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类型模拟电子技术复习题(含答案).doc

  • 上传人:天****
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  • 上传时间:2025-06-16
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    模拟 电子技术 复习题 答案
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    模 拟 电 子 技 术 复 习 题 一、判断题(在正确的论断前的括号内填入“√”,否则填入“×”。) 第二章 (× )1. 运算电路中一般引入正反馈。 ( √ )2. 凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 第三章 (× )1. 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 (× )2. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。 (× )3. 稳压二极管在稳压工作时,只要反向击穿,不需要限流。 (√ )4. N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。 (× )5. 二极管的正向偏置电压升高时,其正向电阻增大。 (√ )6. PN结中的空间电荷区是由带电的正负离子形成的,因而它的电阻率很高。 ( × )7. 未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。 第四章 (√ )1. 放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 (√ )2. 直接耦合多级放大电路各级的Q点相互影响。 (× )3. 晶体管的参数不随温度变化。 (√ )4. 放大电路没有直流偏置不能正常工作。 ( × )5. 多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级空载电压放大倍数的乘积。 (√ )6. 放大电路的直流分析,要依据直流通路图;放大电路的交流小信号分析计算,要依据交流通路图。 ( × )7. 只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。 (× )8. 放大电路在低频信号作用时,放大倍数下降的原因是半导体管的非线性特性。 (× )9. 射极跟随器的放大倍数为1,因此在电路不起任何作用。 (× )10. 只要将晶体管的静态工作点设置在BJT特性曲线的放大区,则不论输入什么信号都不会产生非线性失真。 (× )11.多极放大电路的级数越多,其放大倍数越大,且其通频带越宽。 ( √ )12. 射极输出器的输入电流是,输出电流是,因此具有较高的电流放大倍数。 第五章 ( × )1. 场效应管都可分为增强型和耗尽型两种。 ( √ )2. MOSFET的输入电阻比BJT高。 第六章 (√ )1. 运放的共模抑制比。 (× )2. 通用型集成运放的输入级采用差分放大电路,这是因为它的电压放大倍数大。 (× )3. 某差动放大电路的差模电压放大倍数Avd=1000,共模电压放大倍数Avc=10,则其共模抑制比KCMR=100dB。 ( √ )4. 在集成电路中各级电路间采用直接耦合方式。 (√ )5. 产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。 第七章 (√ )1. 负反馈放大电路可能产生自激振荡。 (× )2.电流负反馈既然稳定输出电流,那么必然稳定输出电压。 ( × )3. 若放大电路的放大倍数为负,则引入的反馈一定是负反馈。 (× )4. 某一放大电路中引入了直流负反馈和交流电压串联负反馈,这些反馈能够稳定输出电流。 ( × )5. 要稳定放大电路静态工作点,可以引入交流负反馈。 第八章 (√ )1. 功率放大电路的转换效率。 ( × )2. 在功率放大电路中,输出功率越大,功放管的管耗功率就越大。 (√ )3. 通常采用图解法分析功率放大电路。 (√ )4. 功率放大电路工作在大信号状态,要求输出功率大,且转换效率高。 第九章 (√ )1. 负反馈放大电路在一定条件下可能转化为正反馈。 ( √ )2. 欲使振荡电路能自行建立振荡,起振时应满足的条件。 (√ )3. RC正弦波振荡电路产生的信号频率可通过改变RC串并联网络中电阻R和电容C的值来调节。 (× )4. 正弦波振荡电路中只能引入正反馈,不允许出现负反馈。 (√ )5. 在采用正反馈方框图的条件下,如果正弦波振荡电路反馈网络的相移为jf,放大电路的相移为ja,那么只有φa+φf=2nπ,才满足相位平衡条件。 ( √ )6. 从结构上来看,正弦波振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。 第十章 ( √ )1. 整流电路可将正弦电压变为单方向的脉动电压。 (√ )2. 直流电源是一种能量转换电路,它将交流能量转换为直流能量。 二、填空题 第二章 1. 为使运放电路稳定地工作在线性区,应在电路中引入深度 负 反馈。 2. 工作在线性区的理想运放器,两个输入端的输入电流均约等于零称为虚 断 。 第三章 1. 稳压管稳压时是让其工作在 反向击穿 状态。 2. 