在以后的反应离子刻蚀工艺中会有微掩膜作用，残留的光刻胶是IC工艺中有机沾污的主要来源。在目前工艺中光刻胶一般是用O3干法去除，然后在SPM中处理，大部分的胶在干法时已被去除，湿法会使去除更彻底。但由于SPM的温度较高，会降低H2O2的浓度，工艺较难控制，最近有人提出用O3注入到纯水中或采用紫外光和过滤系统去除有机沾污的方法。
2.5表面粗糙度
表面粗糙度对于制备高性能、高可靠性半导体器件和ULSI是非常重要的，特别是随着特征线宽的减小，栅氧的厚度也相应的减小到40A左右，表面就需要原子级的平整，在RCA清洗工艺中，NH4OH-H2O2-H20通常是第一步去除粒子、有机物和金属杂质的方法。据报道NH4OH-H2O2-H20=1：1：5，在70℃中清洗10-15分钟会造成非常粗糙的表面，引起这一原因的机理是当H2O作为氧化剂时，NH40H作为氧化剂的腐蚀剂。在SC-1清洗液中，氧化和腐蚀同时进行，结果表面会变粗糙，减少粗糙的方法归纳起来如下：
1)减少NH4OH的份额
2)降低清洗温度
3)减少清洗时间
2.6目前公司主要的清洗设备
1) 槽清洗:也叫浸没式清洗.如:三协清洗机, SCP-3等，此设备的特点：化学液可多次使用，但也带来不足之处，化学液的比例会发生改变，如SH（有）需在使用过程中定期增加H2O2。
2)FSI清洗
3)兆声清洗.
4)最新的清洗:单片清洗工艺和气相清洗。
第三章 半导体硅片RCA清洗技术
3.1 RCA清洗法的发展
在清洗技术中，RCA技术是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法。自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后，几十年来被世界各国广泛采用。所以在这里重点介绍一下RCA技术。
RCA标准清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA实验室首创的，并由此而得名。RCA是一种典型的、至今仍为最普遍使用的湿式化学清洗法。自从20世纪70年代RCA清洗法问世之后，几十年来被世界各国广泛采用。它的基本步骤最初只包括碱性氧化和酸性氧化两步，但目前使用的RCA清洗大多包括四步，即先用含硫酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，再用含胺的弱碱性过氧化氢进行碱性氧化清洗，接着用稀的氢氟酸溶液进行清洗，最后用含盐酸的酸性过氧化氢进行酸性氧化清洗，在每次清洗中间都要用超纯水（DI水）进行漂洗，最后再用低沸点有机溶剂进行干燥。
3.2　RCA清洗技术具体工艺
第一步，使用的试剂为SPM（是Surfuric/Peroxide Mix的简称），SPM试剂又称为SC-3试剂(是Standard Clean-3的简称)。SC-3试剂是由H2SO4-H2O2-H2O组成（其中H2SO4与H2O2的体积比为1：3），用SC-3试剂在100~130℃温度下对硅片进行清洗是用于去除有机物的典型工艺。
第二步，使用的试剂为APM（是Ammonia/Peroxide Mix和简称），APM试剂又称SC-1试剂（是Standard Clean-1的简称）。SC-1试剂是由NH4OH -H2O2-H2O组成，三者的比例为（1：1：5）~（1：2：7），清洗时的温度为65~80℃；SC-1试剂清洗的主要作用是碱性氧化，去除硅片上的颗粒，并可氧化及去除表面少量的有机物和Au、Ag、Cu、Ni、Cd、Zn、Ca、Cr等金属原子污染；温度控制在80℃以下是为减少因氨和过氧化氢挥发造成的损失。
第三步，通常称为DHF工艺是采用氢氟酸（HF）或稀氢氟酸（DHF）清洗，HF：H2O的体积比为1：（2~10），处理温度在20~25℃。是利用氢氟酸能够溶解二氧化硅的特性，把在上步清洗过程中生成的硅片表面氧化层去除，同时将吸附在氧化层上的微粒及金属去除。还有在去除氧化层的同时在硅晶圆表面形成硅氢键而使硅表面呈疏水性的作用（氢氟酸原液的浓度是49%）。
