p型半导体和n型半导体.ppt

模拟电子技术基础,上页,下页,返回,p型半导体和n型半导体,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,掺入少量五价杂质元素磷,P,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,P,多出一个电子,出现了一个正离子,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,P,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,+,半导体中产生了大量的自由电子和正离子,c.,电子是多数载流子，简称多子,;,空穴,是少数载流,子，简称少子。,e.,因,电子,带负电，称这种半导体为,N,(negative),型或,电子,型半导体。,f.,因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。,b.N,型半导体中,产生了大量的,(,自由）电子和正离子。,可见：,d.,n,p,n,n,=,K,(,T,),a.N,型半导体是在本征半导体中,掺入少量五价杂质,元素形成的。,g.,负 电 荷,=,受主杂质产生的,（,majority,）,+,本征激发产生的,（,minority,）；,正电荷,(,空穴,),=,受主负杂质离子,（,majority,）,+,本征激发产生的,（,minority,）；,负电荷总数（多子电子）,=,正电荷总数（少子空穴,+,受主负离子）,h.,半导体整体是电中性的,2.,P,型半导体,在本征半导体中掺入,三价杂质元素,，,如硼等。,B,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,B,出现了一个空位,+4,+4,+4,+4,+4,+4,B,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,+4,B,+4,+4,负离子,空穴,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,-,半导体中产生了大量的空穴和负离子,c.,空穴,是多数载流子,电子是少数载流子。,e.,因,空穴,带正电，称这种半导体为,P,(positive),型或,空穴,型半导体。,f.,因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。,a.,P,型半导体是在本征半导体中,掺入少量的三价,杂质元素形成的。,b.,P,型半导体,产生大量的空穴和负离子。,可见：,d.,n,p,n,n,=,K,(,T,),g.,正电荷,(,空穴,),=,受主杂质产生的,（,majority,）,+,本征激发产生的,（,minority,）；,负 电 荷,=,受主负杂质离子,（,majority,）,+,本征激发产生的,（,minority,）；,正电荷总数（多子空穴）,=,负电荷总数（少子电子,+,受主负离子）,h.,半导体整体是电中性的,