AP4435C -20a -30v的耐压mos管丝印4435规格书参数_骊微电子.pdf
AP4435C -20a -30v的耐压mos管丝印4435规格书参数_骊微电子.pdf
- 配套讲稿：
如PPT文件的首页显示word图标，表示该PPT已包含配套word讲稿。双击word图标可打开word文档。
- 特殊限制：
部分文档作品中含有的国旗、国徽等图片，仅作为作品整体效果示例展示，禁止商用。设计者仅对作品中独创性部分享有著作权。
- 关 键 词：
- AP4435C -20a -30v的耐压mos管丝印4435规格书参数_骊微电子 20 30 耐压 mos 丝印 规格书 参数 微电子
- 资源描述：
-
AP4435C P-Channel Enhancement MosfetFeature-30V,-10ARos ON)23m QVGs=-10VRos ON)34m QVGs=-4.SV Tench DMOS P。,wer MOSFETFast SwitchingExceptional on-resistance and maximum DC current capabilityApplicati。nDC/DC c。nverterLoad Switch f。r P。此：able DevicesBattery SwitchPackage Marking and Ordering lnformati。nDevice Marking 4435 Device AP4435C Device Package SOP-8 Reel Size 13 inch 剑”。1WERDATA SHEET D Gs Schematic diagram D SOP-8 D D D Tape width Quantity(PCS)4000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless。therwise noted)Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage Vos-30v Gate-Source Voltage VGs 20 v Continuous Drain Current(Ta=25）lo-10A Continuous Drain Current(Ta=100）lo-7A Pulsed Drain Currenr loM-40A Singel Pulsed Avalanche Energy EAs mJ Power Dissipation Po 3.7 w Thermal Resistance什om Junction to Ambient ReJA 33.8/W Junction Temperature TJ 150。CStorage Temperature Tsrn-55-+150。C深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP443SC 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T.=25unless otherwise noted)Pa ram”r static CharactarlsUca Drain咽U回breakdownvo阳geZero gate vol回gedain cur酬tGa阁body lea阳ge current Gate th陪sholdvoltageC2 Drain毛ource on陪sistanceDynamic charac饱risticsInput Cspaci恼neeOutput Capaci国neeReveSe Transfer Capaci恒n四SWI伽hlng characteristics Tum圈。n de阳ytime Tum-on rise time Tum-o仔delaytime Tum-o仔fall time To饱l Gate Charge Gate-Source Cha咱eGate-Drain Charge s。urc:e-Drain Diode charactariati臼Diode Forward vo陶醉。Diode Forward currentC3 N。rtes:Symbol V(BR)DSS loss IGss VG剖th)叫田G国马蛐Cr.句。n)I,icic，而岛Qg Qgs 句dV因Is Tut Condition V惆EOV.le-250队Vos-30飞A VGs eeOV VGS=20V,V四OVVos=V，筒，lo250AVos=-10V,lo斗DAV田=-4.5V,le=-10A Vos=-15V,Vos=OV,f=1MHz Vcc=-15V,lo=-6A VGS=-10V,Rt;=2.50 VDS=-15V,ID=-10A,VGS=-10V Vos=OV,ls=-1 OA 1.Repetitive Rating:pulse width limited by maximum junction temperatu陪2.Pulse Test:pul随时dth:S300间，dutycycle:S2%3.Sur幅ce Mounted on FR4 Board，恒10secMin Type M缸Unit-30 v A 士100nA-1.5-2.5v 1623mQ 2534 1550 327 pF 278 14 20 ns 95 65 30 5.3 nC 7.6 -1.2v -10A 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP443SC P-Channel Enhancement Mosfet Typical Performance Characteristics Figure1:Output Characteristics 10 3V 2 3 4 Figure 3:0n陪sis恒neevs.Drain Currer、t28 24 20 16 12 8 4 0 Rosi制J(mO)VGS=-4.5V VGs-10V-ID A)0 2 4 6 8 10 Figure 5:Gate Cha咱e Charac恒而sties-VGs(V)5 12 10 8 Vos=-15V ID=-9.1A 6 4 2 0 0 6 Qg(nC)12 18 24 30 剑”。1WERDATA SHEET Figure 2:Typical Trans旬r Characteristics 50-ID A40 30 20 10 0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 Figure 4:Body Diode Characteristics，。-ls(A)/TJ=150 TJ=-25号TJ喝。0.1 VsoMo.o 0.2o.4o.e a.a1.0 1.2 1.4 Figure 6:Capacitance Characteristics C(pF)1币1D2 101 0 5 10 15 20 25 30 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP443SC P-Channel Enhancement Mosfet Figure 7:No阳回Iized B陪akc如m Vd恒ge四Junctiai T回1B副陪VBR(出匈M1.3;,1.2 1.1 1.0?0.9 可号100-t到。