第四步，使用的是HPM试剂（HPM是Hydrochloric/Peroxide Mix的简称），HPM试剂又称SC-2试剂。SC-2试剂由HCL-H2O2-H2O组成（三种物质的比例由1：1：6到1：2：8），清洗时的温度控制在65~80℃。它的主要作用是酸性氧化，能溶解多种不被氨络合的金属离子，以及不溶解于氨水、但可溶解在盐酸中的Al(OH)3、Fe(OH)3、Mg(OH)2和Zn(OH)2等物质，所以对Al3+、Fe3+、Mg2+、Zn2+等离子的去除有较好效果。温度控制在80℃以下是为减少因盐酸和过氧化氢挥发造成的损失。

第四章 目前主要的清洗液
4.1 主要清洗液
4.1.1 APM
A PM(SC-1)（一号液）（NH4OH∶H2O2∶H2O），它在65～80℃清洗约10min 主要去除粒子、部分有机物及部分金属。由于H2O2的作用，硅片表面有一层自然氧化膜(Si02)，呈亲水性，硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中，从而达到去除粒子的目的。此溶液会增加硅片表面的粗糙度。Fe， Zn， Ni等金属会以离子性和非离子性的金属氢氧化物的形式附着在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附着。体积比为(1∶1∶5)~(1∶2∶7)的NH4OH (27%)、H2O2(30%)和H2O组成的热溶液。稀释化学试剂中把水所占的比例由1∶5增至1∶50，配合超声清洗，可在更短时间内达到相当或更好的清洗效果。
SC-1清洗后再用很稀的酸(HCl∶H2O为1∶104)处理，在去除金属杂质和颗粒上可收到良好的效果，也可以用稀释的HF溶液短时间浸渍，以去除在SC-1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC-1原始溶液浓度1/10的稀释溶液清洗，以避免表面粗糙，降低产品成本，以及减少对环境的影响。
4.1.2 HPM
HPM(SC-2)（二号液）（HCl∶H2O2∶H2O），它在65～85℃清洗约10min用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污。对含有可见残渣的严重沾污的晶片，可用热H2SO4-H2O(2∶1)混合物进行预清洗。HPM(HCL-H2O2-H2O) ，其比例为1:1:5到1:2:8, H2O2的作用同上，另外盐酸使H2O2的氧化性能大大加强,并和硅片表面杂质中的活泼金属（Al、Zn）、金属氧化物（CIO、Fe2O3等）、氢氧化物、硫化物、碳酸盐等相互作用，使这些杂质变成可溶解的，另外盐酸还兼有络合剂的作用，盐酸中的氯离子与Au3+、Pt2+、Cu+、Ag+ Hg2+、Fe3+等金属离子形成溶于水的络合物。
4.1.3 SPM
SPM（三号液）（H2SO4∶H2O2∶H2O），它在120～150℃清洗 10min左右，SPM具有很高的氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能把有机物氧化生成CO2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属，但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除。经SPM清洗后，硅片表面会残留有硫化物，这些硫化物很难用去粒子水冲洗掉。
由Ohnishi提出的SPFM(H2SO4/H2O2/HF)溶液，可使表面的硫化物转化为氟化物而有效地冲洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性强，可用臭氧来取代H2O2(H2SO4/O3/H2O称为SOM溶液)，以降低H2SO4的用量和反应温度。
4.1.4 DHF