某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为-10V,-6V,-6.2V,则这只三极管是 PNP型锗管 。 (写出三极管的类型NPN型还是PNP型,是硅管还是锗管。) 3. 齐纳二极管是一种特殊二极管,常利用它在 反向击穿 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。 第四章 4. 晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数ICBO将变  大  (大;小)。 5.放大电路的静态分析,要依据 直流 通路图;放大电路的动态分析,要在 交流 通路图的基础上画出 小信号等效电路 图。 6. 多级放大电路总的电压放大倍数,等于各级有载电压放大倍数的 积 ,总的输入电阻等于 第一级放大电路的输入电阻 。 7. 单管共集电极放大电路如下图所示,当Rb太小时,将产生 饱和 失真,其输出电压的___顶部___波形会被削掉。 8. 单管共射放大电路中,若输入电压为正弦波,在中频通带内和的相位相 反 (同;反)。 9. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 温度 的影响。 10. 晶体管是温度的敏感元件,当温度升高时其参数β将变 大 (大;小)。 11. 放大电路静态工作点设置过高输出波形易产生 饱和 失真。 12. 晶体管是温度的敏感元件,如果温度升高三极管的输出特性曲线将向__上__(上;下)移动。 13. 放大电路静态工作点设置过低输出波形易产生 截止 失真。 14. 下图为某放大电路的对数幅频特性图,则该电路的上限截止频率为 ,下限截止频率为 。 15. 用示波器观察NPN管共射单管放大器的输出电压波形如下图所示,判断该波形属于 截止 失真。 16. 下图是放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它的类型为NPN 型。 题15图 题16图 第五章 1. 下图所示的是某管子的转移特性曲线,则它是 N沟道耗尽型MOSFET 管。 2. NMOS增强型场效应管在放大区的电流控制关系是。 第六章 电流源电路的特点是直流电阻小,动态输出电阻 大 。 第七章 1. 为减小放大电路的输出电阻,应引入 并联 负反馈。 2. 为了稳定静态工作点,应引入 直流 负反馈。 3. 在反馈电路中,若∣1+AF∣>1,则为___负___反馈;若∣1+AF∣<1时,则为__正____反馈。 4. 下图所示电路的反馈极性是 正反馈 。 5. 为了稳定放大电路的输出电压,应引入 电压 负反馈;为了增大放大电路的输入电阻,应引入 串联 负反馈。 第八章 1. 双电源互补对称电路工作在乙类时,每只BJT的最大允许管耗必须大于 0.2 。 2. 下图功放电路中VCC=12V,RL=6Ω,则最大输出功率POM= 12 W ,最高转换效率为 78.5% 。 第九章 1. 希望获取频率为100HZ—500HZ的有用信号,应选用 带通 滤波电路。 2. 正弦波振荡电路主要有RC和LC型振荡电路两大类, RC型振荡电路一般用来产生 低 频信号,LC型振荡电路一般用来产生 高 频信号。 3. 在RC桥式正弦波振荡电路中,若串并联选频网络中的电阻均为,电容均为,则其振荡频率 。 4. 正弦波振荡器主要由放大电路、反馈网络、 选频 网络和稳压电路四部分组成。 第十章 在电子系统中,经常需要将交流电网电压转换为稳定的直流电压,为此要用整流、 滤波 和稳压等环节来实现。 三、单项选择题(每题2分,共20分) 第一章 1. 要使电压放大器具有较强的带负载能力,应减小放大器的哪个参数(C )。 A. B. C. D. 第三章 1.N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )。 A. 电子 B. 空穴 C. 三价元素 D. 五价元素 2. 当温度升高时,二极管的反向饱和电流将( A )。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 D. 不能确定 3. 晶体二极管具有(A )特性。 A. 单向导电 B. 集电极电压饱和 C. 双向导电 D. 集电极电流截止 4.PN结加正向电压时,空间电荷区将( A )。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定 5.二极管的端电压为U,则二极管的电流方程是(C )。 A. ISeU B. C. D. 6. 二极管两端加上正向电压后有一段"死区电压"。锗管为( A )V伏。 A. 0.1 B.0.3 C.0.4 D.0.7 7. 稳压管稳压是利用它的 特性,所以必须给稳压管外加 电压。( C ) A.单向导电,反向 B.反向击穿,正向 C.反向击穿,反向 D.单向导电,正向 8. 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的( A )。 A.大 B.小 C.相等 D.无法确定 第四章 1. 在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,在中频通带范围内和的相位( B )。 A.同相 B.反相 C.相差90度 D.不确定 2. 晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( B )。 A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 D. 前者反偏、后者正偏 3. 