2025年大学电子科学与技术（电子科学技术）试题及答案.doc

2025年大学电子科学与技术（电子科学技术）试题及答案

（考试时间：90分钟 满分100分）
班级______ 姓名______

第I卷（选择题 共40分）
答题要求：每题只有一个正确答案，请将正确答案的序号填在括号内。(总共10题，每题4分)
w1. 下列哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？（ ）
A. 硅
B. 锗
C. 砷化镓
D. 碳化硅
w2. 以下关于PN结的描述，错误的是（ ）
A. 具有单向导电性
B. 由P型半导体和N型半导体组成
C. 空间电荷区的存在使得PN结具有内电场
D. 在外加正向电压时，空间电荷区变宽
w3. 对于MOSFET，当栅源电压VGS大于阈值电压VT时，沟道（ ）
A. 形成，器件导通
B. 消失，器件截止
C. 不变
D. 先形成后消失
w4. 集成运算放大器的输入级通常采用（ ）
A. 共发射极放大电路
B. 共集电极放大电路
C. 差分放大电路
D. 共基极放大电路
w5. 数字电路中，最基本的逻辑门是（ ）
A. 与门
B. 或门
C. 非门
D. 以上都是
w6. 下列哪种电路可以实现将模拟信号转换为数字信号？（ ）
A. DAC
B. ADC
C. 放大器
D. 振荡器
w7. 半导体激光器产生激光的条件不包括（ ）
A. 粒子数反转分布
B. 光学谐振腔
C. 合适的工作物质
D. 正向偏置
w8. 关于场效应管，下列说法正确的是（ ）
A. 是电流控制型器件
B. 输入电阻低
C. 热稳定性好
D. 噪声系数大
w9. 下列哪种滤波器可以通过低频信号，抑制高频信号？（ ）
A. 低通滤波器
B. 高通滤波器
C. 带通滤波器
D. 带阻滤波器
w10. 数字集成芯片74LS138是（ ）
A. 编码器
B. 译码器
C. 数据选择器
D. 加法器

第II卷（非选择题 共60分）
w11. （10分）简述半导体中载流子的产生与复合过程。
w12. （12分）画出共发射极放大电路的原理图，并分析其工作原理。
w13. （12分）已知逻辑函数F = AB + BC + AC，试用卡诺图化简该逻辑函数。
w14. （13分）材料：某电子系统需要设计一个放大电路，要求输入电阻高，输出电阻低，电压放大倍数稳定。现有三极管和场效应管可供选择。
问题：请分析选用哪种管子更合适，并说明理由。然后设计一个满足要求的放大电路，画出电路图并简要说明工作原理。
w15. （13分）材料：在数字电路设计中，需要实现一个具有特定逻辑功能的电路。已知输入信号A、B、C，当A = 1且B = 1或者C = 1时，输出信号Y = 1，否则Y = 0。
问题：请写出该逻辑功能的表达式，并用与非门实现该逻辑电路，画出电路图。

答案：
w1. C
w2. D
w3. A
w4. C
w5. D
w6. B
w7. D
w8. C
w9. A
w10. B
w11. 半导体中载流子的产生主要有热激发、光照激发等方式。热激发使价带中的电子获得能量跃迁到导带成为自由电子，同时在价带中留下空穴。光照激发等也能产生电子 - 空穴对。载流子的复合有直接复合和间接复合。直接复合是电子直接与空穴复合消失。间接复合是通过复合中心进行，电子先跃迁到复合中心，再与空穴复合。
w12. 共发射极放大电路原理图：三极管的发射极接地，基极输入信号，集电极输出信号。工作原理：输入信号变化时，引起基极电流变化，进而导致集电极电流变化，集电极电阻上的电压降变化，从而实现对输入信号的放大作用。
w13. 卡诺图化简：
| | AB | AB' | A'B | A'B' |
|---|---|---|---|---|
| C | 1 | 1 | 1 | 0 |
| C' | 1 | 0 | 0 | 0 |
化简后F = A + B
w14. 选用场效应管更合适。理由：场效应管是电压控制型器件，输入电阻高，可以满足输入电阻高的要求。电路图：源极接地，栅极接输入信号，漏极通过电阻接电源，漏极输出信号。工作原理：输入信号变化时，改变栅源电压，从而控制漏极电流，实现放大作用。
w15. 逻辑功能表达式：Y = AB + C。电路图：A、B先经过与门得到AB，AB和C再经过或门得到Y。用与非门实现时，先将AB和C取反，经过与非门得到Y的反，再取反得到Y。具体电路：A非、B非经过与非门得到AB非，C非单独一路，AB非和C非再经过与非门，输出取反得到Y。