SD8525L内置60V同步整流控制芯片-士兰微代理商_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SD8525L 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 8 页 第 1 页 快速关断同步整流控制器 描述 SD8525L 是一款内置 MOS 的高性能,快速关断的同步整流控制芯片。在高性能隔离型电源拓扑应用中替代肖特基二极管,以提高系统效率。可配合原边芯片工作在 CCM、DCM、QR 多种工作模式。SD8525L 采用内置 VCC 供电技术,集成高压供电和输出供电两种供电方式。内置斜率检测功能,防止在谐振阶段的误导通。同时兼容高侧端应用和低侧端应用。SD8525L 采用 SOP8 贴片封装。主要特点 内置 60V,10m 高性能 MOS 兼容高侧端和低
2、侧端同步整流应用 兼容 DCM,CCM,QR 多种应用模式 斜率检测功能,防止在谐振阶段的误导通 内置高压端 VCC 供电和输出端 VCC 供电技术 250A 低待机电流 SOP8 封装 SOP-8-225-1.27 应用 适配器 充电器 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SD8525L SOP-8-225-1.27 SD8525L 无卤 料管 SD8525LTR SOP-8-225-1.27 SD8525L 无卤 编带 士兰微电子 SD8525L 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 8 页 第 2 页 典型应用图 OUT8765
3、Control IC12348765Control IC1234OUT低侧端应用:高侧端应用:注:注:以上线路及参数仅供参考,实际的应用电路请在充分的实测基础上设定参数。士兰微电子 SD8525L 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 8 页 第 3 页 内部框图 极限参数(除非特殊说明,Tamb=25C)参数 符号 参数范围 单位 VCC端电压 VVCC-0.36.5 V VO端电压 VVO-0.325 V VD端电压 VVD-160 V 漏源(地)电压 VDS-160 V 栅源(地)电压 VGS 20 V 漏极电流 ID 14 A 工作结温 TJ 150 C
4、 工作温度范围 TAMB-2585 C 贮存温度范围 TSTG-55150 C 屏蔽时间&驱动逻辑 导通比较器快速关断比较器驱动高压供电输出供电VCC欠压&基准VD斜率检测54367821VSSVCCVODRAINDRAINDRAINVDVSS 士兰微电子 SD8525L 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http:/ 共 8 页 第 4 页 电气参数(内置功率 MOSFET 部分,除非特殊说明,Tamb=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 60-V 漏源漏电流 IDSS VDS=60V,VGS=
5、0V-1.0 A 导通电阻 RDS(ON)-10-m 电气参数(除非特殊说明,VCC=6V,Tamb=25C)参数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VCC供电 高压充电电流 IHVC VVCC=0V,VVD=40V-80-mA 输出供电电流 IVO VVCC=5V,VVO=12V-15-mA 输出供电最小输出电压 VVOCHARGEMIN-7-V VCC供电电压 VCCMAX VDRAIN=12V 5.4 5.8 6.2 V 开启关断 VCC开启电压 VCC_ST-4.4 4.7 5.0 V VCC关断电压 VCC_UVL-4.2 4.5 4.8 V VCC静态电流 IVCC0
6、VVCC=6V,VVD=6V-250-A VCC工作电流 IVCC VVCC=6V,fVD=50KHz-1.3-mA 控制部分 导通阈值 VDTH_ON-160-120-80 mV 斜率检测窗口时间 TSLEW-22-ns 关断阈值 VDTH_OFF-0-mV 关断延时 TOFF_DELAY-25-ns 导通屏蔽时间 TONBLANKING-0.8 1.2 1.6 s 关断屏蔽阈值 VOFFBLANKING-1.5-V 驱动部分 GATE上拉电流 IPU_DRV-1-A GATE下拉电流 IPD_DRV-3.0-A 管脚排列图 VCCVO123485SD8525LVSSVDVSSDRAIN67
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