DB11_T 1144-2014盆栽春石斛兰栽培技术规程.pdf
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1、ICS 65.020.20 B 62 DB11 北京市 地方标准 DB 11/T 11442014 盆栽春石斛兰栽培技术规程 Technical regulation of cultivation for potted nobile style dendrobium 2014-12-17 发布 2015-04-01 实施 北京市质量技术监督局 发 布 DB11/T 11442014 I 目 次 前言.II 1 范围.1 2 术语和定义.1 3 缩略语.1 4 组培苗生产.2 5 温室准备.2 6 基质准备.2 7 水质要求.3 8 种植容器.3 9 生根苗移栽.3 10 栽培管理.3 11 花
2、期调控.4 12 病虫害防治.5 附录 A(资料性附录)MS 培养基母液及培养基配制参数一览表.6 附录 B(资料性附录)春石斛兰栽培设施处理常用方法及常用药剂一览表.7 附录 C(资料性附录)春石斛兰主要病虫害及防治方法一览表.8 DB11/T 11442014 II 前 言 本标准按照 GB/T 1.12009 给出的规则起草。本标准由北京市园林绿化局提出并归口。本标准由北京市园林绿化局组织实施。本标准起草单位:北京温榆河花卉有限公司、北京市大东流苗圃。本标准主要起草人:律江、司瑞新、李振鹏、李振坚、刘克林、姜青樟、王瑛、黄庆祝、邢立霞、薛敦孟、方志军。DB11/T 11442014 1
3、盆栽春石斛兰栽培技术规程 1 范围 本标准规定了盆栽春石斛兰繁殖栽培养护的全过程,包括组培苗生产、温室准备、基质准备、水质要求、种植容器、生根苗移栽、栽培管理、花期调控、病虫害防治等栽培养护环节。本标准适用于盆栽春石斛兰组培苗的温室栽培管理。2 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。2.1 假鳞茎 pseudobulb 一种变态茎,粗短而肥厚,有节,叶生于节上。2.2 鳞芽 bulbil 从假鳞茎基部萌生出的叶芽。2.3 花芽 flower bud 在假鳞茎节处与叶片相对的部位萌发的绿豆状凸起,通常每芽可分化为24朵花。2.4 高位芽 highbud seeding 在假鳞茎节上萌生出的新个
4、体。2.5 止叶 terminal leaf 生长在假鳞茎顶部,其叶鞘包围的是一个圆锥状节,节上偶见急剧缩小的叶形片状体。2.6 缺刻 notch 春石斛兰叶片尖部的三角状缺痕。3 缩略语 下列缩略语适用于本文件。DB11/T 11442014 2 6-BA:6苄基腺嘌呤(6-benzyladenine)NAA:萘乙酸(1-naphthaleneacetic acid)TWEEN-20:吐温20(polysorbate20)4 组培苗生产 4.1 培养基 宜选用MS为基本培养基;常用生长调节剂为6-BA、NAA。培养基配制参数参见附录A。4.2 外植体选择及处理 选择品种纯正、生长健康的植株,
5、切取幼嫩的鳞芽或高位芽,清洗消毒后,进行表面灭菌,然后切取5mm茎尖进行接种培养。4.3 培养条件 光照强度2000lx4000lx,光照时间12h/d,培养温度252。4.4 原球茎诱导 诱导培养基宜为MS+6BA2.0mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+琼脂0.7%,pH值为5.25.4,培养25d30d。4.5 继代培养 继代培养基宜为MS+6BA1.0 mg/L+NAA0.5mg/L+蔗糖3%+椰乳150g/L+琼脂0.7%,pH值为5.25.4,培养40d50d后分化出小苗。如果需要进一步扩繁,可将原球茎切成小块进行多次转接。4.6 生根苗培养 生根培养基宜为1/2MS+NAA