一个三极管放大电路, =60μA, = 2mA,β值为50,这个三极管工作在( D )状态。 A.放大 B. 击穿 C.截止 D. 饱和 4. 电路如图1所示,二极管为理想二极管,对二极管工作状态的判断及输出电压大小的确定均正确的是( B )。 A. 二极管D截止 B. 二极管D导通 C. 二极管D导通 D. 二极管D截止 图1 图2 5. 已知某MOS场效应管的转移特性如图2所示,试判断该场效应管的类型为( B )。 A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管 6. 当信号频率等于放大电路的或时,放大倍数的值约下降到中频时的( B )。 A. 0.5倍 B. 0.7倍 C. 0.9倍 D. 1倍 7. 两级放大电路的带负载电压放大倍数分别是=-10,=-20,则此放大电路总的电压放大倍数应是( C )。 A. = -30 B. = -10 C. = 200 D. = -200 8. BJT三极管具有光敏性和热敏性的原因是由于( B )。 A. 只有一种载流子参与导电 B. 两种载流子参与导电且少子是由本证激发产生的 C. 电子、空穴两种载流子都参与导电 D. 两种载流子参与导电且多子是由本证激发产生的 9. 要使放大器具有较好的频率特性,应选用哪种放大组态( D )。 A. 共射极 B. 共源极 C. 共集电极 D. 共基极 10. 对于共集放大电路的特点,其错误的结论是( B )。 A. 电压放大倍数小于1且近似等于1 B. 电流放大倍数小于1且近似等于1 C. 输出电阻小,且与信号源内阻有关 D. 输入电阻大,且与负载有关 11. BJT三极管放大电路的三种组态中,因其输出电阻小而被用于多级放大电路输出级的是( B )。 A. 共射极 B. 共集电极 C. 共基极 D. 共源极 12.放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是( B )。 A. 耦合电容和旁路电容的存在 B. 半导体管极间电容和分布电容的存在 C. 半导体管的非线性特性 D. 放大电路的静态工作点不合适 14.考虑了带负载增益分别为,,的三级放大电路,则总的电压增益为( B )dB。 A. 1800 dB B. 80 dB C. 600 dB D. 60 dB 15.多级直接耦合放大器中,影响零点漂移最严重的一级是( A )。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级 16.某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V,则这只三极管是( B )。 A. NPN型的硅管 B. NPN型的锗管 C. PNP型的硅管 D. PNP型的锗管 17.下面各电路器件符号,哪个表示的是晶体三极管?( C )。 A. B. C. D. 18.工作在放大区的三极管,当从20μA增大至40μA时,从1mA变为2mA,其β值约为( B )。 A. 100 B. 50 C.500 D.1000 19.一个放大器输入端输入有效值为50mV的正弦交流电,从输出端测量其有效值电压为1V,则其电压放大倍数为( D )。 A. 1000 B.100 C.200 D. 20 20. 一个三极管若放弃集电极不用,那么基极和发射极之间可当作( B )器件使用。 A.晶体三极管 B.晶体二极管 C.固定电阻 D.大容量电容 21. 共集电极放大电路的放大倍数 ,而电流放大倍数 。( C ) A.≤1,很小 B.≥1,很大 C. ≤1, 很大 D. ≥1,很小 22. 工作在放大区的三极管,已知值β=100,,约为( B )mA。 A.1 B.2 C.3 D.4 23. 一个单管放大器电源电压6V,发射结正向偏置后,若Vc约为0.6V,Ve为0.4V,若Vb为1.1V,则该放大器的三极管可能处于( B )状态。 A.放大 B.饱和 C.截止 D.击穿 24. BJT放大电路中既能放大电压,也能放大电流的是( A )组态放大电路。 A. 共射 B. 共集 C. 共基 D. 不确定 第五章 1. 下述管子中输入电阻最高的管子为( A )。 A. MOS场效应管 B. BJT三极管 C. 结型场效应管 D. 二级管 2. 已知某MOS场效应管的转移特性如图3所示,试判断该场效应管的类型为( A )。 A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管 3. 场效应管是一种( D )的器件。 A. 电流控制的电流源 B. 电流控制的电压源 C. 电压控制的电压源 D. 电压控制的电流源 4. 结型场效应管利用删源极间所加的( A )来改变导电沟道的电阻。 A. 反偏电压 B. 反向电流 C. 正偏电压 D. 正向电流 5. 题13图示电路中,,,,则漏极电流( A )。 A. 0.2mA B. 0.4mA C. 0.6mA D. 0.1mA 6. 设题14图示电路中漏源之间动态电阻,则图示电路中电压增益=( A )。 A. B. C. D. 7. 题15图示转移特性曲线,则它是( A )管。 A. N沟道耗尽型MOSFET B. P沟道耗尽型MOSFET C. N沟道耗尽型JFET D. N沟道增强型JFET 题13 图 题14 图 题15 图 第六章 1. 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。 A. 减小温漂 B. 增大放大倍数 C. 提高输入电阻 D. 减小放大倍数 2. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为( D )。 