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    GB_T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片-(高清版).pdf

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    GB_T 41325-2022 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片-(高清版).pdf

    1、书 书 书犐 犆犛 犆犆犛犎?犌犅犜?犔狅狑犱 犲 狀 狊 犻 狋 狔犮 狉 狔 狊 狋 犪 犾狅 狉 犻 犵 犻 狀 犪 狋 犲 犱狆 犻 狋狆 狅 犾 犻 狊 犺 犲 犱犿狅 狀 狅 犮 狉 狔 狊 狋 犪 犾 犾 犻 狀 犲狊 犻 犾 犻 犮 狅 狀狑犪 犳 犲 狉 狊犳 狅 狉犻 狀 狋 犲 犵 狉 犪 狋 犲 犱犮 犻 狉 犮 狌 犻 狋?书 书 书前言本文件按照 标准化工作导则第部分:标准化文件的结构和起草规则的规定起草。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会()与全国半导体设备和材料标准化技术委员会材

    2、料分技术委员会()共同提出并归口。本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、南京国盛电子有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、中环领先半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司。本文件主要起草人:孙燕、宁永铎、钟耕杭、李洋、徐新华、骆红、杨素心、李素青、张海英、由佰玲、潘金平。犌犅犜 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片范围本文件规定了低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片(以下简称 抛光片)的技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、运输、贮存、随行文件及订货单内容。本文件适用于对晶体原生凹坑敏感的集

    3、成电路用直径为 和 、晶向 、电阻率 的 抛光片。规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。非本征半导体材料导电类型测试方法 计数抽样检验程序第部分:按接收质量限()检索的逐批检验抽样计划 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法非接触涡流法 硅抛光片表面质量目测检验方法 硅单晶 硅单晶切割片和研磨片 半导体材料术语 硅抛光片表面颗粒测试方法 硅单晶 硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法 硅片平整度、厚度及总厚度

    4、变化测试自动非接触扫描法 硅单晶切割片和磨削片 硅片翘曲度和弯曲度的测试自动非接触扫描法 硅片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 硅片包装 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试表面光电压法 晶片纳米形貌报告指南()晶片近边缘几何形态的评价、法(,)晶片近边缘几何形态的评价高度径向二阶导数法(,)晶片近边缘几何形态的评价局部平整度法()犌犅犜 晶片近边缘几何形态的评价边缘卷曲法(,)术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件。局部光散射体犾 狅 犮 犪 犾 犻 狕 犲 犱犾 犻 犵 犺 狋 狊 犮 犪 狋 狋 犲 狉 犲 狉;犔犔犛晶片表面上的颗粒或蚀坑导致相对晶片表面光散射强

    5、度增加的一种孤立的特性。注:局部光散射体有时被称为光点缺陷,早期也被称为亮点缺陷。注:当局部光散射体的尺寸足够大时,在高强度光照射下呈现为可目视观察到光点,但这种观察是定性的。注:用现代自动检测技术(如激光散射作用)观测局部光散射体,在能够区分不同散射强度的散射物的意义上,自动检测技术是定量的。注:局部光散射体的存在也未必降低晶片的实用性。晶体原生凹坑犮 狉 狔 狊 狋 犪 犾狅 狉 犻 犵 犻 狀 犪 狋 犲 犱狆 犻 狋;犆犗犘在晶体生长中引入的一个凹坑或一些凹坑。注:当它们与硅片表面相交时,类似。在使用扫描表面检查系统观察时,在一些情况下它们的作用与颗粒类似,因此最初这种缺陷被称为晶体原

    6、生颗粒()。现代的扫描表面检查系统一般能够从颗粒中区分出晶体原生凹坑,当晶体原生凹坑存在时,表面清洗或亮腐蚀可能会增大其被观察的尺寸和数量。技术要求 物理性能 抛光片的导电类型、电阻率、少数载流子寿命、氧含量、碳含量、晶体完整性应符合 或 的规定。抛光片的直径及允许偏差、表面取向、切口尺寸或参考面尺寸应符合 或 的规定。几何参数 抛光片的几何参数应符合表的规定。表几何参数单位为微米项目不同直径 抛光片几何参数的要求 厚度(中心点)及允许偏差 总厚度变化 弯曲度 翘曲度 总平整度 犌犅犜 表几何参数(续)单位为微米项目不同直径 抛光片几何参数的要求 局部平整度(边缘扩展,)()()()()表面质

