PN8143TSEC-R1智能断路器三相智能电表电源芯片-pn8143芯片资料_骊微电子.pdf

PN8143T Chipown 超低待机功耗的交直流转换芯片超低待机功耗的交直流转换芯片概述概述PN8143T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN8143T为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台，非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。产品特征产品特征内置1000V高雪崩能力的功率MOSFETHi-mode（60kHz PWM）Eco-mode（动态PFM）Burst-mode（25kHz间歇工作模式）改善EMI的频率调制技术空载待机功耗 75 mW 230VAC软启动技术内置高压启动电路内置线电压补偿和斜坡补偿优异全面的保护功能过温保护（OTP）过载保护（OLP）外部电阻可调式周期过流保护（OCP）过压保护（OVP）CS短路保护应用领域应用领域开关电源适配器和电池充电器白色家电、个人电脑、音响等辅助电源LCD电视机辅助电源封装封装/订购信息订购信息 订购代码封装典型功率85265 VAC PN8143T SEC-R1 SOP8 8W 典型应用典型应用深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8143T Chipown 电流检测部分电流检测部分TSS 软启动时间8.5 ms TON_MIN 最小导通时间500 ns Td 关断延迟时间150 ns T LEB 前沿消隐时间350 ns Vth_OC 限流保护阈值0.45 V Vocp_clamping 限流箝位电压0.55 V 符号参数测试条件最小值典型值最大值单位振荡器部分振荡器部分FOSC 开关频率VDD=工作电压范围，VCOMP=3 V 54 60 66 kHz FD 频率抖动范围5 kHz FM 调制频率250 Hz DMAX 最大占空比70 85%FBurst 间歇模式工作频率21.5 25kHz 过温保护部分过温保护部分TSD 过温保护温度140 160 C THYST 过温保护滞回温度30 C 功能描述功能描述1.启动启动在启动阶段，内部高压启动管提供1.5mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到13V，芯片开始工作；高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。如果异常情况发生，芯片会进入自动保护并重新启动。2.软启动软启动启动阶段，漏极的最大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为8.5ms。3.输出驱动输出驱动PN8143T采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会使得较高的开关损耗，驱动太强则容易出现EMI问题。PN8143T采用优化的图腾柱结构，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低损耗。4.振荡器振荡器PN8143T的振荡频率固定在60 kHz，无需外围电路进行设置。它特有的频率抖动技术，可改善EMI特性。5.反馈控制反馈控制PN8143T是电流模式控制芯片。反馈脚电压跟内部锯齿波比较从而控制占空比。6.过载保护过载保护负载电流超过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当VCOMP电压超过3.7V，经过固定64ms的延迟时间，开关模式停止。7.间歇工作模式间歇工作模式PN8143T进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当COMP脚电压小于VCOMP_bm（典型1.2V），芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当COMP脚超过VCOMP_bm100mV，开关管可再次导通。这种频率控制可消除任意负载条件下的音频噪声。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8143T Chipown 8 可调过流保护可调过流保护 PN8143T含有逐周期过流保护。开关电流可通过电流检测电阻检测，并可通过设定Rcs电阻进行过流保护点的调节。9 降频工作模式降频工作模式 PN8143T提供降频工作模式，通过检测COMP脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当COMP脚电压小于VCOMP_Eco（典型2V），芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至最小频率21.5kHz。10 线电压补偿线电压补偿 PN8143T提供过流线性补偿，在全电压范围内实现恒定输出功率限制。11 斜坡补偿斜坡补偿 PN8143T提供斜坡补偿，将电压锯齿信号叠加在采样电流信号上，用于改善系统闭环稳定性。12 过温保护过温保护 功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度超过160，芯片进入过温保护状态。13 CS短路保护短路保护 PN8143T提供CS短路保护功能。若系统起机前，CS电阻短路，芯片进入CS短路保护状态。在异常情况下，可对系统进行保护。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8143T Chipown 封装信息封装信息SOP-8 封装外形及尺寸封装外形及尺寸 尺寸符号最小尺寸符号最小(mm)正常正常(mm)最大最大(mm)尺寸符号最小尺寸符号最小(mm)正常正常(mm)最大最大(mm)A 1.35 1.55 1.75 L 0.45 0.60 0.80 A1 0.10 0.15 0.25 L1 1.04REF A2 1.25 1.40 1.65 L2 0.25BSC A3 0.50 0.60 0.70 R 0.07 b 0.38 0.51 R1 0.07 b1 0.37 0.42 0.47 h 0.30 0.40 0.50 c 0.17 0.25 0 8 c1 0.17 0.20 0.23 1 15 17 19 D 4.70 4.90 5.10 2 11 13 15 E 5.80 6.00 6.20 3 15 17 19 E1 3.80 3.90 4.00 4 11 13 15 e 1.270（BSC）备注：Y：年份代码；WW：周代码；XXXXX：内部代码备注:1.此制图可以不经通知进行调整;2.器件本体尺寸不含模具飞边；表层丝印封装PN8143T YWWXXXXX SOP-8 深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8143T Chipown 编带及卷轴信息编带及卷轴信息SOP-8 Package A(mm)T(mm)T1(mm)H(mm)C(mm)D(mm)d(mm)A0(mm)B0(mm)K0(mm)3301.0 3+1/-012.4+1/-01000.5 12.00+0.5/-0.217.70 0.40 2.00+0.5/-0.26.60 0.1 5.20.1 1.90.1 W(mm)F(mm)E1(mm)P0(mm)P1(mm)P2(mm)D0(mm)D1(mm)Pin 1 Quadrant 12.00 0.1 5.500.1 1.75 0.10 4.00 0.10 8.0 0.1 2.0 0.1 1.5+0.1/-01.55 0.05 UL 备注：1.此制图可以不经通知进行调整;2.所有尺寸是毫米公制的标称值；3.此制图并非按严格比例，且仅供参考。客户可联系芯朋销售代表获得更多细节；4.此处举例仅供参考。深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司