AP90P03Q p-mos管30v60a丝印90P03Q参数_骊微电子.pdf
AP90P03Q p-mos管30v60a丝印90P03Q参数_骊微电子.pdf
- 配套讲稿：
如PPT文件的首页显示word图标，表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制：
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片，仅作为作品整体效果示例展示，禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词：
- AP90P03Q p-mos管30v60a丝印90P03Q参数_骊微电子 mos 30 v60a 丝印 90 p03q 参数 微电子
- 资源描述：
-
AP90P03Q P-Channel Enhancement MosfetIIIP。1WERDATA SHEET Feature-30V,-60ARos IDM-300 A Singel Pulsed Avalanche Ene咱y2)EAS 100 mJ Power Dissipation Po 42 w Thermal Resis恼neefrom Junction to Case(4 Re.Jc 2.85 川Junction Temperature TJ 50 Storage丁丽mperatu阳TSTG 55-+150 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP90P03Q 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T a=25unless otherwise noted)Pa ram”r static CharacterlsU臼Drain回ur四breakdownvol闻自Zero gate voltage drain凶rrentGate-body lea阳ge current Gate th陪sholdvol恒geC3Drain唱。ur田on-resis恒neeCS Dynamic charac饱risticsInput Capaci恒n四Output Capacitance Reverse T阳nsfer Capacitance Swl伽hlng characteristics Tum-on delay回meTum-on rise time Tum-o怦delaytime Tum-o怦fall time Total Gate ChageGate-Source Charge Gate-Drain Chages。urc:e-Drain Diode charactariati臼Diode Forward voltageC3l Diode Forward currentC4 N。rtes:Symbol V(BR)DSS loss IGSS Va町th)Ros(cn】。圄Q幽G回fdcon)1r tel（，而t,Qg Qgs 句dV田Is Tut Condition V臼OV,le=-2501JA Vos=-30V,VGs=OV VGS士20V,Vos=OVVcs=V，田，lc=-250AV田10V,ID=-30A V回=-4.5V,lo=-20A VDs=-15V,Vas=OV,f=1MHz VDD=-15V,lo=-17A,VGS=-10V,RG=30 VDS=-15V,ID=-17，人VGS=-10V V田OV,ls=-1A 1.Repetitive Rating:pulse width limited by maximum junction temperature2.EAS Condition:TJ=25，Voo=-15V,RG=25 O,L=0.5mH3.Pulse Test:pulse widthS:300s,duty町cles:2%4.Sur如ce Mounted on FR4 Boa时，国10secMin Type M缸Unit-30 v A 土100nA-1.0-1.5-2.5v 7.08.5mo 1012 2000 2四 pF 270 10 8 ns 43 18 36 5.3 nC 8.8 -1.2v-60A 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP90P03Q P-Channel Enhancement Mosfet Typi臼l Performance Characteristics Figure1:Output Charac抽ristics80 60 40 20 VGS=-3V 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 Figure 3:0n陪sistance vs.Drain Curr朋t14 RDS(ON)(m!l)12 VGS=-4.5V10 8 6 VGs叫ov4-lo(A)0 10 20 30 40 50 60 Figure 5:Gate Chage Charac恒ristics-VGS(V)10 8 Vcs=-15V lo斗5A 6 4 I/Qg(nC)2。10 20 30 40 50 剑”。1WERDATA SHEET Figure 2:Typical Transfer Characteristi臼ID.A100一80 60 40 20 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Figure 4:Body Diode Characteristics，。-ls(A)7 7 TJ=150 1 TJ=-25 lL!50、7 0.1 -V：回（呵o.o 0.2 o.4 o.e o.s 1.0 1.2 1.4Figu阻6:Capacitance Cha阻cteristicsC(pF)1cr 112 0 、5 C跚 l.lI回-VI时（V)10 15 20 25 30 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP90P03Q P-Channel Enhancement Mosfet Figure 7:Normalized Breakd。m Voltage vs.Juncti。n Temperature-Ve盹DSS)1.3 1.2 1.1 二，1.0-0.9 100-50。-，可（50 一J”100 150 200 Figure 9:Maximum Safe Operating Area -ID（，。