回100 1目200Fig1re9：抽ximum Safe Oper回ing h回4口，。100 飞、1（到L-t、I Lirri刷W咧 0.1 0.1 n去.1.-严？Hm t飞飞卡、。”l，、飞、-飞、DS、四10 100 1栩陌I Im阳割司ance,Juncti伽to-阳1刷刷。Zth.比（/W)101 二 D=0.5 100):()_2 11-B司M罩 飞气、h、。司1臼3B司且11 B鸣。1S电脑”血圄阳ly白面11112，。击回国.PeakT.，唔Tct肘，-310210-1 1d101 斗a1-剑”。1WERDATA SHEET Rgure 8:Normaliz，回on R眉际国阳泪vs.Ju叫onT剧院用U陪阳S仙）（曲Z可一一一t2.Cl “-0!i-100 团。可（）国100 1田200Figure 10:Ma血rum Continuous Dr回ncurrentvs.C笛eTemper由陪,u1rv 吨14 卜Tc（。25 回75 飞之 气125 1目深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP443SC 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET Vds 二儿半VgsVds Id VgsU Gate Charge Test Circuit&Waveform Vgs Charge Resistive Switching Test Circuit&Waveforms RL 10%Vds Unclamped Inductive Switching(UIS)Test Circuit&Waveforms AA:1/2 LI.；同Vds 町Diode Recovery Test Circuit&Waveforms O,=jldt lsdVdd-J IA民Vdd 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理AP443SC 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET SOP-8 Package Information D 专,_+1-4-+-1-。Dimensions In Millimeters Dimensions In Inches Symbol Min.Max.Min.Max.A 1 350 1 750 0.053 0 069 A1 0.100 0.250 0.004 0.010 A2 1.350 1.550 0.053 0.061 b 0.330 0.510 0.03 0.020 c 0.170 0.250 0.008 0.010 D 4.700 5.100 0.185 0.200 E 3.800 4.000 0.150 0.157 E1 5.800 6.200 0.228 0.244 e 1.270(BSC)O.OSO(BSC)l 0.400 1.270 0.016 0.050 e o go o s 深圳市骊微电子科技有限公司铨力半导体代理展开阅读全文
咨信网温馨提示：1、咨信平台为文档C2C交易模式，即用户上传的文档直接被用户下载，收益归上传人（含作者）所有；本站仅是提供信息存储空间和展示预览，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容不做任何修改或编辑。所展示的作品文档包括内容和图片全部来源于网络用户和作者上传投稿，我们不确定上传用户享有完全著作权，根据《信息网络传播权保护条例》，如果侵犯了您的版权、权益或隐私，请联系我们，核实后会尽快下架及时删除，并可随时和客服了解处理情况，尊重保护知识产权我们共同努力。
2、文档的总页数、文档格式和文档大小以系统显示为准(内容中显示的页数不一定正确)，网站客服只以系统显示的页数、文件格式、文档大小作为仲裁依据，个别因单元格分列造成显示页码不一将协商解决，平台无法对文档的真实性、完整性、权威性、准确性、专业性及其观点立场做任何保证或承诺，下载前须认真查看，确认无误后再购买，务必慎重购买；若有违法违纪将进行移交司法处理，若涉侵权平台将进行基本处罚并下架。
3、本站所有内容均由用户上传，付费前请自行鉴别，如您付费，意味着您已接受本站规则且自行承担风险，本站不进行额外附加服务，虚拟产品一经售出概不退款（未进行购买下载可退充值款），文档一经付费（服务费）、不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
4、如你看到网页展示的文档有www.zixin.com.cn水印，是因预览和防盗链等技术需要对页面进行转换压缩成图而已，我们并不对上传的文档进行任何编辑或修改，文档下载后都不会有水印标识（原文档上传前个别存留的除外），下载后原文更清晰；试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓；PPT和DOC文档可被视为“模板”，允许上传人保留章节、目录结构的情况下删减部份的内容；PDF文档不管是原文档转换或图片扫描而得，本站不作要求视为允许，下载前可先查看【教您几个在下载文档中可以更好的避免被坑】。
5、本文档所展示的图片、画像、字体、音乐的版权可能需版权方额外授权，请谨慎使用；网站提供的党政主题相关内容(国旗、国徽、党徽－－等)目的在于配合国家政策宣传，仅限个人学习分享使用，禁止用于任何广告和商用目的。
6、文档遇到问题，请及时联系平台进行协调解决，联系【微信客服】、【QQ客服】，若有其他问题请点击或扫码反馈【服务填表】；文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“【版权申诉】”，意见反馈和侵权处理邮箱：1219186828@qq.com；也可以拔打客服电话：0574-28810668；投诉电话：18658249818。
实名认证
平台协调中心【客服】
相似文档
自信AI助手
自信AI助手
2023年广东广州荔湾区花地街道办事处高校毕业生基层公共就业创业服务岗位招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年江苏常州市溧阳市溧城街道办事处面向社会综合成绩及进入体检人员招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年山西长治市黎城县大学毕业生到村（社区）工作、引进急需紧缺人才招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年广东广州荔湾区金花街道办事处高校毕业生基层公共就业创业服务岗位招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年湖北黄石开发区·铁山区城市社区党组织书记实行事业岗位管理专项招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年江苏常州市面向优秀村（社区）党组织书记镇（街道）事业单位人员招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
2023年广东广州市白云区人民政府大源街道办事处高校毕业生就业见习岗位招聘笔试冲刺题（带答案解析）.pdf
离心泵检修知识盘点.docx
微信客服
客服QQ
发送邮件
意见反馈
链接地址：https://www.zixin.com.cn/doc/332911.html