A. 可抑制温度漂移 B. 可使输入电阻减小 C. 可获得很大的放大倍数 D. 集成工艺难于制造大容量电容 3. 集成运放的中间级采用复合管放大电路是因为可以( B )。 A. 减小温漂 B. 提高放大倍数 C. 展宽通频带 D. 提高带载能力 4. 复合管的电流放大倍数约等于两个管子各自电流放大倍数的( C )。 A. 和 B. 差 C. 积 D. 商 5. 某一差动放大电路的输入,则该差放的共模信号和差模信号分别为( B )。 A. 2.5mV,7.5mV B. 2.5mV,15mV C. -7.5mV,-2.5mV D. -15mV,5mV 6.运放的共模电压增益越小,表明运放的(D )。 A.放大倍数越稳定 B.交流放大倍数越大 C..输入电阻越大 D抑制共模信号的能力越强 7. 通用型集成运放的输入级多采用( D )。 A. 共基接法 B. 共集接法 C. 共射接法 D. 差分接法 8. 差分放大电路中,当=300mV,=280mV,=100,=1时,输出电压为( D )。 A. 580mV B. 1.71V C. 2V D. 2.29V 第七章 1. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( D )。 A. 输入信号中的干扰和噪声 B. 输入信号和放大电路中的干扰和噪声 C. 反馈环外引入的干扰和噪声 D. 产生于反馈环内的干扰和噪声 2. 在输入电量不变的情况下,若引入反馈后( C ),则说明引入的反馈是正反馈。 A. 输入电阻增大 B. 输出量减小 C. 净输入电量增大 D. 净输入电量减小 3. 提高输入电阻,又可稳定输出电流的反馈组态是( D )。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈 4. 放大器引入直流负反馈可以( D )。 A. 稳定输出电流 B. 稳定输出电压 C. 稳定电压放大倍数 D. 稳定直流工作点 5. 对题9图示电路中交直流反馈的判断正确的是( B )。 A. 电压串联负反馈 B. 电压并联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 6. 在稳定范围内放大电路引入的负反馈越强,则其( D )。 A. 放大倍数越大 B. 输入电阻越大 C. 输出电阻越小 D. 放大倍数的稳定性越强。 7. 欲得到一个压控电流源电路,应该引入的反馈类型为( D )。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流并联负反馈 D. 电流串联负反馈 8.既提高输入电阻,又可稳定输出电压的反馈组态是( B )。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 9.放大电路如图1所示,要使静态工作点 Q上移, 应使( C )。 A. 增大 B. 增大 C. 减小 D. 增大 图1 图2 10.判断图2电路中交流反馈的组态( B )。 A. 电压并联负反馈 B. 电压串联负反馈 C. 电流串联负反馈 D. 电流并联负反馈 11.希望接上负载后,基本不变,应引入( A )负反馈。 A.电压 B.电流 C.串联 D.并联 12. 放大器引入电流串联负反馈可以( A )。 A. 稳定输出电流 B. 降低输入电阻 C. 降低输出电阻 D. 稳定电压放大倍数 13. 负反馈放大电路产生自激振的条件是( C )。 A. B. C. D. 14. 某负反馈放大电路的开环增益 =100000,当反馈系数F =0.0004时,其闭环增益 为( A )。 A. 2500 B. 2000 C. 1000 D. 1500 15. 在反馈放大电路中,如果反馈信号和输出电压成正比,称为( C )反馈。 A. 电流 B.  串联 C. 电压 D. 并联 第八章 1. 在OCL乙类功放电路中,若最大输出功率为1W,则电路中每个功放管的集电极最大功耗约为( C )。 A. 1 0W B. 20 W C. 0.2 W D. 0.4 W 2. 若图1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为,则最大输出功率为( C )。 A. B. C. D. 图1 图2 3. 电路图2中D1和D2管的作用是消除( B )。 A. 饱和失真 B. 交越失真 C. 截止失真 D. 线性失真 4.理想情况下,乙类双电源互补对称功放电路的最大输出功率为( A )。 A. B. C. D. 5. 为了消除交越失真,应当使功率放大电路工作在( B )状态。 A. 甲类 B. 甲乙类 C. 乙类 D.丙类 第九章 1.一个实际的正弦波振荡电路的组成为( D )。 A. 放大电路和反馈网络 B. 放大电路和选频网络 C. 放大电路、反馈网络和稳频网络 D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 2. 有用信号频率高于500Hz,可选用( B )滤波电路。 A.低通 B.高通 C.带通 D.带阻。 3. 一个单管共射放大电路如果通过电阻引入负反馈,则( C )。 A. 一定会产生高频自激振荡 B. 有可能产生高频自激振荡 C. 一定不会产生高频自激振荡 D. 无法判定 第十章 10. 直流稳压电源中滤波电路的目的是( D )。 A. 将直流变为交流 B. 将高频变为低频 C. 将低频变为高频 D. 将交、直流混合量中的交流成分滤掉 9. 串联反馈型稳压电路中的放大环节所放大的对象是( B )。 A. 基准电压 B. 