士兰微高压MOS管9A、900V场效应管SVF3878PN-9n90参数及代换_骊微电子.pdf
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1、 SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 7 页 第 1 页 9A、900V N沟道场效应管 描述 SVF3878PN N 沟道增强型功率 MOS 场效应晶体管,采用士兰微电子特有的 F-CellTM结构 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,H 桥PWM 马达驱动。特点 9A,900V,RDS(on)(typ.)=1.0VGS=10V 低栅极电荷量 低 Crss 开关速度快
2、提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF3878PN TO-3P 3878 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 符 号 参数范围 单位 漏源电压 VDS 900 V 栅源电压 VGS 30 V 漏极电流 TC=25C ID 9.0 A TC=100C 5.7 漏极脉冲电流 IDM 27.0 A 耗散功率(TC=25C)-大于 25C 每摄氏度减少 PD 150 W 1.2 W/C 单脉冲雪崩能量(注 1)EAS 966 mJ 工作结温范围 TJ-55+150 C 贮存温度范围 Tstg-55+150 C 热阻特性
3、参 数 符 号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻 RJC 0.83 C/W 芯片对环境的热阻 RJA 50 C/W SVF3878PN 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 7 页 第 2 页 关键特性参数(除非特殊说明,TC=25C)参 数 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 900-V 漏源漏电流 IDSS VDS=900V,VGS=0V-100 A 栅源漏电流 IGSS VGS=30V,VDS=0V-10.0 A 栅极开启电压 VGS(th)VGS=VDS,ID=2
4、50A 2.5-4.5 V 导通电阻 RDS(on)VGS=10V,ID=4.5A-1.0 1.28 输入电容 Ciss VDS=25V,VGS=0V,f=1.0MHz-2009-pF 输出电容 Coss-208-反向传输电容 Crss-46.5-开启延迟时间 td(on)VDD=400V,RG=25,ID=4.0A (注 2,3)-21.67-ns 开启上升时间 tr-27.60-关断延迟时间 td(off)-83.73-关断下降时间 tf-29.73-栅极电荷量 Qg VDD=450V,VGS=10V,ID=9.0A (注 2,3)-67.8-nC 栅极-源极电荷量 Qgs-10.1-栅极
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