PN8143TSEC-R1智能断路器三相智能电表电源芯片-pn8143芯片资料_骊微电子.pdf
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1、PN8143T Chipown 超低待机功耗的交直流转换芯片超低待机功耗的交直流转换芯片概述概述PN8143T内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET,专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了极为全面和性能优异的智能化保护功能,包括周期式过流保护(外部可调)、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和特殊器件低功耗结构技术实现了超低的待机功耗、全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由频率调制技术和Soft Driver技术充分保证。该芯片还内置智能高压启动模块。PN8143T
2、为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个先进的实现平台,非常适合六级能效标准、Eur2.0、能源之星的应用。产品特征产品特征内置1000V高雪崩能力的功率MOSFETHi-mode(60kHz PWM)Eco-mode(动态PFM)Burst-mode(25kHz间歇工作模式)改善EMI的频率调制技术空载待机功耗 75 mW 230VAC软启动技术内置高压启动电路内置线电压补偿和斜坡补偿优异全面的保护功能过温保护(OTP)过载保护(OLP)外部电阻可调式周期过流保护(OCP)过压保护(OVP)CS短路保护应用领域应用领域开关电源适配器和电池充电器白色家电、个人电脑、音响等辅助电
3、源LCD电视机辅助电源封装封装/订购信息订购信息 订购代码封装典型功率85265 VAC PN8143T SEC-R1 SOP8 8W 典型应用典型应用深圳市骊微电子科技有限公司芯朋微代理商深圳市骊微电子科技有限公司PN8143T Chipown 电流检测部分电流检测部分TSS 软启动时间8.5 ms TON_MIN 最小导通时间500 ns Td 关断延迟时间150 ns T LEB 前沿消隐时间350 ns Vth_OC 限流保护阈值0.45 V Vocp_clamping 限流箝位电压0.55 V 符号参数测试条件最小值典型值最大值单位振荡器部分振荡器部分FOSC 开关频率VDD=工作电
4、压范围,VCOMP=3 V 54 60 66 kHz FD 频率抖动范围5 kHz FM 调制频率250 Hz DMAX 最大占空比70 85%FBurst 间歇模式工作频率21.5 25kHz 过温保护部分过温保护部分TSD 过温保护温度140 160 C THYST 过温保护滞回温度30 C 功能描述功能描述1.启动启动在启动阶段,内部高压启动管提供1.5mA电流对外部VDD电容进行充电。当VDD电压达到13V,芯片开始工作;高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后,变压器辅助绕组对VDD电容提供能量。如果异常情况发生,芯片会进入自动保护并重新启动。2.软启动软启动启动阶段,漏极的最
5、大峰值电流限制逐步的提高;可以大大减小器件的应力,防止变压器饱和。软启动时间典型值为8.5ms。3.输出驱动输出驱动PN8143T采用特有的驱动技术。驱动能力太弱会使得较高的开关损耗,驱动太强则容易出现EMI问题。PN8143T采用优化的图腾柱结构,通过合理的输出驱动能力以及死区时间,得到较好的EMI特性和较低损耗。4.振荡器振荡器PN8143T的振荡频率固定在60 kHz,无需外围电路进行设置。它特有的频率抖动技术,可改善EMI特性。5.反馈控制反馈控制PN8143T是电流模式控制芯片。反馈脚电压跟内部锯齿波比较从而控制占空比。6.过载保护过载保护负载电流超过预设定值时,系统会进入过载保护;
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