AP2080Q 场效应管(MOSFET)20V 30A参数-铨力mos_骊微电子.pdf
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1、AP2080Q N-Channel Power MOSFETT Capable of 2.5V Gate Drive T Small Size&Ultra_L。w RoscoN)T R。HSc。mpliant&Hal。gen-FreeG Description AP2080Q series are from Advanced Poweinnovated design and silicon process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast switching performance.It provi
2、des the designewith an extreme efficient device for use in a wide range of power applications.Symbol Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current,VGs 4.5V3 Vos VGs loTA=25 loTA=70 loM PoTA=25 Tsrn TJAIIP。iWERDATA SHEET D BVoss Ros(ON)I 3D 20V 8.SmO30Av A A A 24 w-55 to 150-55 to
3、150 喜一旦叩Parameter Maximum Thermal Resistance,Junction-case Maximum Thermal Resistance,Junction-ambient3 Value 5 26 川ww深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP2080Q N-Channel p。,werMOSFETElectrical Characteristics飞25。C(unless。therwise specified)Symbol BVoss RoscoN)VGS(th)9ts loss IGss Og Q目sQ9d(on)(off)Ciss Coss C回Rg
4、Notes:Parameter Drain-Source Breakdown Voltage Static Drain-Source On-Resistance2 Gate Threshold Voltage Forward Transconductance Drain-Source Leakage Current Gate-Source Leakage Total Gate Charge Gate-Source Charge Gate-Drain(”Miller)Charge Turn-on Delay Time Rise Time Turn-off Delay Time Fall Time
5、 Input Capacitance Output Capacitance f一Reverse Transf,Gate Resistance f(1.Pulse width limited by Max.junction temperature.2.Pulse testTest Conditions Min.V Gs=OV,10=250uA 20 V Gs=4.5V,10=20A VGs=2.5V,1rr12A Vos=VGs,10=1mA 0.6 Vos=SV,10=20A V0s=16V,VGs=OV VGs=,:!:.12V,Vos=OV 10=20A V0s=10V VGs=4.5V
6、V0s=10V 飞lo=1A RG=3.30 手;VGs=5V ;,队N W”f斗。问Hz守 剑”。1WERDATA SHEET Typ.Max.Units v 8.5 9.8 mo 14 no 0.9 v 130 s 10 uA +100 nA62 99.2 nC 4 nC,李卢-1)nC 1 门S面、29 巨F飞吗亏,100、门SQ、,门SAOOO 6400 pF 780 pF 625 pF 1.4 2.8。3.Surface mounted on 1 in2 2oz copper pad of FR4 board,t三10sec;135口C/W when mounted on min.c
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