    7、量 抛光片的表面质量应符合表的规定。表表面质量项目不同直径 抛光片表面质量的要求 正表面局部光散射体()个片总的(包括)其他尺寸供需双方协商确定仅 区域沾污无划伤无蚀坑无崩边无裂纹,鸦爪无凹坑无沟(槽)无小丘无橘皮、波纹无线痕无雾无背表面区域沾污无崩边无裂纹、鸦爪无线痕无犌犅犜 表面金属 抛光片的表面金属含量应符合表的规定。表表面金属含量单位为 每平方厘米金属元素不同直径 抛光片表面金属含量的要求 体金属(铁)含量 直径 抛光片体金属(铁)含量应不大于 ,直径 抛光片体金属(铁)含量应不大于。氧化诱生缺陷 抛光片的氧化诱生缺陷应不大于 个。其他 抛光片的表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边缘几何形

    8、态及其他特殊要求由供需双方协商确定并在订货单中注明。试验方法 导电类型的测试按 的规定进行。电阻率的测试按 的规定进行。厚度、总厚度变化、总平整度及局部平整度的测试按 的规定进行。弯曲度、翘曲度的测试按 的规定进行。局部光散射体的测试按 的规定进行。表面质量(除局部光散射体)的检验按 的规定进行。表面金属含量的测试按 的规定进行。体金属(铁)含量的测试按 的规定进行,或由供需双方协商确定。犌犅犜 氧化诱生缺陷的检验按 的规定进行。表面微粗糙度的检验按 的规定进行。表面纳米形貌的检验按 的规定进行。近边缘几何形态的评价按 或 或 或 的规定进行。检验规则 检查和验收 产品应进行检验,供方应保证产

    9、品质量符合本文件及订货单的规定。需方可对收到的产品进行检验。若检验结果与本文件规定不符时,应在收到产品之日起三个月内以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。组批 抛光片应成批提交验收,每批应由相同规格的产品组成。检验项目 每批 抛光片应对导电类型、电阻率、厚度、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、表面质量及表面金属进行检验。每批 抛光片的局部平整度、体金属(铁)含量、氧化诱生缺陷、表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边缘几何形态是否检验由供需双方协商确定。取样 非破坏性测试项目的检验取样按 中一般检验水平,正常检验一次抽样方案进行。破坏性测试项目的检验取样按 中特殊检验水平 ,正常检验一次抽样方

    10、案进行。检验结果的判定 导电类型的检验结果中有任意一片不合格时,判该批产品为不合格。电阻率、厚度及允许偏差、总厚度变化、弯曲度、翘曲度、总平整度、局部平整度、表面质量的接收质量限()按表的规定进行,或由供需双方协商确定。表接收质量限序号检验项目接收质量限()电阻率 厚度及允许偏差 总厚度变化 弯曲度 翘曲度 总平整度 局部平整度 犌犅犜 表接收质量限(续)序号检验项目接收质量限()表面质量区域沾污 划伤、蚀坑 崩边、裂纹、鸦爪累计 凹坑、沟(槽)、小丘、橘皮累计 线痕、波纹累计 累计累计 局部光散射体、表面金属、体金属(铁)含量、氧化诱生缺陷、表面微粗糙度、表面纳米形貌、近边缘几何形态检验结果

    11、的判定由供需双方协商确定。包装、标志、运输、贮存和随行文件 包装 抛光片的包装应符合 的规定。标志 在检验合格的 抛光片包装盒上应张贴标签,其上注明:)产品名称;)产品批号;)产品数量。抛光片应成箱包装,每箱外侧应注明:)供方名称;)产品名称;)产品数量;)“小心轻放”“防潮”“易碎”“防腐”标志或字样。运输 抛光片在运输过程中应轻装轻卸,严禁抛掷,勿挤压,应采取防震、防潮措施。贮存 抛光片应贮存在清洁、干燥的环境中。随行文件每批 抛光片应附有随行文件,其上注明:)供方名称;)产品名称及规格;)产品批号;)产品片数(盒数);)各项参数检验结果和检验部门的印记;犌犅犜 )出厂日期;)本文件编号。订货单内容需方宜根据自身的需要,在订购本文件所列产品的订货单内,列出以下内容:)产品名称;)产品技术要求;)产品数量;)本文件编号;)本文件中要求在订货单中注明的内容;)其他。犌犅犜


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