SVS80R900DE3 6A800V高压超结mos管-士兰微mos规格书_骊微电子.pdf
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1、士兰微电子 SVS80R900F(D)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 9 页 第 1 页 6A,800V 超结 MOS功率管 描述 SVS80R900F(D)E3 N 沟道增强型高压功率 MOSFET 采用士兰微电子超结 MOS 技术制造,具有很低的传导损耗和开关损耗,使得功率转换器具有高效,高功率密度,提高热行为。 此外,SVS80R900F(D)E3 应用广泛。如,适用于硬/软开关拓扑。 特点 6A,800V,RDS(on)(typ.)=0.76VGS=10V 创新高压技术 低栅极电荷 较强的雪崩能力 较强的 dv/dt 能力 较高的峰值电流能
2、力 100%雪崩测试 无铅管脚镀层 符合 RoHS 环保标准 关键特性参数 参数 参数值 单位 VDS 800 V VGS(th) 2.54.5 V RDS(on),max. 0.9 ID.pulse 24 A Qg.typ. 16 nC 1.栅极 2.漏极 3.源极231TO-220F-3L312TO-252-2L13 产品规格分类 产品名称 封装形式 打印名称 环保等级 包装方式 SVS80R900FE3 TO-220F-3L 80R900FE3 无卤 料管 SVS80R900DE3TR TO-252-2L 80R90DE3 无卤 编带 士兰微电子 SVS80R900F(D)E3 说明书
3、杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 9 页 第 2 页 极限参数(除非特殊说明,TA=25C) 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源电压 VDS - 800 - - V 栅源电压(静态) VGS - -20 - 20 V 栅源电压(动态) VGS AC(f1Hz) -30 - 30 V 漏极电流 ID TC=25C - - 6.0 A TC=100C - - 3.8 A 漏极脉冲电流 (注 1) IDM TC=25C - - 24 A 耗散功率(TO-220F-3L) (注 2) PD TC=25C - - 28 W 耗散功率 (TO-2
4、52-2L) (注 2) PD TC=25C - - 66 W 单脉冲雪崩能量 EAS L=79mH,VDD=100V,RG=25, 开始温度TJ=25C - - 214 mJ 单脉冲电流 IAS - - - 2.2 A 体二极管 dv/dt VDS=0400V,ISD=IS,TJ=25C - - 50 V/ns MOS 管 dv/dt 耐用性 dv/dt VDS=0480V - - 100 V/ns 工作结温范围 TJ - -55 - 150 C 贮存温度范围 Tstg - -55 - 150 C 连续二极管正向电流 IS TC=25C,MOS管中源极、漏极构成的反偏P-N结 - - 6.0
5、 A 二极管脉冲电流 IS,pulse - - 24 A 最大二极管整流速度 di/dt VDS=0400V,ISD=IS,TJ=25C - - 250 A/s 热特性 表 1. TO-220F-3L(SVS80R900FE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - - 4.4 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.5 C/W 焊接温度(直插式) Tsold 20-15sec,1time - - 260 C 表 2. TO-252-2L(SVS80R900DE3)热特性 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值
6、典型值 最大值 芯片对表面热阻,底部 RJC - - - 1.9 C/W 芯片对环境的热阻 RJA - - - 62.0 C/W 焊接温度(SMD) Tsold 回流焊:101sec,3times 波峰焊:20-10sec,1time - - 260 C 士兰微电子 SVS80R900F(D)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 9 页 第 3 页 电气参数(除非特殊说明,TJ=25C) 静态参数静态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 BVDSS VGS=0V,ID=250A 800 - - V 漏源漏电流 I
7、DSS VDS=800V,VGS=0V,TJ=25C - - 1.0 A VDS=800V,VGS=0V,TJ=125C - 0.5 - 栅源漏电流 IGSS VGS= 30V,VDS=0V - - 100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS=VDS,ID=250A 2.5 - 4.5 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V,ID=3.0A - 0.76 0.9 栅极电阻 RG f=1MHz - 7.6 - 动态参数动态参数 参数 符号 测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 输入电容 Ciss f=1MHz,VGS=0V,VDS=100V - 567 - pF 输出电容
8、 Coss - 21 - 反向传输电容 Crss - 0.93 - 开启延迟时间 td(on) VDD=400V,VGS=10V, RG=25,ID=6.0A (注 3,4) - 14 - ns 开启上升时间 tr - 34 - 关断延迟时间 td(off) - 44 - 关断下降时间 tf - 26 - 栅极电荷量 Qg VDD=640V,VGS=10V,ID=6.0A (注 3,4) - 16 - nC 栅极-源极电荷量 Qgs - 4.9 - 栅极-漏极电荷量 Qgd - 7.5 - 栅极-平台电压 Vplateau - 6.8 - V 反向反向二极管特性参数二极管特性参数 参数 符号
9、测试条件 参数值 单位 最小值 典型值 最大值 源-漏二极管压降 VSD IS=6.0A,VGS=0V - - 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=6.0A,VGS=0V,dIF/dt=100A/s (注 3) - 349 - ns 反向恢复电荷 Qrr - 2.6 - C 反向恢复峰值电流 Irrm - 15 - A 注:注: 1. 脉冲时间5s; 2. 耗散功率值会随着温度变化而变化, 当大于25C时耗散功率值随着温度每上升1度减少: 0.23 W/C(TO-220F-3L)/0.53W/C(TO-252-2L); 3. 脉冲测试:脉冲宽度300s,占空比2%; 4. 基本上不受工作温
10、度的影响。 士兰微电子 SVS80R900F(D)E3 说明书 杭州士兰微电子股份有限公司 版本号:1.0 http: / 共 9 页 第 4 页 典型特性曲线 图 1. 输出特性图 3. 传输特性漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏极电流 ID(A)栅源电压 VGS(V)漏源导通电阻 RDS(on)()漏极电流 ID(A)图 4. 导通电阻vs.漏极电流图 2. 输出特性漏极电流 ID(A)漏源电压 VDS(V)漏源导通电阻 RDS(on)()栅源电压 VGS(V)图 5. 导通电阻vs.栅源电压栅源开启电压 VGS(th)(V)结温 TJ( C)图 6. 开启电压vs.温度特性02
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