DHF(HF(H2O2):H2O)，它在20～25℃清洗30s 腐蚀表面氧化层，去除金属沾污，DHF清洗可去除表面氧化层，使其上附着的金属连同氧化层一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al，Fe，Zn，Ni等金属，但不能充分地去除Cu。HF：H2O2=1：50。在DHF清洗时将用SC-1清洗时表面生成的自然氧化膜腐蚀掉，Si几乎不被腐蚀；硅片最外层的Si几乎是以H键为终端结构.表面呈疏水性；在酸性溶液中硅表面呈负电位，颗粒表面为正电位，由于两者之间的吸引力粒子容易附着在晶片表面。

第五章 总结
通过这次毕业论文的撰写，我结合自己在大学三年时间里所学的知识，经过较为全面地梳理，巩固了自己大学阶段学习的材料专业的知识有了一个全面的梳理，同时培养并发展了自己的一定研究能力，包括研究问题，发现的意识，认真、仔细、严谨、踏实、肯下功夫进行独立思考钻研的学术研究精神，较好的资料收集、整理材料、观点整合的能力，较强的运用已学知识去解决现实问题的能力，以及利用全面的、发展的、联系的观点，思考分析问题的能力，较好的逻辑推断思辨的能力，较好的语言组织，较为流畅的论文撰写的书面表达能力，为自己今后的进一步深入学习和以后的工作，积累了宝贵的实践经验。这次论文撰写不仅提高了我各方面的能力还让我知道现在IC产业的发展现况。在准备这次论文的写作，我通过网络查找了许多相关的信息，让我接触了许多清洗液方面的论坛，在这些论坛上我认识了一些热心人帮我解答问题，真的是让我了解了很多自己所学专业的知识。总之，这次毕业论文的撰写让我看到了很多在自己专业方面的很新的知识，真的是受益匪浅。
1) 用RCA法清洗对去除粒子有效，但对去除金属杂质Al、Fe效果很小。
2) DHF清洗不能充分去除Cu，HPM清洗容易残留Al。
3) 有机物，粒子、金属杂质在一道工序中被全部去除的清洗方法，目前还不能实现。
4) 为了去除粒子，应使用改进的SC-1液即APM液，为去除金属杂质，应使用不附着Cu的改进的DHF液。
5) 为达到更好的效果，应将上述新清洗方法适当组合，使清洗效果最佳。

致谢
三年的读书生活将在这个温和的季节划上一个句号，我将面对又一次征程的开始。现在回想这三年的求学生涯，虽然走得辛苦却也收获满囊。这篇毕业论文将是我大学生活的最后一份作业，它的而完成就意味着我的大学生活，也就是我的学生生活得结束，希望我可以为我的大学生活画上一个完美的句号。
首先我要向老师表示最诚挚的感谢。这次毕业设计得到了很多老师、同学和同事的帮助，首先感谢我的论文指导老师席筱颖，在她严格的要求、富有启发性的指导下，我顺利地完成了清洗液在芯片制造过程中的应用的研究。席筱颖老师严谨的治学态度、平易近人的处事方式和对工作的执着精神给我留下了深刻的印象。虽然她工作一直很忙，但还是给予了我悉心的关怀和精心的指导，使我在毕业设计过程开阔了视野，能够刻苦钻研，时刻不敢放松自己，这些都为我顺利完成毕业设计打下了良好的基础。同时她还对我的毕业设计给出了许多建设性的意见。通过完成本次毕业设计使我熟悉了清洗液在芯片制造过程中的重要性。提高了自己的动手能力和学习能力，综合分析问题及解决问题的能力。她在百忙之中为我拟定论文题目，我找不到资料时是她告诉我怎样去寻找，还有应该怎样去写好一篇完整的论文等等。另外，感谢校方给予我这样一次机会，能够独立地完成一个课题，并在这个过程当中，给予我们各种方便，使我们在即将离校的最后一段时间里，能够更多学习一些实践应用知识，增强了我们实践操作和动手应用能力，提高了独立思考的能力。再一次对我的母校表示感谢。
还要感谢学校及学院领导对我的教育培养，你们细心指导我的学习与研究，为我学习和写作提供了优越的环境。在此，我要向诸位老师深深地鞠上一躬来表达我的感激之情。
此外，感谢在整个毕业设计期间和我密切合作的同学，和曾经在各个方面给予过我帮助的伙伴们，在大学生活即将结束的最后的日子里，我们再一次演绎了团结合作的童话，把一个庞大的，从来没有上手的课题，圆满地完成了。正是因为有了你们的帮助，我才能集思广益，顺利的完成我的毕业设计任务。
最后，感谢所有在这次毕业设计中给予过我帮助的人。再一次真诚地感谢！

参考文献
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