基准电压与采样电压之差 C. 采样电压 D. 基准电压与采样电压之和 12. 单相桥式整流电路中,设V2为变压器副边的有效值,则二极管所承受的最大反向截止电压为( B )。 A. B. C. D. 四、作图题 1.电路如下图所示,稳压管为硅管,设其正向导通后其上压降V,且稳定电压V。设V,试画出输出电压的波形,并标出幅值。 2.电路如下图所示,已知(V),二极管为理想二极管,试画出的波形并标出其幅值。 3.电路如下图所示,已知(V),二极管导通电压V,试画出的波形,并标出幅值。 4.电路如下图所示,稳压管的稳定电压V,R的取值合适,的波形如右图所示。试画出的波形。 5.某放大电路的对数幅频特性图如下图所示,则该电路的上限截止频率为 HZ ,下限截止频率为 HZ 。通带增益为 80 dB。 6.已知某N沟道耗尽型MOS场效应管的转移特性和输出特性如下图所示,由图可知夹断电压= -5 V;饱和漏极电流= 2 mA。 7.某放大电路的直流负载线如图所示,已知 ,(1)在图中标出Q点位置;(2)由Q点读出= 1 mA; 3 V。 五、计算题 第二章 1. 电路如下图所示,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 由运放的“虚断”特性有: 在运放的同向输入端由虚短”特性有: 再由“虚短”特性有: 2. 电路如下图所示,假设运放是理想的,试求:(1)集成运放A1、A2、A3是否为线性应用?A1、A2、A3分别组成何种运算电路?(2)分别列出、、、的电压方程;(3)求电路输出电压与输入电压的运算关系。 、 (1) 是线性运用;A1、A2为电压跟随器,A3构成求差电路 (2) , (3) 3. 电路如下图所示,假设运放是理想的,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。(10分) 在集成运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 即 (1) 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚短特性有: (2) 在M点,有 ,即 (3) 联立(1)(2)(3)式有 4. 电路如下图所示,假设运放是理想的,试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。 在集成运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 即 (1) 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 (2) 再利用理想运放的虚短特性有: (3) 联立(1)(2)(3)式得 5. 电路如下图所示,假设运放是理想的,电容的初始电压。(1)集成运放、是否为线性应用?、分别组成什么运算电路?(2)求电路输出电压与输入电压的运算关系。 (1)集成运放、是线性应用,运放组成差分式运算电路,组成积分电路; (2) 集成运放组成积分电路: 6. 电路如下图所示,假设运放是理想的,试求:(1)集成运放A是否为线性应用?(2)求电路输出电压与输入电压的运算关系。 (1)集成运放A是线性应用。 (2)在集成运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 即 (1) 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 再利用理想运放的虚短特性有: (2) 将(2)式代入(1)式得 7. 电路如下图所示,其中,,,假设运放是理想的,试写出电路输出电压与输入电压的运算关系。 在集成运放1的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 即 (1) 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 (2) 再利用理想运放的虚短特性有: (3) 联立(1)(2)(3)式得 集成运放2组成积分电路: 8. 试求下图所示各电路输出电压与输入电压的运算关系式。 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚断特性有: (1) 在集成运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 (2) 再利用理想运放的虚短特性有: (3) 联立(1)(2)(3)式得 9. 电路如下图所示,假设运放是理想的,电容的初始储能为零。试求电路的输出电压与输入电压的运算关系 。 由运放的虚短特性有: 在运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 10. 电路如下图所示,(1)试求的表达式; (2)试求与、、的运算关系。 在运放的反相输入端,利用理想运放的虚断特性,有 A1、A2、A3的输出电压分别为vI1、vI2、vI3。 在集成运放的同相输入端,利用理想运放的虚断特性有: (1) 由运放的虚短特性有: (2) 联立(1)(2)式得: 第三章 1. 已知下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大稳定电流IZmax=25mA。(1)分别计算UI为10V、15V两种情况下输出电压的值;(2)若UI=35V时负载开路,则会出现什么现象?为什么? (1)当VI=
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