6、0.1mg/L+香蕉泥100g/L+活性炭0.1%+蔗糖2%+琼脂0.7%,pH值为5.25.4。将株高大于5cm的小苗转接到生根培养基上。4.7 出苗 当根系大于等于3条,株高8cm左右时,即可将生根苗运送到温室进行过渡栽培。5 温室准备 5.1 基本要求 栽培温室应具备调控温度、湿度、光照等环境因子的设备设施。5.2 温室处理 种植前清理温室内部及周边杂物、杂草。种植前一周采用高效低毒杀虫剂,喷洒地面、苗床、排水沟等,喷至表面布满水滴为宜。种植前2d3d采用广谱性杀菌烟剂,密闭熏蒸12h24h,期间人员不得进入。熏蒸后充分通风6h12h。处理药剂及使用方法参见附录B。DB11/T 1144
7、2014 3 6 基质准备 6.1 基质种类 应选择透气性好的栽培基质,常选择水苔栽培,也可选择树皮、椰糠等栽培。6.2 水苔处理 清水浸泡水苔4h6h,排掉多余水分后捞出水苔放入甩干机,脱水至排水口水流呈滴状流出为宜。将水苔取出放至操作台上备用。7 水质要求 栽培水质pH值为6.57.0,EC值小于0.15ms/cm。不达标水质使用前需进行脱盐、酸化处理。8 种植容器 根据种苗的不同生长阶段,可以选择72目穴盘和口径8cm深8cm的白色塑料营养钵(又称2.5寸盆)种植。通常2.5寸盆需要配合15孔植架一同使用。9 生根苗移栽 9.1 炼苗 组培生根苗从培养间运送到温室后,需要进行闭盖2d3d
8、,开盖12h24h的炼苗过程。开盖时间宜选择在16:00以后进行。炼苗期间最适夜温1618,最适日温2024。相对湿度60%80%为宜。光照强度控制在2000lx5000lx之间为宜。9.2 洗苗 准备好洗苗用的水盆、盛苗盘、杀菌剂等。轻磕培养瓶底部使培养基松动,然后将瓶苗倒入盛有清水的盆中,洗净根系及植株上残留的培养基。将种苗根据大小分别摆放在不同的盛苗盘中。无根苗、黄弱苗、变异苗应舍弃。9.3 种苗处理 一般可使用70%的甲基托布津1浓度液或75%的百菌清1浓度液,浸泡10min15min。通常在处理之后还应将组培苗放置在阴凉通风处晾苗1h2h,使根系表面略微发白后进行移栽。9.4 移栽
9、在根系外围均匀包裹水苔,将种苗种植在72目穴盘中。种植宜浅不宜深,以水苔包裹于根茎交界处为宜。10 栽培管理 10.1 上盆 DB11/T 11442014 4 通常生根苗移栽45个月后上盆定植。将种苗从穴盘中拔出,剪去基部丛生矮小的假鳞茎,保留12个生长一致的健壮植株进行上盆。在已经抱团的根系外围均匀包裹一层水苔后种入2.5寸盆中,保持水苔上表面与营养钵下环线相平。种植时水苔宜紧不宜松。10.2 摆放 种苗摆放在15孔植架中。根据种苗大小分别摆放,以植株叶片轻度相错为宜。摆放时应保持所有植株叶片朝向一致。10.3 留芽 通常10月中旬鳞芽萌发,当假鳞茎生长至4cm5cm时进行留芽处理。选择基
10、部粗壮、节间较短的壮芽留下,每盆保留12个为宜。10.4 支撑 当假鳞茎高度达到25cm30cm时进行支撑。根据不同品种分别选取长度40cm50cm左右的包塑铁丝对春石斛兰进行支撑。将铁丝插在叶片缺刻的背侧,一直深入营养钵底部,然后用23根绑绳将其固定在铁丝上。绑绳应捆绑的松一些,通常绑环大小控制在茎粗的23倍左右。10.5 环境控制 春石斛兰生长温度832,最适夜温1618,最适日温2628。穴盘苗初期光照2000lx5000lx,后期逐渐提高到5000lx10000lx;2.5寸盆苗期光照10000lx15000lx。生长期相对湿度保持在60%80%为宜。10.6 肥水控制 通常穴盘苗每隔
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