AP4435C -20a -30v的耐压mos管丝印4435规格书参数_骊微电子.pdf
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1、AP4435C P-Channel Enhancement MosfetFeature-30V,-10ARos ON)23m QVGs=-10VRos ON)34m QVGs=-4.SV Tench DMOS P。,wer MOSFETFast SwitchingExceptional on-resistance and maximum DC current capabilityApplicati。nDC/DC c。nverterLoad Switch f。r P。此:able DevicesBattery SwitchPackage Marking and Ordering lnformat
2、i。nDevice Marking 4435 Device AP4435C Device Package SOP-8 Reel Size 13 inch 剑”。1WERDATA SHEET D Gs Schematic diagram D SOP-8 D D D Tape width Quantity(PCS)4000 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 unless。therwise noted)Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage Vos-30v Gate-Source Voltage VGs 20 v
3、Continuous Drain Current(Ta=25)lo-10A Continuous Drain Current(Ta=100)lo-7A Pulsed Drain Currenr loM-40A Singel Pulsed Avalanche Energy EAs mJ Power Dissipation Po 3.7 w Thermal Resistance什om Junction to Ambient ReJA 33.8/W Junction Temperature TJ 150。CStorage Temperature Tsrn-55-+150。C深圳市骊微电子科技有限公司
4、铨力半导体代理AP443SC 剑”。1WERP-Channel Enhancement Mosfet DATA SHEET MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS(T.=25unless otherwise noted)Pa ram”r static CharactarlsUca Drain咽U回breakdownvo阳geZero gate vol回gedain cur酬tGa阁body lea阳ge current Gate th陪sholdvoltageC2 Drain毛ource on陪sistanceDynamic charac饱risticsInput
5、Cspaci恼neeOutput Capaci国neeReveSe Transfer Capaci恒n四SWI伽hlng characteristics Tum圈。n de阳ytime Tum-on rise time Tum-o仔delaytime Tum-o仔fall time To饱l Gate Charge Gate-Source Cha咱eGate-Drain Charge s。urc:e-Drain Diode charactariati臼Diode Forward vo陶醉。Diode Forward currentC3 N。rtes:Symbol V(BR)DSS loss I
6、Gss VG剖th)叫田G国马蛐Cr.句。n)I,icic,而岛Qg Qgs 句dV因Is Tut Condition V惆EOV.le-250队Vos-30飞A VGs eeOV VGS=20V,V四OVVos=V,筒,lo250AVos=-10V,lo斗DAV田=-4.5V,le=-10A Vos=-15V,Vos=OV,f=1MHz Vcc=-15V,lo=-6A VGS=-10V,Rt;=2.50 VDS=-15V,ID=-10A,VGS=-10V Vos=OV,ls=-1 OA 1.Repetitive Rating:pulse width limited by maximum ju
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