10 E三三2imiled Ros on 102 101 t二/.g pulse 10 11 0.01Fig1m 0.1 l 飞,_ 100 s 何胃口 1臼m 1oom,-Vos IV:10 100 Transient Thermal Impedance,Junction-t。Ambient10 100 1 10-210 10 101 剑”。1WERDATA SHEET Figure 8:Normalized on Resis恒nee vs.Junction Temperatl用Ros(on)1.75 1.5 1.25 1.0 0.75-100-50。可（出100 150 200 Figure 10:Maximum Continuous Drain Current vs.Ambient Temperature-ID(A)20 15 10 5、卜卜 TA）0 25回75100 125 150 175 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP90P03Q 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET Test Circuit Gate Charge Test Circuit&Waveform Vgs ChageResistive Switching Test Circuit&Waveforms RL Vds Vgsl.r 10%Vds Unclamped Inductive Switching(UIS)Test Circuit&Waveforms EAA=112 u：Vds Id Vds 江JVgsl.司川ARDiode Recovery Test Circuit&Waveforms Vds Q!T=:f阳Vds-lsdVdd 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理剑”。1WERAP90P03Q P-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET PDFN3X3-8L Package Information 回，kr 02 工01 U 4 u口卫i旧bRECOMMENDED LAND PATTERN DFN3.3x3.38 SYMBOLHINCHES MILLIMETERS 2.6 MAX.MIN.MAX.工0.47 0.039 0.028 1.00 0.002 0.000。仍 十守。，0.014 0.010 0.35 MIN.。.70。.00A1 0.25 b 0.54 日日F寸iJ二坠0.008 D 01 02 0.128。1000.138 0.138 0.006 0.122 0.120 0.093 0.20 3仍一3.250.14 c 国的D0.122 3.50 3.10 3.10 E 2.90 E1 NIT:mm 0.122 0.114 0.072 0.065 1.64 1.84 0.65 BSC 0.32 0.52 E2。.026 BSC e 0.020 0.013 H 0.031 0.022 0.023 0.010。790.55 0.59 0.25 K L 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理展开阅读全文
咨信网温馨提示：1、咨信平台为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接被用户下载，收益归上传人（含作者）所有；本站仅是提供信息存储空间和展示预览，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿，我们不确定上传用户享有完全著作权，根据《信息网络传播权保护条例》，如果侵犯了您的版权、权益或隐私，请联系我们，核实后会尽快下架及时删除，并可随时和客服了解处理情况，尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确)，网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据，个别因单元格分列造成显示页码不一将协商解决，平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺，下载前须认真查看，确认无误后再购买，务必慎重购买；若有违法违纪将进行移交司法处理，若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传，付费前请自行鉴别，如您付费，意味着您已接受本站规则且自行承担风险，本站不进行额外附加服务，虚拟产品一经售出概不退款（未进行购买下载可退充值款），文档一经付费（服务费）、不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印，是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已，我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改，文档下载后都不会有水印标识（原文档上传前个别存留的除外），下载后原文更清晰；试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓；PPT和DOC文档可被视为“模板”，允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容；PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得，本站不作要求视为允许，下载前可先查看【教您几个在下载文档中可以更好的避免被坑】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用；网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽－－等)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题，请及时联系平台进行协调解决，联系【微信客服】、【QQ客服】，若有其他问题请点击或扫码反馈【服务填表】；文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“【版权申诉】”，意见反馈和侵权处理邮箱：1219186828@qq.com；也可以拔打客服电话：0574-28810668；投诉电话：18658249818。
实名认证
平台协调中心【客服】
自信AI助手
微信客服
客服QQ
发送邮件
意见反馈
链接地址：https://www.zixin.com.cn/doc/333316.html